新型正电子束技术的应用及研究进展

介绍了正电子束相关技术及应用的发展历程,实验方法以及应用。结合近年来的实验和理论成果,对基于捕获的新型正电子束的研究进展做了相关介绍,并展望了其应用前景。     

正电子谱学技术在功能材料微结构表征中的应用

特殊功能材料是一些具有优良电学、磁学、学、热学、学、力学、化学、物医学功能,在各类高科技领域到泛应用.正电子湮没技术是一种对材料微结构特别有效探测技术,特别是对各种缺陷、空位和微孔尤为灵敏,通过正电子湮没寿命谱、多普勒展宽谱和慢正电子束技术,通过分析正电子湮没参数可以获材料从表面到内部缺陷分布信息和随外部物理和化学条件变化、引起微结构变化.本文选取几种特殊材料正电子湮没实验结果来分析材料内部微结构,表明正电子湮没谱学是一种独特研究微观结构方法.     

PET低温自由体积特征的正电子谱学研究

应用正电子湮没技术，测量了ＰＥＴ（聚对苯二甲酸乙二脂）在不同温度下的正电子湮没寿命谱。使用正电子寿命谱的离散分法（ＰＡＴＦＩＴ），根据正电子湮没参数随温度的变化，两个次级转变点Ｔβ和Ｔγ被确定。利用最新发展的连续谱的分析程序（ＭＥＬＴ），得到几种不同温度下的自由体积的分布，发现低温下自由体积大小，数量及分布并非常量，同时发现在极低温（３０Ｋ）下，自由体积的分布很宽。     

40Li_2O-12P_2O_5-48V_2O_5非晶快离子导体的晶化过程研究

用正电子湮没技术、差热分析和X射线衍射等方法研究了40Li_2O-12P_2O_5-48V_2O_5非晶快离子导体的晶化过程.实验发现,在孕育期正电子平均寿命出现一反常增高,在此之前,正电子寿命是稳定的,在晶化开始后,正电子平均寿命减小并有涨落.这些结果与电子率测量、差热分析曲线相对应.     

反质子与质子相互作用

本文论述从低能至高能的反质子与质子碰撞中各种现象,从介子交换理论和吸收现象,获得一个可以描述其相互作用的光学势。pp碰撞后,发生湮没而产生众多的介子、强子,以及在高能正、反质子湮没后产生奇特性粒子,带粲的介子、强子,并探讨获得混杂性粒子和新粒子的途径。     

BiSrCaCuO高温超导体中正电子湮没多普勒展宽谱的温度关系

继LaBaCuO和YBacCuO之后,不含稀土的、临界温度高于100K的BiSrCaCuO高温超导体的发现,进一步刺激人们研究高温超导机制的热情和寻求具有更高转变温度新体系的努力。正电子湮没是研究固体电子结构、缺陷和相变的有力工具,已成为研究新型氧化物超导体的最灵敏的实验方法之一。它能提供有关样品电子结构、氧空位的分布和迁移以及     

a~N本征态的相干迭加态系

构造了形如ａ｜ａ〉＋ｂ｜β〉的ａ￣Ｎ本征态的相于迭加态系，得到了这些态的复振幅ｍ次方的两个正交厄米分量的正序排列方差，结果表明，这种相干迭加态可以存在振相的高次方压缩。     

用PAT和受体结合分析研究TNF的结构特征

用正电子湮没技术（ＰＡＴ），受体结合分析和Ｌ９２９细胞活力测定等方法研究了天然型ｈＴＮＦ－α和突变型ｈＴＮＦ－ｂ肿瘤坏死因子（ＴＮＦ）的结构特征。实验结果表明，在ＴＮＦ－α中的正电子湮没长寿命（τ２）和相应强度（Ｉ２）分别大于和小于ＴＮＦ－ｂ的τ２和Ｉ２，用受体的放射配基结合分析，ＴＮＦ－ｂ对ＨＥＰ－２（仅表达ＴＮＦ－Ｒ５５）和Ｕ９３７（主要表达ＴＮＦ－Ｒ７５）的ＩＤ５０分别比ＴＮＦ－α低１／２和高４０倍。由此可得到一个有意义的结论，ＴＮＦ－ｂ的分子间自由体积减小，导致它的密度和细胞毒活性增大     

SPEK-C膜的正电子湮灭寿命谱学研究

利用正电子湮灭寿命谱(PALS)法及原子力显微镜(AFM)，研究了磺化及溶剂蒸发对(磺化)酚酞侧基聚芳醚硐(SPEK-C)膜制备的影响．结果表明：磺化基团的引入，降低了分子间的作用力，使得分子间排列不紧密，导致聚合物的自由体积大小与强度同时增加；铸膜液溶剂挥发，聚合物浓度增加，胶束聚集体的相互聚集产生较大的胶束聚集体孔，使自由体积减小而强度增大，聚合物的自由体积较好地反映了胶束聚集体的聚集特征．