理论物理学研究中的开创性贡献——纪念狄拉克创建相对论性量子力学60周年

本文论述了狄拉克对建立相对论性量子力学所作的开创性贡献,并着重研究了狄拉克理论对理论物理学的发展所产生的深远影响。     

正电子检测直拉硅的中子辐照缺陷

在90～300K温区范围内测试了中子辐照直拉硅单晶的正电子寿命谱及红外光谱,发现直拉硅单晶的中子辐照缺陷主要是双空位和氧-空位复合体.此外,还分析了这些缺陷的一些基本性质.     

HIPS的γ辐照交和应的正电子寿命谱研究

测量了高强度聚苯乙烯的正电子寿命谱随／γ辐照剂量的变化，观察到自由体积孔洞的平均半径随辐照剂量的增加而基本不变，自由体积孔洞的浓度和半径分布宽度随辐照剂量的增加而减少，这一实验结果表明，γ辐照后高强度聚苯乙烯力学性能的改善与自由体积特性的变化相关联。     

碘掺杂聚乙炔的正电子湮没谱和结构缺陷转变

本文研究了反式碘掺杂聚乙炔[CH(I_3)_y]_x在室温下正电子湮没寿命随掺杂浓度y的变化关系,发现y约在0.0025和0.043处寿命谱出现明显的突变.计算了杂质势和链间耦合积分.用链间耦合随掺杂浓度增强的概念,说明了出现上述两个突变的原因和主要元激发的转变,解释了磁化率随掺杂浓度变化的实验规律,讨论了三个区域的导电模型和电导率随温度的变化关系.     

强流正电子源

正电子源是对撞机类加速器的一个非常重要的组成部分和关键的系统，是正电子产生、俘获并加速到一定能量的装置，因而也是正电子加速器的源头。随着加速器物理和技术向着更高能量和更高亮度方向飞速发展，正电子源从原理和技术上都有了巨大的创新，比如未来国际直线对撞机（ILC）提出的基于波荡器的正电子源、基于激光康普顿散射的正电子源和单晶靶正电子源，等等。但通常加速器用的正电子源还是常规正电子源，即用高能电子轰击重金属靶而产生电磁及联簇射来获得次级正电子。从最近的研究情况看，ILC也没有完全放弃常规正电子源，只是称其技术相对成熟，暂不继续做预研，如果所列先进的正电子源解决不了关键技术问题，采用常规正电子源就是一个必然。中国唯一一台强流正电子源是1987年建成的，20多年来为北京正负电子对撞机（BEPC）的成功建造及高水平运行和北京谱仪（BES）取数做出了突出贡献。随着BEPC向更高亮度延伸，以确保中国在τ璨物理研究领域的世界领先地位，国家于2004年实施了BEPC重大升级改造工程（BEPCII），亮度提高100倍，要求注入器的正电子流强提高一个量级以上到40mA，为此我们重新设计、研制了正电子源。本文将对该（BEPCII）正电子源各系统做详细介绍。     

用正电子湮没研究Al-Ni二元系中的固溶体类型

Al-Ni二元系的δ相理想成分为Ni_2Al_3,其室温的均匀范围为38.50—42.19 at.％Ni,单胞体积随Ni含量而变化,在理想成分为最小值。 Al-Ni二元系的β相理想成分为NiAl,其室温的均匀区在45.25—60.1 at·％Ni,它是由二个相互嵌入的简单立方点阵所组成,β相单胞体积随at.％Ni成分变化而变化,在50at.％ Ni处有一最大值。 本工作用正电子湮没技术研究Al-Ni二元系中δ和β相固溶体的类型。     

正电子湮没对热平衡点缺陷的特性分析

本文所述系通过正电子在空格点的俘获测定晶体空位形成能和熵,并与热分析方法相类比,说明其应用于点缺陷特性分析的积极影响。     

正负电子的散射与湮没

正负电子散射在粒子物理中十分重要,其理论计算结果可直接在高能加速器上得到验证。本文探讨了正负电子散射的几种情形,并分别计算出散射矩阵元、微分截面以及总截面。