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181.
介绍了一种全数字式可控硅触发电路。通过给出的基本原理结构图,论述了工作原理,证实其具有构成简单,集成度高,性能稳定,控制触发准确,并且调整容易等优点。优于模拟的可控硅触发电路。  相似文献   
182.
低气压条件下绝缘子污闪特性的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
污秽绝缘子的闪络电压U和大气压力户之间的关系为U=U。(P/p0)n,U0是该污秽绝缘子在标准大气压户。下的闪络电压。作者用固体污层人工污秽试验方法研究了不同形状绝缘子在不同污秽度下以及在不同大气压力下的污闪电压,并研究了在交流和直流电压分别作用下的污闪电压差别。试验结果表明,上述公式中的指数n在交流电压下的数值大于直流电压。对于形状简单的绝缘子n值不受污秽程度影响,对于形状复杂的绝缘子n值受污秽程度的影响。n值变化的原因在于绝缘子伞裙间的电弧桥络现象。  相似文献   
183.
本文主要阐述了利用BASIC语言对已有实数范围的DC分析程序向复数范围的AC分析程序过渡中,受控电源及互感元件的作用规律.  相似文献   
184.
本文介绍用布罗登法计算触发脉冲的角度和位置,消除逆变器输出电压高次谐波,使电压接近正弦波。文中详细论述了计算过程,并给出软件程序框图。  相似文献   
185.
本文建立了正弦级数(S_T)的例子,系数α_n→0,{α_n}∈(?)∩(?),但{α_n}(?),以及指出存在(S_T),α_n→0,{α_n}∈(?),‖S_n-g‖_1→0,但α_nIogn不趋于零。  相似文献   
186.
显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响   总被引:8,自引:1,他引:8  
研究了CuCr真空触头合金的显微组织对其耐电压强度的影响,研究结果表明,电击穿总是首先发生在耐电压强度低的合金相上,对Cu50Cr50合金,首击穿相为Cr相,而对CuCr50Sel合金,首击穿相为Cu2Se相.由于电压老炼的结果,首击穿相的耐电压强度上升而导致其他合金相被击穿,老炼的结果使原始粗大的合金相消失,在表层形成成分均匀的极细小显微组织,还从物理冶金学出发讨论了电压老炼的作用,认为电压老炼的过程实质上是一个在表层形成极细小显微组织和成分均匀化的高速相变过程.  相似文献   
187.
本文从物理概念出发,推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式,并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及pn结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。  相似文献   
188.
本文提出利用微机技术构造一种在线实时监视和测量电网、电源客观存在的谐波电压和浪涌电压的智能测试仪。详细地介绍了测量电路、微机硬件和软件系统的实现方案。  相似文献   
189.
本文论述了电流逆变器换流电容和感应电动机漏感抗之间的能量转换产生的尖峰电压叠加在基本电压之上,引起换流电容、半导体元件、电动机绝缘承受很高的电压,为减小尖峰电压,电动机应有小的漏电抗。电流型逆变器供电的电动机的设计不仅是最优漏抗问题,它的设计和普通电动机不同,应使整个拖动系统成本最低,其特性适合特殊要求。  相似文献   
190.
本文分析了电容器电压跃变时伴随的冲激电流的能量转换,并以脉冲补偿分压器为例进行了讨论,指出,在计算有电容电压跃变的能量损耗时,除计及集中参数的电阻元件的损耗而外,冲激电流在分布电阻及电磁辐射上的能耗不可忽略。  相似文献   
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