弹簧支承减速器提升机的振动特性及影响它的因素

本文对JKM(Ⅰ)型多绳提升机的几个机型的振动特性及其影响因素进行了理论分析和实验研究,指出了该类型机器在生产运行中出现强烈振动的原因,提出了改进措施。对某矿主井提升机进行了具体分析,找到了症结所在,所得结论可用于对现场使用的JKM(Ⅰ)型提升机的消振。     

水压频率的递归网络灵敏度预测控制研究

提出一种对水轮发电机组水压频率进行综合调节的记忆递归网络灵敏度预测控制器。控制器由预测网络的控制网络组成，预测网络向控制网络提供控制灵敏度信号。两个网络均根据学习和控制的收敛与稳定性定理自适应学习，仿真结果表明控制器能在线实时控制具有非线性，时变，多变量特性的水轮发电机组。有效控制水压。     

短波接收机抗干扰问题

当前,短波通信日益拥挤,在环抱地球的信道空间存在着密集而强大的干扰.特别是进入电子对抗以来,通信机构有了明显的变化,较显著的是这些方面:自动化、自适应、由恒参量转入变参量、由单工转入双工、由单频段转入双频段、由单一调制转入多种调制、实现信息保密、载频捷变或抑制载频、倾向于数码化.而平行双信道的出现就结束了发不管收、收不管发的局面. 在晶体滤波器工作频率不断提高,热载流子二极管问世以后,以灵敏度、选择性、稳定性(通常谓之三S特性)为主要设计目标的老式超外差接收机在设计和制造方面已告解决。随着频率合成技术和参量…     

拍现象的数值模拟分析

应用Mathematica数学软件,分析了两个同方向不同频率的谐振动的频率差、振幅比、相位差对拍现象的影响,并找出产生明显拍现象的条件.     

用双混频时差系统测量二级方差的计算表达式

推导并给出用双混频时差系统测量二级方差的计算表达式，讨论了二级方差的特点     

ESR条件下的微波辐射对小麦种子萌发过程的影响

本文把2个小麦品种(法国和中国春小麦)经浸泡17h已开始萌动的种子暴露于具有特定共振条件的电子自旋共振(ESR)场72h,实验选用的高频电磁场频率分别为v_1=147.9MHz,v_2=53.6MHz,v_3=84.4MHz。实验结果显示,频率为147.9MHz和84.4MHz的ESR高频场对萌发种子胚芽的生长有抑制效应,其抑制峰分别在H_0=2.15A,2.25A处和H_1=3.5V处;而频率为53.6MHz的ESR场对种子胚芽生长则有促进作用,其促进峰在H_1=4.0V。这种依共振条件为转移的ESR生物学效应是一种非热致效应。本工作证实了ESR场对萌发胚芽生长有调控作用。这就从实验方面支持和丰富了Frohlich提出的关于非热致生物学效应机制的理论。     

岩石复电阻的频率特性及其应用前景

运用岩石物理实验方法，在模拟地层温度和压力的条件下，在１００Ｈｚ～１５ＭＨｚ的测量频段上研究了岩石样品的复电阻特性，从电流的角度探讨了频散的机理。结合极化理论，指出了界面极化机理在岩石频散现象中起着极重要的作用，并求出了每一被测岩样的界面极化驰豫频率和频宽，得到了用实验手段求岩样特征频率的新方法，由此可能发展为一种电测井新方法。     

不同频率有氧运动对糖尿病病人Resistin分泌的影响

研究不同频率有氧运动对糖尿病病人Resistin分泌的影响;实验将2015年8月至2015年9月某医院收治的60例糖尿病病人作为研究对象,随机将其划分成对照组、低频率有氧运动组和中等频率有氧运动组,对照组患者只进行常规护理、血糖监控和降糖治疗,低频率有氧运动组患者在对照组的基础上散步、慢走,对中等频率有氧运动组患者在对照组的基础上快走和慢跑。实验后低频率有氧运动组糖化血红蛋白显著低于对照组(P0.05),中等频率有氧运动组糖化血红蛋白低于对照组,差异具有非常显著性(P0.01);实验后中等频率有氧运动组空腹血糖低于对照组,差异具有非常显著性(P0.01)。实验后低频率有氧运动组TC、TG、LDL含量显著低于对照组(P0.05);实验后中等强度有氧运动组TC、TG、LDL含量明显低于对照组,差异具有非常显著性(P0.01),HDL含量显著高于对照组(P0.05)。实验后低频率有氧运动组胰岛素含量显著高于对照组(P0.05);实验后中等强度有氧运动组胰岛素含量明显高于对照组,差异具有非常显著性(P0.01),Resistin含量显著低于对照组(P0.05)。说明有氧运动能够降低血清Resistin含量,有助于糖尿病病人的康复。     

高阻硅衬底MOS结构共面波导的偏压特性

提出一种新型高阻硅(电阻率ρ>8kΩ.cm)衬底MOS(metal-oxide-semiconductor)结构的凸起式共面波导。给出了其在50MHz～40GHz频段的插入损耗和回波损耗测试结果,以及在-40V～+40V直流偏压下散射参数的变化。结果表明,随着偏压的变化,回波损耗在Ka波段极值点的频率和幅值均会产生偏移,插入损耗极值点的频率基本没有偏移,只存在幅值偏移。共面波导的损耗偏移与MOS结构的Si-SiO2界面效应有关,在凸起式共面波导损耗的偏压实验中,观察到与传统MOS结构共面波导相反的曲线,并尝试给出了理论解释。该文设计的共面波导在35GHz下实现了小于-0.010dB/mm的损耗,优于Ka频段硅衬底共面波导已报道的结果。