GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用

将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。     

TiH_2和ZrH_2在高压下的状态方程与电学性质

氢化物是一个非常广阔的领域.人们对它们在常压下的性质已进行了大量的研究,而且氢化物在科学研究和工业生产中已有了广泛的应用.然而,对它们在高压下的性质还研究得相当少.近一些年来,研究氢化物在高压下的性质以及金属化相变已引起了人们很大的兴趣.Straaten等曾研究了HI在高压下的性质,发现它在42.5—51GPa下发生了由绝缘体变成金属的转变.我们过去曾对LiH和AIH_3在高压下的性质进行过一些实验研究.在本工作中,我们研究了TiH_2和ZrH_2在高压下的P-V关系以及电学性质的变化,得到一些有趣的结果.这些结果在国外还未见发表过.     

代可可脂的热分析研究

利用热分析方法对代、类可可脂进行研究,至今国内外尚未见系统报导.本文采用热分析方法,通过热重(TG)、微分热重(DTG)、差热(DTA)和差示扫描(DSC)求算了天然可可脂和代可可脂的热分解动力学参数;测定了可可脂的熔点、熔化热、可可脂口感与峰面积的相对关系、晶型的转变以及对选择性氢化作出评价等.该研究对代可可脂的热分析理论探讨,特别对代可可脂的生产工艺具有一定参考价值.     

无定形氢化碳薄膜的制备方法

无定形氢化碳(a-C∶H)薄膜由于具有许多独特的性质,近年米受到研究工作者们的嘱目。本文详细介绍了 a-C∶H 薄膜的各种制备方法,包括等离子体淀积法、离子束法、溅射法和化学汽相淀积法等,给出了某些典型的实验条件。文中还讨论了制备膜的性质及其与制备条件之间的关系,氢和氧含量以及掺杂对膜特性的影响。最后,展望了 a-C∶H 薄膜的应用前景。     

a-C:H膜及其退火的激光喇曼光谱研究

用高频阴极辉光放电沉积在控制基片温度来制备氢化非晶态碳(a—C:H)膜,退火温度上升到600℃,这些膜的喇曼光谱在波区1000～1800cm~(-1)进行的,a-C:H膜的喇曼光谱是一个非对称的简单的谱带。随着退火温度的升高,a—C:H膜出现两个峰值,也观察了金刚石和天然石墨的喇曼光谱,这些光谱与现代研究的模型进行了讨论,其结果认为非晶态碳具有三次配位和四次配位原子的网状结构模型相一致。     

添加钇对TiAl合金组织和性能的影响

设计并熔炼了成分为（Ｔｉ５０Ａｌ５０）１００－ｘＹｘ（ａｔｏｍ）＝０－２．０％）的合金，用金相显微镜、扫描电镜、三点弯曲试验等手段，研究了添加钇（Ｙ）对ＴｉＡｌ合金显微组织和力学性能的影响。结果表明：２的添加能改变ＴｉＡｌ合金中Ｏ、Ｎ等间隙原子含量并增加ＴｉＡｌ合金显微组织，使γＴｉＡｌ使合金晶粒细化，促进γ＋α２片层状组织的形成，适量钇的添加能降低ＴｉＡｌ合金中Ｏ、Ｎ等间隙原子含量并增加ＴｉＡｌ     

Ti（Ⅳ）－N－苯甲酰苯胲络合吸附波的研究

在ｐＨ４．５的５０ｍｍｏｌ·Ｌ~（－１）ＮａＡｃ－５０ｍｍｏｌ·Ｌ~（－１）ＮａＡｃ－０．４ｍｍｏｌ·Ｌ~（－１）Ｎ－苯甲酰苯胲（Ｎ－ＢＰＨＡ）底液中，用单扫示波极谱法可得到Ｔｉ（Ⅳ）的络合物吸附波，峰电位－０．６２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）左右。导数峰高与钛的浓度在４．２×１０~（－６）～２．０×１０~（－４）ｍｍｏｌ·Ｌ~（－１）的范围内呈线性关系，检出限为２．０×１０~（－６）ｍｍｏｌ·Ｌ~（－１）。实验表明，该极谱峰属于络合吸附波，测定其络合比为ｎ（Ｔｉ（Ⅳ））：ｎ（Ｎ－ＢＰＨＡ）＝１：３。该法应用于中成药“升板胶”中微量钛的测定。     

以溴化乙锭为荧光探针研究二氯二茂钛与DNA作用方式

自1979年K(?)pf等发现二氯二茂钛(Cp_2TiCl_2,TDC)的抗癌活性以来,金属茂类配合物抗癌作用的研究成为继顺铂之后该领域中最为活跃的前沿课题之一,TDC具有抗癌谱广、药效高、毒性远低于顺铂的突出优点,已于1992年在德国进入临床研究.生物学实验表明,DNA是TDC在细胞内的主要靶分子,但TDC与DNA的作用方式仍是未知的.McLaughlin等的研究表明,TDC可与DNA作用形成Cp_2Ti-DNA及CpTi-DNA复合物,文献[4,5]通过研究TDC与单核苷酸及DNA的作用,提出了TDC与DNA发生不可逆共价结合的作用模式.本文以荧光探针技术研究了TDC与DNA的结合方式及其对DNA二级结构的影响.     

用Wagner方程研究Ti衬底与Al膜间的反应和互扩散

本文根据Ｔｉ与Ａｌ膜间的反应和互扩散动力学提供的浓度分布曲线，用Ｗａｇｎｅｒ方程计算Ｔｉ衬底与Ａｌ膜间在Ｔｉ相变点上、下Ａｌ的互扩散系数Ｄ和激活能Ｑ，找出了互扩散系数与温度与成分的变化规律，计算结果表明，扩散激活能的大小次序是：ＱＴｉ３Ａｌ＞ＱＴｉＡｌ＞Ｑａ－Ｔｉ（Ａｌ）＞Ｑｂ－Ｔｉ（Ａｌ）。