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161.
微组装纳米多层材料的力学性能研究 总被引:5,自引:0,他引:5
为研究探索新材料,采用离子束溅射沉积的方法制备了子层厚度为纳米量级的陶瓷/金属以及陶瓷/高分子多层膜。对这些纳米多层膜的结构和硬度、韧性行为进行了研究。发现纳米多层膜的硬度行为强烈地依赖于材料系统,在某些系统中出现了超硬度效应,而在某些系统则没有这一现象。纳米多层膜的韧性比单相的陶瓷材料有明显提高。硬度、韧性等力学行为与多层结构的组分比例、调制波长等参数有关。研究表明纳米多层结构是获取具有优良力学性能新材料的有效途径。 相似文献
162.
声—光型界面自皮与界面各向异性 总被引:1,自引:1,他引:0
在考虑了外磁场、界面各向异性后,详细研究了铁磁和反铁磁层间耦合下自以链系统中的声-光型界面自旋波及其存在的充要条件,在适当的界面各向异性条件下,系统中可以存在0、1或2个声-光型界面自旋波,并发现其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高,随反铁磁是耦合强度的增大而降低。 相似文献
163.
从硝酸镁铝水滑石出发,通过水热离子交换反应合成了具有Keggin结构的〔TwW11MO39〕^n-(M=Mn^2+,Co^2+,Cr^3+)杂多阴离子柱撑水滑石粘土,并把它嵌入到MgAl型阴离子粘土层间。XRD结果表明,这些层柱化合物具有较大的通道高度且层间阴离子保持其Keggin结构。元素分析结果表明,杂多化合物符合TiW11M型结构,这类化合物对烯酸环氧化反应有较强的催化作用。 相似文献
164.
本文对天童常绿阔叶林地被层的种类组成进行了初步研究。研究表明:组成地被层计有维管植物44科78属114种。蕨类植物优势度最大,里白占绝对优势。草本植物39种,以世界分布科和地面芽植物为主,常绿种类占84.6%,未见亚洲和北美洲间断分属的地理成分。 相似文献
165.
罗立峰 《华南理工大学学报(自然科学版)》1998,26(8):31-35
本文以物理化学理论为指导,实验为基础,较详细地介绍了矿料遇水后,表面电荷的起因、表面电荷的性质和ζ电势的测定,从而说明沥青与矿料间的相互作用机理 相似文献
166.
倪明康 《上海师范大学学报(自然科学版)》1993,(1)
对具有快慢变量非线性方程组的边值问题(μ是小参数) (du)/(dx)=g(x,u,v,w) μ(dv)/(dx)=F(x,u,w) μ(dw)/(dx)=G(x,u,v) u(0,μ)=v(0,μ)=v(1,μ)=0 本文讨论了产生空间对照结构时的渐近解构造,“啪”型内部层解位置的确定及给出了渐近解的误差估计。 相似文献
167.
加工误差对气体静压径向轴承的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
建立了一种考虑影响气膜厚度误差、圆度和圆柱度误差的气膜厚度分布综合表达式,考虑加工误差对气体静压径向轴承的影响,进行了气体润滑有限元分析.分析表明:圆度和圆柱度误差对轴承的承载能力影响不大;气膜厚度误差为平均气膜厚度的5%时,承载能力变化约为10%. 相似文献
168.
用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难. 相似文献
169.
高硅沸石中二元物系表面扩散系数的预测 总被引:1,自引:0,他引:1
用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo,KMC)方法模拟客体分子单组分及双组分混合物在高硅沸石(Silicalite)分子筛中的扩散,与分子动力学(Molecular Dynamics,MD)方法的模拟结果及Maxwell-Stefan(M-S)方程计算对比说明KMC方法的合理性,而由真实的体系性质获得正确的跳跃频率值及合适的晶格模型是获得正确计算结果的关键,且一旦由单组分研究获得正确的跳跃频率值及晶格模型,便可直接移用至多组分体系的KMC模拟中。 相似文献
170.
为了解决高功率微波(HPM)源模拟中圆柱波导开放边界的截断问题,研究了柱坐标系下卷积完全匹配层(CPML)吸收边界,给出了CPML中电磁场的差分方程和轴边界条件,并进行了数值验证.在不同频率和模式的激励源作用下,模拟了2.5维问题中CPML截断圆柱波导开放边界的性能,相对误差最大值都小于-90dB在2.5维电磁PIC软件中引入CPML方法,模拟计算了相对论返波管.结果表明,CPML在截断波导开放边界方面的性能远好于Mur型吸收边界条件。 相似文献