全文获取类型
收费全文 | 140篇 |
免费 | 4篇 |
国内免费 | 8篇 |
专业分类
丛书文集 | 7篇 |
教育与普及 | 12篇 |
现状及发展 | 2篇 |
综合类 | 131篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 1篇 |
2015年 | 7篇 |
2014年 | 9篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 8篇 |
2011年 | 3篇 |
2010年 | 12篇 |
2009年 | 7篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 5篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 12篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 12篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 8篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 4篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有152条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
为了研究可作为超级电容器电极材料的纳米结构Ni O的不同形貌,以镍盐和尿素为原料,采用水热法合成纳米级Ni O.利用X线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜表征所合成的纳米结构.结果表明:以Ni(NO3)2·6H2O为原料所合成的Ni O具有"花状"结构;反应温度的升高对Ni O表面形貌的影响不大;随着反应时间的增加,纳米结构Ni O薄片的厚度也随之增加;通过加入一定量的NH4F可以控制合成一定形貌的Ni O,说明NH4F不仅具有提高反应速率的作用,还可以调节反应的稳定性,有利于形成"花状"结构的Ni O.纳米结构Ni O形成过程中,由于极强的各向异性,优先形成片状纳米结构,再由于自组装特性,进而形成"花状"结构的Ni O. 相似文献
92.
介绍了氟化碳纳米管(F-CNTs)的最新进展.详细讨论了碳纳米管(CNTs)的氟化方法,包括直接氟化法和等离子体处理法,总结了氟化温度和压力、氟源种类以及CNTs种类等因素对F-CNTs的结构和性能的影响.同时还介绍了F-CNTs特有的物理和化学性质及其相关应用领域,归纳了F-CNTs目前存在的问题,并对今后的发展方向进行了展望. 相似文献
93.
以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体,采用反应磁控溅射沉积法制备了具有低介电常数(k~2.18)的氟化非晶碳(a—C:F)薄膜.薄膜的结构和性质由红外吸收光谱、紫外可见光光谱、沉积速率及介电常数等作了表征,有关数据显示,薄膜的沉积速率随着射粒输入功率的增大而上升,所沉积的a—C:F薄膜中存在着一定比例的苯环结构,改变射频功率可以改变薄膜中的F/C比值,调制薄膜中环式结构与链式结构的比例,从而影响薄膜的介电常数和光学带隙等性能。 相似文献
94.
95.
SF6气体放电通道的分形特征及计算机模拟 总被引:3,自引:0,他引:3
在探讨SF6气体放电树枝发展机理的基础上,利用计算机对放电通道的发展进行了模拟,并结合分形几何学计算出放电树枝的分形维数。在此基础上,探讨了放电起始场强对分形维数的影响。通过计算机模拟,得到了与实际放电树枝分形维数相近的放电模拟图形,同时也验证了放电起始场强和放电通道内部场强这两个参数对建立放电模型的重要性。 相似文献
96.
应用氟化物防龋已有半个世纪以上的历史,近20多年来,一些发达国家居民患龋率大幅度下降,这与广泛应用氟化物有不可分割的关系。在龋病预防的研究和成果报道中,氟化物防龋占绝对优势,人们对氟化物防龋的应用方式、方法、机理作了大量的研究。几十年的大量实践证明:应用氟化物防龋是一种方便易行的方法。氟化物的防龋效果和优越性是不可否认的。综合几十年的发展趋势是:早期注意全身应用江化物,其中主要是饮水加江。近年来则趋向局部用氟。我国有关乳牙息朗情况报导:乳牙思间串达55%,7、8岁达高峰,约86%。由于儿童多不能配合治疗… 相似文献
97.
用自制的LaF3多晶粉末作固体电解质,分别以Pt黑,Au,Ag,Ni粉作敏感电极,以Sn/SnF2为参比电极制备半电池,研究其室温下对空气中少量氢的传感性。实验发现,20℃时以Pt黑为敏感电极的电池对空气中少量氢的响应很灵敏,最快响应时间为15s,且电动热与lnpH2服从能斯特定律,而以Au,Ag,Ni粉为敏感电极的同种电池室温下对空气中少量氢表现为惰性。 相似文献
98.
ZrF_4系玻璃的振动谱的计算高而震,顾世洧(上海交通大学)(上海交通大学)(中国科学院国际材料物理中心)关键词:红外材料,光纤通信.1973年在实验上获得了损耗为0.2dB/km的二氧化硅基质光纤.这个值几乎达到了本征损耗的极限值.如果需要更低损耗... 相似文献
99.
100.
在点电荷模型基础上,考虑屏蔽效应以及电子云膨胀效应,计算了掺杂的CaF2与SrF2晶体中Ce^3+离子的晶场能级,计算结果较前人结果有较大改进,绝大部分能级与实验值吻合较好.研究表明,Ce^3+离子4f电子云膨胀效应和5s,5p电子壳层屏蔽效应在CaF2和SrF2中都不能忽略. 相似文献