系统复杂性研究的新起点与新挑战——全国“复杂性与系统科学哲学研究会”成立大会暨学术研讨会综述

复杂性研究是近几年国内外科学和哲学研究的一个前沿和热点，甚至被认为是21世纪的科学。复杂性研究显现出强烈的跨学科性，在处理与解决实际的复杂系统问题的过程中力图超越还原论，建立复杂性的思维范式和科学模式。然而，目前，无论是对于复杂性的概念界定，还是复杂性的研究方法及其应用等问题都存在着许多争议，仍未形……     

通风机房峒室系统设计的合理性与性能测试的规范性

通风机性能现场测试的可能性、规范性和准确性很大程度上取决于通风机房与峒室系统设计的的合理性。本文结合通风机性能现场测试规范性提出了设计与改进通风机房与峒室系统的建议。图５，参３。     

复杂结构簇合物的新稠合规则

提出了计算复杂结构族合物价电子数 (NVE)的公式 ,并提出了应用该公式的几条规则 .同时 ,把公式与著名的Mingos稠合规则进行了简单的比较     

硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构间的关系

本首次用图论方法探讨了硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构之间的关系，提出一结构基础明确的、普遍适用于硅烷、锗烷和锡烷的定量关系。计算结果表明，沸点预测值都接近实验值。应用本定量关系，不仅能够预测硅烷、锗烷和锡烷的沸点，而且有助于揭示物质结构性能关系之间的奥秘。     

一类平面三次系统的极限环

本文给出原点为细焦点的三次系统｛ｘ＝－ｙ＋ａｘ＾３＋βｘ＾２ｙ＋λｘｙ＾２ ｙ＝ｘ＋ρｘ＾３＋αｘ＾２ｙ＋βｘｙ＾２＋λｙ＾３ （１）当ρ〉０时存在或不存在极限环的条件。     

面向鲁棒控制的l1中心估计算法及其误差界

分析了具有ｌ１误差的线性时不变系统的最不利情况的辨识问题，对系统假设的先验信息是未知系统的脉冲响应函数控制稳定，并且假设实验数据具有有界噪声干扰的一般输入响应样本，提出了中心估计算法，分析了其最不利情况的误差界限，所给算法和辨识结果是面向鲁棒控制的。     

硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。