PET核心部件专利分析及产学研发展建议

正电子发射断层成像(PET)作为一种前沿的疾病检测技术,在神经系统疾病、癌症和心脑血管疾病等医学领域发挥着重要作用,产生了巨大经济价值。围绕PET的3大核心部件,以专利分析为切入点,对比国内外PET专利申请现状,发现中国PET核心部件存在专利申请人结构不协调、东西部研究水平存在差异、科研水平比较不足等一系列问题,PET产业结构改革势在必行。从产学研角度,对政府、社会、企业、高校和科研院所各个主体提出了若干改革措施。     

高Tc超导体Y—Ba—Cu—O超导临界涨落的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变温度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。     

均匀电场中Dirac方程的严格解和真空中正负电子对的产生率

基于在一均匀恒定电场中Dirac方程的严格解,本文导出了真空中正负电子对产生率的一个解析表达式,用抛物圆柱函数表示.此表达式在弱场极限下与熟知的结果一致.     

工作于磁场中的正电子寿命谱仪的改进

一、引言 在已往的电子偶素(正电子和电子形成的类似氢原子的束缚态)磁猝灭实验中,有关正电子寿命谱仪的探测器经常采用塑料闪烁体或BaF_2闪烁体,由于光电倍增管不能在磁场中正常工作,毫无例外地使用长光导连接于闪烁体和光电倍增管之间,结果谱仪的时间分辨率明显     

铜基形状记忆合金热弹性马氏体相变缺陷的正电子湮没研究

铜基形状记忆合金的时效敏感性虽早有报道,但马氏体稳定化现象的发现并受到普遍的关注则是近几年的事。人们提出过再有序化、空位钉扎两种解释马氏体稳定化的主要机制。但对马氏体时效稳定化的研究仍然存在很多的疑问和分歧,对原始组织及其缺陷的影响     

纳米SnO_2的氧缺陷研究──Mossbauer谱与PAT寿命谱

本文采用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱和ＰＡＴ寿命谱对纳米ＳｎＯ_２进行研究。结果表明，纳米ＳｎＯ_２的界面相和在真空环境处理造成的氧缺陷，使Ｓｎ４＋的离子特征下降，改变了样品的超精细结构参数。根据正电子在表面缺陷湮没的两种不同机制，分析了捕获缺陷的类型及其浓度的变化情况。实验表明，纳米ＳｎＯ_２晶界缺陷处Ｓｎ原子附近的电子密度较大，结构中的氧缺陷使电子密度进一步增大。     

Sr_xLa_(1-x)CuO_3系统半导体-金属相变的正电子湮没研究

在最近发现的高温氧化物超导体Sr-La—Cu-O、Ba-La-Cu-O系统中,由电阻-温度关系测量观察到,在相同的热处理条件下,随组分x的变化,发生半导体-金属相变。有人认为,发生相变的原因,在于电荷密度波出现能隙。因此,从不同的侧面研究高温氧化物超导体中发生半导体-金属相变的起因,以及它与高温超导电性的关联,是当前重要研究课题之一。     

离子注入生物样品的正电子湮没研究

以云豆作为生物样品，测量了正电子湮没的寿命谱。比较了低能氮离子注入和未经氮离子注入的云豆样品的正电子湮没寿命谱，发现τ３有差异，说明氮离子注入到生物样品的影响深度可达到２００μｍ左右。由τ３和Ｉ３可知在生物样品中的正电子湮没过程中，大约有１／５正电子将形成正电子素Ｐ３。