固-液制备色谱分离氢化可的松立体异构体

研究了氢化可的松立体异构体的新型制备色谱分离技术.介绍了氢化可的松立体异构体分离问题的由来, 研究了固液制备色谱中作为固定相的大孔吸附硅胶对氢化可的松立体异构体的静态和动态吸附特性, 以异丙醇为流动相,对氢化可的松立体异构体进行了制备色谱分离,并在实验中采用了色谱循环技术.实验表明, 大孔吸附硅胶对氢化可的松立体异构体的动态饱和吸附量为4.8mg/mL;同时,用异丙醇为流动相的固液制备色谱可以分离氢化可的松立体异构体,在采用循环法后能有效地提高分离度.     

双(α-呋喃甲酸)氧钒合成方法的改进及抗癌作用研究

通过优化和改进,获得一种合成双(α-呋喃甲酸)氧钒(BFOV)的新方法,产率达93％,w(Ba)＜10 mg/kg,元素分析和结构分析与VO(C5H3O3)2·2H2O吻合.运用标准MTT法测试了 BFOV分别对A549(人肺癌细胞株)、SKOV3(人卵巢癌细胞株)和耐受顺铂的A549/DPP、SKOV3/DPP生长的...     

1,2,2,6,6-五甲基哌啶醇的合成

以四甲基哌啶醇为原料采用环已烷萃取法合成五甲基哌啶醇,研究了温度、甲醛用量及反应时间对反应收率的影响.最佳反应条件是:温度98℃,反应时间2 h,n(四甲基哌啶醇):n(甲醛)=1:3.0.反应收率达99.19%.     

二乙基二硫代氨基甲酸银测砷法的改进——用二苯胍-氯仿代替吡啶

<正> 二乙基二硫代氨基甲酸银比色测定砷的方法系在碘化钾和氯化亚锡存在下,用金属锌将砷还原为砷化氢,它与二乙基二硫代氨基甲酸银吡啶溶液反应,生成红色胶状银,以此进行比色测定砷。此法具有较高的选择性和灵敏度,故广泛用于痕量砷的测定,但其缺点是使用具有恶臭和毒性的吡啶。为了克服此缺点,近三十多年来,有很多人从事吡啶代用品的研究,先后试验过几十种有机碱,其中效果较好的有马钱子碱、麻黄素、三乙胺和三乙醇胺等的氯仿溶液,它们的灵敏度均不如吡啶,但无恶臭,不过马钱子碱毒性较大,三乙胺仍有臭味,而三乙醇胺-氯仿吸收液不     

含氢化诺卜基的叔胺类化合物的合成与结构分析

由cis-氢化诺卜醇与亚硫酰氯反应制得cis-氢化诺卜基氯,再分别与二甲胺、二乙胺、二正丙胺、二正丁胺、六氢吡啶、吗啉等仲胺反应,合成了6种cis-氢化诺卜基的叔胺,产品GC纯度达95%以上.通过红外光谱、核磁共振谱和质谱分析表征了它们的结构     

储氢介质MgH2水解制氢研究进展

概述了MgH₂水解制氢的机理,辨识了制约其水解制氢性能的瓶颈问题,即水解过程生成的Mg(OH)₂钝化层阻碍了反应的继续进行,从而导致制氢效率迅速衰减．如何突破Mg(OH)₂钝化层的限制是促进MgH₂水解反应的核心问题．通过对已有文献的归纳、总结与分析,综述了提升MgH₂水解制氢性能的各种方法,包括降低颗粒尺寸、改变水溶液成分(加酸或盐)、使用添加剂或催化剂(金属或氢化物、碳质材料、氧化物、盐)和超声振动等．对效果显著的改变水溶液成分和使用添加剂/催化剂两种方法进行了重点介绍．最后,针对MgH₂水解制氢的研究现状提出了建议,并指出了未来研究的重点与方向．     

p-i-n型非晶硅薄膜电池p层材料制备及光学性能研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜材料,借助紫外可见(UV-Vis)光谱、激光拉曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外(FTIR)光谱等手段,研究了p-i-n型非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳能电池p层a-SiC:H薄膜材料的制备与光学性能.研究结果表明甲烷和硅烷掺杂比能影响a-Si:H薄膜成键情况,而射频功率一定程度上能影响薄膜沉积速率,该研究结果可为制备转换效率高、性能稳定的p-i-n型非晶硅薄膜太阳能电池提供支持.     

射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、晶化情况、氢含量、光电学性质以及材料表面形貌等的影响.结果表明:射频功率在较低的范围内变化时,对薄膜的沉积速度影响很大,对材料的光电特性比较敏感;沉积气压升高达到一定值后,沉积速率变化不太明显,光电影响比较缓和;在低气压、小功率条件下,薄膜中出现小晶粒生长.     

稀土与3-苯基-5-(呋喃-2)吡唑啉二硫代甲酸配合物的制备和性质(英文)

在干燥的氮气氛保护下,首次合成了９种稀士与３苯基５（呋喃２）吡唑啉二硫代甲酸配合物ＲＥ（Ｓ２ＣＮＣ１３Ｈ１１ＮＯ）Ｃｌ２（ＲＥ＝Ｇｄ－Ｌｕ,Ｙ）．通过元素分析、电导测定、红外光谱、差热分析对其进行了表征,结果表明配体是通过二个硫原子和呋喃环上的一个氧原子与稀土配位的     

基于氢化及O修饰对Gr/BN异质结性质的调控

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了氢化及层间O修饰对石墨烯/BN(Gr/BN)异质结结构稳定性和电子性质的影响.建立了上下表面氢化及层间存在O修饰的石墨烯/氮化硼异质结结构模型,计算了氢化及层间O修饰的异质结的能带结构、态密度及荷转移.研究发现,Gr/BN异质结的性质与石墨烯类似,带隙非常小,无法应用于电子器件...