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11.
12.
正电子发射断层成像(PET)是高灵敏、可定量及无创的活体分子成像方法,通过示踪表征特定生理功能或靶向病理标志物的正电子发射分子探针,可对组织、器官的病变进行分子水平的探测与成像,从而实现疾病的早期诊断和实时监控.氟-18(18F)因其具有适宜成像的核素性质而被广泛用于PET探针的标记.随着PET的广泛应用,低免疫原性和... 相似文献
13.
以正电子发射断层扫描仪中Block探测器散点图符合高斯混合分布模型(gaussian mixture model:GMM)为基础,充分考虑探测器本身特点,给出正电子发射断层扫描仪Block探测器中晶体位置表建立的具体方法.实验结果表明该方法简单、可靠,具有通用性. 相似文献
14.
本文用正电子湮没寿命方法研究了形变纯铜缺陷产生的特点及其运动规律,讨论了位错密度和形变量之间的关系以及正电子寿命方法研究形变缺陷的适用范围。对试样所作的TEM观测得到与正电子寿命方法定性一致的结果。 相似文献
15.
用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。 相似文献
16.
本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系. 相似文献
17.
在γ辐照0~40Mrad的范围内测量了高强度聚苯乙烯(highimpactpolystyrene,HIPS)的正电子湮没寿命谱,发现随着辐照剂量的增加,o-Ps寿命τ3基本不变(约为1.98ns),而o-Ps强度Ⅰ3下降;当辐照剂量由20Mrad上升到40Mrad时,自由体积孔洞的半径分布宽度变窄;此外,还测量了在压力驰豫期间HIPS的正电子湮没寿命谱,施加的静态压力为0,25,50MPa,发现τ3不随驰豫时间t变化(约为2.0ns),但Ⅰ3随时间下降。 相似文献
18.
硅酸二钙(Ca2SiO4简写为C2S)是硅酸盐水泥的主要成份,对硅酸二钙进行掺杂改性。可以影响C2S的微观结构,水化活性,烧成速度等.用正电子湮没技术研究了掺Na2O和P2O5的C2S正电子寿命谱,结果表明掺杂能增加C2S的微结构缺陷,使C2S烧成速度加快,水化活性增大.用正电子湮没技术X射线衍射线宽效应和扫描电镜等手段研究了不同燃烧条件下,C2S的中间体CaO的活性及其变化规律.结果表明,在快速烧成条件下的新生态CaO晶粒尺寸小,缺陷浓度高,CaO与C2S的活性也较高在硅酸盐水泥生料中掺杂和采用快速烧成工艺,可以增大硅酸盐水泥的烧成反应速度,有重要的实用价值. 相似文献
19.
在室温下测量了Bi2-xPbxSr2CaCu2-xMgxO8+δ超导体的正电子寿命,发现正电子体寿命τb随着Pb含量x的增加而减小;测量了转变温度Tc结果表明,Mg替换不影响电子结构,Pb替换使电子从Cu-O面迁移到Bi-O层,并导致CU-O面空穴浓度增加,转变温度Tc减小. 相似文献
20.