铝衬底微等离子体阵列的制作与光电特性测量

在铝衬底上采用光刻工艺制作了带有氧化铟锡(ITO)透明电极的微等离子体阵列,实验研究了该微等离子体阵列在30～100 kPa氖气中的放电特性和发光特性.不同微腔尺寸的微等离子体阵列实验结果表明,对于微腔直径为150μm的器件,击穿电压随着工作气压的升高先下降后上升,并且在53.2 kPa时达到最小值212 V.通过对微腔直径为50μm和30μm器件的击穿电压比较发现,在气压较低时,微腔尺寸大的器件更容易击穿,当气压较高时,微腔尺寸小的器件更容易击穿,并且微腔尺寸小的器件随着气压的升高击穿电压下降得更快.与目前商业等离子体显示器件(PDP)的击穿电压相比,微腔器件的击穿电压更低,而且在高气压下,采用更小的微腔作为PDP的显示单元,可以提高PDP的分辨率.     

基于60°坐标系的SVPWM过调制算法

传统的空间矢量脉宽调制(SVPWM)在正交坐标系中实现时,涉及的计算量较大,相应的过调制算法更为复杂.为了更利于实时操作,文中分析了60°坐标系下SVPWM算法的特点,提出了一种计算量小,易于实现的过调制算法.该算法能统一处理参考电压矢量整个调制区域,不需要计算保持角.在六阶梯波模式中,该算法不需要计算参考电压实际角度来选取基本电压矢量,仅需要根据原来没有过调制处理时计算得到的基本电压矢量作用时间做出选择.理论分析和实验结果证明该算法能节省大量计算时间.     

单片机在选择性漏电保护装置中的应用

以中性点不接地供电系统漏电保护作为研究对象,阐述了选择性漏电保护的概念及其重要意义;指出零序方向型选择性漏电保护的理论依据,即故障支路和非故障支路零序电流的大小和方向均不同;给出用单片机实现零序方向型选择性漏电保护的方法.     

结合离散正余弦变换的快速梯度矢量流算法

为了提高求解梯度矢量流(GVF)的效率和准确度,在狄利克雷或诺依曼边界条件下提出了非精确拉格朗日离散正弦梯度矢量流(IALM-DST-GVF)和非精确拉格朗日离散余弦梯度矢量流(IALM-DCT-GVF)快速算法.两种算法在非精确增广拉格朗日优化算法基础上,结合了离散正弦和余弦变换.其算法时间复杂度均为O(CNlgN)(其中C为迭代次数,N为图像像素数量).在相同的环境下采用C++语言编码验证,结果表明:提出的算法比当前主流GVF算法效率更高,并且边界上的GVF域比IALM-GVF算法准确.     

负反馈放大器Avmf完全解析式推导

用电路分析方法,不再使用反馈系数,导出4种负反馈放大器闭环电压放大倍数Avmf 的解析关系式.新关系式中4种电路基本放大倍数的定义相同,容易计算,不再需要考虑反馈网络的负载作用,而做单向化变换,并能直观描述各电路元件参数对闭环增益Avmf的影响.利用新关系式可导出更便于直接应用的Avmf的近似公式.     

正脉冲电压下水中流注放电特性的研究

采用介质涂覆的球-板电极结构,研究了不同电导率、气压和脉冲电压幅值条件下水中流注放电的特性.结果表明,水的电导率和脉冲电压幅值对水中流注速度、图像亮度等有较大影响.不同电导率条件下,气压由0.1 Mpa降至0.006 5 Mpa对水中超音速流注发展平均速度并无明显影响.在低气压时,纯净水中间隙为10%击穿电压(U10)降低,约为一个大气压条件下的80%,而在高电导率的水中,U10几乎不受气压影响.由放电图像和放电电流波形分析可知,在低电导率的水中,流注发展是不连续的分步发展,在每一步的发展中形成一个或多个微小的气泡.     

永磁同步电机直接转矩控制电压矢量选择区域

为了解决直接转矩控制系统开关表引起的转矩脉动问题,分析了电压矢量对永磁同步电机直接转矩控制系统的定子磁链幅值、转矩角、励磁转矩、磁阻转矩和电机转矩的作用,用简单的数学表达式给出了这些变量的控制规律,得出了永磁同步电机直接转矩控制系统的电压矢量选择区域。研究结果表明：电压矢量与定子磁链的夹角决定了电压矢量对定子磁链幅值和转矩角的增减作用;电压矢量与定子磁链的夹角和转矩角决定了电压矢量对励磁转矩和磁阻转矩的增减作用;电压矢量与定子磁链的夹角、转矩角和永磁同步电机直接转矩控制系统参数决定了电压矢量对转矩的增减作用。     

交流正弦电路的功率定义及功率补偿

从分析交流正弦电路的瞬时功率出发,提出新的功率成分定义,各种功率成分都有明显的物理意义,该定义可扩展到非正弦交流电路,对电力有源滤波器的设计具有指导意义。     

双电压（20-10kV）干式变压器的应用与发展

随着电力系统电网电力等级的不断提升,双电压干式变压器的出现,极大满足了这种状况,一方面变压器能实现向10kV和20kV两个电压等级的变换,另一方面实现了变压器的经济运行。本文首先研究了双电压干式变压器,对其应用与发展方面进行系统性的阐述。     

脉冲叠加直流激励辉光放电特性

辉光放电产生的低温等离子体具有广泛的应用前景,日益成为研究热点。本文提出了一种采用脉冲叠加直流的方式来激励辉光放电的实验装置。选取氩气作为反应气体,本实验在低气压下进行,利用参数可调的高频脉冲电源和直流电源进行激励。研究了不同激励方式下击穿电压和电流的变化规律。实验发现：直流辉光放电击穿电压最低,约为380 V,但是在放电过程中放电管发热比较严重;脉冲辉光放电所需击穿电压为450～600 V,但其存在反复击穿;而脉冲叠加直流激励辉光放电则降低了脉冲击穿电压,最低约为400 V,且改善了放电管发热严重的问题。