快速电合成法制备多功能复合高铁(铝)酸盐水处理剂

采用两阴极夹-阳极且阳极室较窄的电解池，以铁丝网为阳极、浓氢氧化钠(或含铝)溶液为阳极液、全氟离子膜为隔膜，可快速电合成高浓度的高铁酸钠(0．30—0．48mol/L)复合水处理剂溶液，该溶液也可用于制备高铁酸钾。最佳条件：温度308K，氢氯化钠浓度16mol/L，表观电流密度300A／m^2,阳极室厚度20mm，时间4-6h。实验表明：铝酸盐的存在对高铁酸盐的电合成有较大的抑制作用；由碘化钾、硅酸钠和氯化铜组成的复合添加剂对高铁酸盐的稳定效果明显好于其它几种稳定剂。     

在eγ对撞机上探测中性的Toppion介子

本在顶色辅助的人工色(TC2)理论框架下，研究了中性toppion的产生过程e^-γ→e^-∏第t^0．结果表明这一过程的散射截面可达到几十个fb，并且在未来e^ e^-线性对撞机上中性的toppion介子的年事例数多于10^3个．因此，这一产生中性toppion的过程为我们探测toppion介子和检验了TC2模型提供了良机．另一方面，e^-γ→e^-∏t^0过程的散射截面比标准模型(SM)和最小超对称模型(MSSM)下的类似过程大一个量级(例如SM下的e^-γ→e^-H和MSSM下的e^-γ→e^-H^0(A^0,h^0)过程)．因而，我们很容易把中性的toppion介子同SM和MSSM下产生的Higgs玻色子区分开来．     

电火花加工机理与误差分析

电火花加工工艺虽已得到广泛采用,但对其微观放电过程的认识至今仍众说不一 作者通过分析和对比,认为将材料腐蚀的空间特性与脉冲放电的时间特性统一起来的分析方法,更能充分解释电火花加工过程中出现的各种现象和放电通道的形态及性质,也便于分析放电加工过程中出现的误差,以提高电火花加工精度     

电流变液研究最新进展

介绍了电流变液的研究现状及发展动向；电流变液研究中存在的一些问题；研究电流变液的有关模型．     

脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究

铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10~(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。     

嵌埋于极化BaTiO3薄膜内的Ag纳米微粒对基体中二次谐波产生的增强作用

近年来,铁电薄膜的光学性质引起了许多研究者的注意.除较为常用的电光效应外,人们还发现了极化后的BaTiO_3薄膜在激光辐射下产生很强的二次谐波,表明这类材料在非线性光学领域有很好的应用前景.最近,我们利用sol-gel过程制备具有嵌埋结构的铁电薄膜——金属纳米微粒体系,发现这类新型材料具有很特殊的光吸收性质.本文对这类材料的二次非线性光学性质进行了研究,发现金属纳米微粒对铁电薄膜中二次谐波的产生有明显的增强作用.实验所用的样品为淀积在石英玻璃基片上的、嵌埋Ag纳米微粒的BaTiO_3薄膜,用sol-gel法制备,具体过程见文献[2].石英基片的厚度为lmm,面积约为1.5cm~2,利用局部腐蚀法和台阶测厚仪测得薄膜厚度在1.6～2.0μm之间.样品的极化过程在两块极     

六角密堆积结构的有效介电常数

本文导出一般形式的Rayleigh方程和混杂介质的有效介电常数公式，计算了介电粒子构成的六角密堆积结构的有效介电常经，从理论上讲．笔者的计算可准确到任意高阶矩，因而结果是精确的。     

一个提高R-L-C电压分布实验准确性的可行方法——镇流器损耗的等效电阻法

在Ｒ Ｌ Ｃ电压分布实验中，以镇流器作为电感元件是一个很方便的办法。但这种做法的缺点是准确度很差。对此，本文提出一个改进的可行方法。即将镇流器的功率损耗看成一个电阻的损耗     

电刺激束缚小鼠应激诱发胃溃疡及其机制的初步探讨

用电刺激躯体束缚的口唇部建立应生胃溃疡模型，以阿尔新兰－ＭｇＣｌ２洗脱法测定胃壁粘液量，研究安定、苯巴比妥钠、可的松、酚妥拉明、异丙上腺素、阿托品和乙醇对溃疡发生的影响，结果表明，安定、苯巴比妥负伤 异丙肾上腺素显著抑制溃疡发生；阿托品和乙醉可明显使溃疡加剧；酚托拉明和可的松对溃疡没有影响，模型动物胃壁粘液量与对照组比较以及所有药物对模型动物胃壁粘液量却没有明显变化，提示，电刺激束缚应激胃溃疡的发     

c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质

Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.