方形网箱波浪水动力学的近似计算

依据正弦波理论和莫里森(Morison)方法，对方形网箱受到的水平波浪力进行了分析，给出了迭加计算方法。并把计算结果与水槽试验进行对比分析，结果显示计算数值与试验数据较接近，表明了此方法的可行性，为今后的网箱模型试验、设计、敷设和优化提供了一定的依据。     

频率分辨率改进型数控振荡器的设计

设计了一个应用于四频带全球移动通信系统(GSM)收发机的频率分辨率改进型数控振荡器.提出了一种新型串联开关变容管模型并进行理论分析,将其应用在振荡器的精确调谐电容阵列中,验证了其对频率分辨率增强的性能.设计采用90 nm互补金属氧化物半导体工艺,当谐振在3.1 GHz时,数字加抖前的频率分辨率达到1.6 kHz,距中心频率20 MHz处的相位噪声为-152 dBc/Hz,功耗8.16 mW.仿真表明,该频率分辨率改进型数控振荡器满足四频带GSM收发机的要求,适于应用在全数字锁相环中.     

电感电容结构压控振荡器的设计与实现

基于联华电子公司40 nm标准CMOS工艺全定制设计两个具有相同形状、宽度和间距,但长度不相等的U型电感.所设计的两个电感在VCO中构成两个LC谐振器.除了在谐振器中采用不同的电感外,两个VCO具有相同的元件尺寸、偏压电流、电源和布局方式.仿真与测试结果表明,实现的LC-VCO电路具有良好的功耗和相位噪声特性.通过对两个VCO电路振荡频率的比较,可获得全定制电感的实测值与仿真值之间相差大约10%.该结果可为相同工艺设计电感和振荡器提供指导.     

软件无线电中的数字下变频技术研究

论述了数字下变频器的结构,探讨了采用查表方法实现数字控制振荡器,利用线性内插方法结合级联积分梳妆滤波器实现分数比抽取滤波,从而达到降低数字下变频器复杂性的目的,使得数字下变频处理可以在通用数字信号处理芯片中用软件实现.利用该算法提高了数字下变频器的处理速率,实现了数字载波控制和抽取滤波可编程.     

二次注入锁定低相噪光电振荡器及其稳定性控制电路的研制

首次提出采用二次注入锁定的方案来实现低相噪光电振荡器的设计,通过注入锁定长光纤环光电振荡器来实现单模、低相噪的振荡信号,并以之为二次注入源,注入锁定另一长光纤环光电振荡器,通过该方案进一步提高注入源稳定性,最终实现超低相噪的振荡信号.实验表明,通过一次注入锁定,X波段光电振荡器的相位噪声在10 kHz频偏由-121 dBc/Hz降低到-135 dBc/Hz,二次注入后下降到-146 dBc/Hz,目前国内无如此高指标报道,接近美国海军实验室报道指标.为推进光电振荡器走向实用阶段,基于锁相原理设计了一种新型的稳定性控制电路并进行了相关实验,验证了该电路的有效性.     

一种频率与温度无关的片内RC振荡器设计

文章基于SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺，设计了一种频率与温度无关的片内电流模RC振荡器，该振荡器采用1.8 V电源供电，输出频率为100 MHz,振荡器主要由温度补偿电流源、开关电容充放电回路、反相器比较延时单元以及时钟输出单元组成。通过Cadence Spectre仿真验证表明：在-40～125℃范围内，TT工艺角条件下，振荡器的输出频率范围为100.06～100.16 MHz,频率随温度变化为0.10%,用温度系数表示为6.06×10^-6℃^-1;SS工艺角条件下，振荡器的输出频率范围为99.90～100.23 MHz,频率随温度变化为0.33%,用温度系数表示为20.00×10^-6℃^-1;FF工艺角条件下，振荡器的输出频率范围为99.96～100.07 MHz,频率随温度变化为0.11%,用温度系数表示为6.67×10^-6℃^-1。     

面向光通信应用的CMOS28Gbps低功耗高抖动容限CDR电路设计

为了解决光模块中高功耗芯片恶化激光调制器性能,以及解决收发端时钟基准偏差导致误码率高的问题,设计了一款低功耗高抖动容限的时钟数据恢复电路（CDR）。通过采用压控振荡器（VCO）型全速时钟的CDR系统架构和电感峰化的时钟缓冲技术,降低了CDR芯片的功耗;通过在CDR积分通路中引入零点补偿电阻,提高了CDR的抖动容限。该CDR采用CMOS 65 nm工艺设计和1.1 V电源供电,后端仿真结果表明：当CDR电路工作在28 Gbps时,功耗是2.18 pJ/bit,能容忍的固定频差是5 000 ppm,恢复时钟的抖动峰峰值是5.6 ps,抖动容限达到了设计指标,且满足CIE-25/28G协议规范。     

一种使用H桥和多谐振荡器的无线充电器设计

针对有线充电繁琐的人工操作和线材杂乱的弊端,设计一种无线充电器方案.此设计使用H桥逆变器和基于NE555的多谐振荡器,利用开关电源模块对交流电进行降压和整流,再将直流电逆变为交流电并通过线圈将电能发射,接收端将接收到的交流电能整流滤波后稳压供应给用电器.与大多数一对一无线充电方案相比,本设计可以在一较大范围内对多个移动设备同时供电.该套系统经测试可稳定工作,并可同时给手机、键盘和鼠标三件无线设备供电,达到设计要求.     

一种基于变容管偏置的温度补偿LC振荡器

文章介绍一种用于在宽温度范围内产生稳定时钟信号的温度补偿振荡器。该振荡器基于温度对控制电压的影响改变偏置变容管的容值，补偿因温度变化引起的振荡器频率变化，使整个振荡器的温度系数(temperature coefficient, TC)为0。另外，在通过分频产生几十兆赫兹频率的同时，振荡器的相位噪声性能得到进一步优化。该文在SMIC 180 nm CMOS工艺下完成整体电路的设计与仿真。后仿真结果显示，在1.8 V电源下整体功耗为7.12 mW,中心振荡频率2.400 2 GHz处的频率漂移可达到8.68×10^-6℃^-1,经过分频后得到的30 MHz信号在10 kHz偏移下的相位噪声大小为-112.923 dBc/Hz。     

基于斯格明子的自旋转移矩纳米振荡器的微磁学模拟

最近,人们发现了一种性能优良的新型磁性结构——斯格明子,为了解决传统微波发生器件能耗高、频谱窄等一系列问题,人们提出设计一种基于磁性斯格明子的自旋纳米振荡器。该器件的研发还处于理论设计阶段,因此有必要对斯格明子在器件中的产生及振荡机制进行研究。本文采用微磁学模拟方法,探究了极化电流密度以及DMI(Dzyaloshinkii-Moriya interaction)对斯格明子成核的影响规律。着重模拟了单个斯格明子在纳米圆盘中的振荡行为,并总结了电流密度以及DMI对斯格明子进动频率以及进动半径的影响。最后,探索了斯格明子个数对振荡器输出频率的影响,以期对该器件的研发提供理论预测和指导。