首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   962篇
  免费   18篇
  国内免费   63篇
系统科学   5篇
丛书文集   78篇
教育与普及   60篇
理论与方法论   3篇
现状及发展   8篇
综合类   889篇
  2024年   3篇
  2023年   10篇
  2022年   11篇
  2021年   11篇
  2020年   7篇
  2019年   10篇
  2018年   9篇
  2017年   2篇
  2016年   9篇
  2015年   9篇
  2014年   31篇
  2013年   24篇
  2012年   22篇
  2011年   35篇
  2010年   44篇
  2009年   32篇
  2008年   52篇
  2007年   41篇
  2006年   34篇
  2005年   46篇
  2004年   31篇
  2003年   37篇
  2002年   38篇
  2001年   62篇
  2000年   37篇
  1999年   37篇
  1998年   34篇
  1997年   44篇
  1996年   40篇
  1995年   35篇
  1994年   45篇
  1993年   28篇
  1992年   27篇
  1991年   32篇
  1990年   32篇
  1989年   21篇
  1988年   8篇
  1987年   10篇
  1986年   3篇
排序方式: 共有1043条查询结果,搜索用时 625 毫秒
41.
本文讨论了棋盘、棋盘车多项式、棋盘修正车多项式、棋盘车向量与图色向量的联系,由此得出一些图的色多项式。  相似文献   
42.
阐述了利用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究表面晶格振动的原理和方法,结合2种不同类型的半导体GaAs(110)和Si(111)表面声子谱的实验观察,讨论了表面声子谱的特征。确定了GaAs(110)剖理面在液氦温度下及Si(111)剖理面在室温下的表面声子能量分别为35.6和56meV,其1次增值峰对损失峰的相对强度分别为0.002和0.1。  相似文献   
43.
对向靶反应溅射法制备的FeN化合物薄膜的结构和磁性对基板偏压的变化很敏感,不同的偏压数值作用的效果不同。我们用基板偏压促进成膜原子间的相互扩散,以及对负离子排斥降低膜中N的浓度和粒子轰击对膜再溅射的观点解释了FeN膜的结构和磁性的变化。  相似文献   
44.
采用平均键能理论结合形变势方法对由AISb,GaSb和InSb所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定,并分析了阳离子浅d轨道对价带偏移值的影响.结果表明,它们的价带偏移值具有显著的应变效应,此一显著的应变效应来源于应变的单轴分量及其与自旋-轨道分裂能量的耦合.这一效应导致了AISb-lnSb和GaSb-InSb系统中最高价带排列的Ⅰ-Ⅱ型超晶格的转变.  相似文献   
45.
沂沭断裂带表现为东西分带、南北分段的棋盘格式构造地貌格局.这种构造地貌格局是由于受到北北东一南南西向挤压作用,断裂带两端受到近南一北向挤压作用而形成的;其形成及发展经历了四个主要阶段.  相似文献   
46.
利用黄昆公式和晶格场动力学参数与静晶场参数的关系估算了硼酸铝钕(NAB)激光晶体中钕离子的 S 因子。进一步讨论了 Auzel 关于自激活激光晶体浓度猝灭效应准则的深层含意.  相似文献   
47.
用真空双源蒸镀法成功地制备了金属Fe/Cu磁性超晶格,对Fe/Cu超品格的结构和磁性进行了研究.在Fe/Cu超晶格中,Fe、Cu通过形变来实现共格匹配,其晶体结构与Fe、Cu层的厚度比有关.在Fe层较薄时出现fcc结构的Fe层,fcc Fe呈铁磁性但其磁性比bcc Fe弱.在Cu层厚度小于20时,近邻Fe层之间发生交换耦合,这种交换耦合解释为R、K、K、Y相互作用.  相似文献   
48.
对含单个杂质的双原子链的晶格振动模型的振动方程进行求解,得到了晶格振动频率和局域模频率的解析解,给出了该模型中杂质对双原子链的光学振动频率和声学振动频率的影响,并对局域模进行简要讨论。  相似文献   
49.
本文阐明了在超晶格中电子透射共振的机理,并将它与晶格中电子共振散射作了详细的比较,其理论计算的结果对超晶格某些原子层和分子层以及极薄的半导体层结构的研究都有重要意义,并为设计一种新型的放大率很高的量子放大器——透射共振量子放大器提供了理论计算的依据.  相似文献   
50.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号