高碱度烧结矿烧结参数优化的正交试验研究

应用正交试验的方法，对碱度为2．00，2．20倍高碱度烧结矿的烧结工艺参数进行试验研究，以寻求与高碱度烧结矿生产相适应的烧结工艺参数。试验结果表明，碱度R=2．00倍时，适宜的烧结工艺参数为配煤量5.0％，混合料水分6.8％～7．0％，抽风负压12．74kPa，点火温度1100℃；碱度R=2．20倍时，适宜的烧结工艺参数为配煤量5．5％，混合料水分7．0％～7．4％，抽风负压12．74kPa，点火温度1150℃。     

降凝剂对蜡晶晶格参数的影响

实验考察了丙烯酸二十二酯降凝剂对原油中蜡相变过程的蜡晶晶格参数的影响.分离出的蜡结晶为正交晶型的晶体,晶面距为0.4156 nm,结晶度为70.5%,表现为长程有序;原油组分中胶质和沥青质的存在增大了蜡晶转化成斜方晶型的趋势,使蜡晶的晶面距增大,蜡晶表现为短程有序,这种转化依赖于原油组分的性质和含量;降凝剂降低蜡晶体的有序度,晶面距增大到0.4190 nm,57%的蜡转化为斜方晶型,降低了蜡晶之间的相互作用力,导致原油凝点和粘度降低.     

补阳还五口服液工艺研究

研究补阳还五口服液制备工艺条件.采用煎煮法提取口服液中的多糖成分和黄芪甲苷,分光光度法测定多糖成分,薄层扫描法测定黄芪甲苷.采用正交设计,得到最佳工艺:煎煮2次,每次0.5 h,浓缩比1∶3,70%醇沉,琼脂作稳定剂.     

强化冷却下正交切削Ti6Al4V合金的有限元分析

为正确分析切削介质的强化冷却对金属切削过程的影响，应用通用商业有限元软件Deform-2D，对航空用钛合金Ti6Al4V进行了强化冷却条件下的正交切削有限元模拟．通过几何建模、网格划分、边界条件的设定以及材料本构模型的选取等，模拟了Ti6Al4V合金锯齿状切屑的形成过程；文中还分析和探讨了不同强化冷却条件下的切屑形成、切削力以及切削温度的变化．结果表明：随着换热系数的增大，刀具前刀面的平均温度逐渐减小，而换热系数的高低对切削力及前刀面最高切削温度的变化无显著影响．     

常温直流对靶溅射制备高TCR氧化钒薄膜

常温下用直流对靶磁控溅射的方法在玻璃基片上制备出了高电阻温度系数（TCR）氧化钒薄膜．通过设计正交试验，系统分析了Ar和O2的标准体积比、溅射功率、工作压强和热处理时间对氧化钒薄膜TCR的影响．对最佳工艺条件下制得的薄膜进行电阻温度特性测试，TCR达到-3．3％／K，室温方块电阻为28．5kΩ，个别样品的TCR达到-40%／K以上．扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）的形貌分析显示，这种制备方法结合适当的退火可以制备出氧化钒多晶薄膜，晶粒尺寸在纳米数量级．X射线光电子能谱（XPS）分析发现，高TCR薄膜样品中钒的总体价态接近＋4价．所有结果表明，制得的氧化钒薄膜电性能满足红外探测器的要求，且该工艺能与CMOS工艺兼容．     

磷钨酸催化合成水杨酸正丁酯的研究

以环境友好试剂磷钨酸为催化剂对其催化合成水杨酸正丁酯的反应进行了研究,利用正交实验法得出了该反应的最优化条件,即醇酸摩尔比为2:1,催化剂用量为酸质量的7%;反应时间为4h,酯产率可达80.5%。实验表明该催化剂催化活性高,选择性好,对设备无腐蚀,是一种环境友好的催化剂。     

一类矩阵反问题的最小二乘解

讨论了反对称正交对称矩阵反问题的最小二乘解,给出了最小二乘解的一般表达式.作为最小二乘问题的特殊情况-矩阵反问题,得到了有解的充分必要条件,在解存在时给出了解的一般形式.     

一种基于导频的OFDM系统信道估计方法

提出一种使用矩形导频图案的OFDM信道估计方法。接收端首先在频率方向估计信道,然后在时间方向插值。该方法仅需累加和少量乘法运算就能估计出信道冲激响应,复杂度低,实时性高。在未编码16QAM-OFDM系统中,通过仿真将提出的方法与线性、cubic和MMSE插值法进行均方误差和误比特率的比较。结果表明该方法性能优于前两者,接近后者。     

超声吹脱处理氨氮废水工艺条件的试验研究

通过对高浓度氨氮废水的超声吹脱正交试验,确定了试验的最佳工艺条件:pH为11,吹脱时间为90 min,吹脱温度为40℃,超声波功率为80 W.在此最佳吹脱条件下,氨氮的去除率可以达到99%以上,吹脱后废水中的氨氮浓度小于100 mg/L.     

黑藻多糖的提取、纯化与组成研究

通过正交实验研究黑藻中多糖的提取方法,并对其纯化鉴定.用热水提取黑藻多糖,经乙醇沉淀,活性碳脱色,Sevage法去蛋白,DEAE-Cellulose离子交换和Sephadex G-25柱层析纯化,电泳鉴定纯度和纸层析分析其组成.最佳提取条件为80℃,20倍体积的水,提取3 h,所得多糖电泳为单一组分,层析证明由D-葡萄糖和D-半乳糖构成.