一类累积量域自适应滤波算法

讨论和研究了累积量域自适应滤波原理及代价函数，给出了一个新的代价函数J3(n)及基于J3(n)的CSWLMS算法。CSWLMS算法的性能优于基于代价函数J1（n) 的CLMS算法和基于代价函数J2（n)的CRLS算法。另外，还对CLMS算法和CRLS算法进行了改进。对上述算法进行了计算机模拟仿真比较，仿真结果表明改进的算法及给出的CSWLMS算法收敛性能良好。     

圆断面倾斜管道内平面水跃消能系数分析

在定义水跃消能系数的基础上，推导计算圆断面倾斜管道内平面水跃消能系数的公式，并分析了它的基本变化规律。     

在中子诱导的核反应中5He发射的可能性

目前在广泛应用的核反应统计理论模型计算程序中从来没有考虑到非稳定核⁵He的发射, 这些程序是用来解释实验数据和评价核数据的有用工具. 然而, 对从轻核到重核所计算的⁵He发射阈能结果可以看出, 在大多数情况下, 入射中子形成的复合核发射⁵He比发射³He要容易. 由于⁵He是非稳定核, 它自发分裂为一个中子和一个α粒子, 因此, 在⁵He的发射过程中总是伴随中子的产生. 建立了⁵He发射后两体崩裂过程中产生的中子和α粒子的双微分截面计算公式表示. 因为⁵He发射存在比较强的核反冲效应, 为满足核工程需要, 核反应能量平衡被严格考虑. 提出了对于统计理论模型计算程序在该方面的改进建议. 另外, 期待同时测量5He发射中产生的中子和α粒子的关联测量实验的实现, 以证实⁵He发射机制的存在.     

关于吉布斯自由能判据及其应用的思考

在物理化学及相关教材中得出的吉布斯自由能判据是(△G)T,P,W=0≤0及(△G)T,P≤-W',它们分别是恒温恒压下不做非膨胀功和做非膨胀功两种情况下变化过程方向的判据.在此提出吉布斯自由能一般判据是(△G)T,P≤0,该式不受过程是否存在非体积功的限制,仅凭△G值的正负即可判断过程的方向(自发与否),只有使用该式才能判断那些伴有非膨胀功过程的方向.     

Nd-Fe-B-Sn合金的显微组织及其对磁性能的影响

 用粉末冶金烧结法制备了Nd-Fe-B,Nd-Fe-B-Sn和Nd-Dy-Fe-B-Sn永磁合金,用SEM和TEM分析了合金的显微形貌及相结构,并用永磁参量测量仪和振动样品磁强计(VSM)测量了合金的磁性能.研究表明,添加在合金中的Sn元素主要分布在富钕相中,且改善了富钕相与基体相(Nd2Fe14B)的润湿性.合金的相组成仍然是Nd2Fe14B相(Φ相)、富钕相、富硼相(η相),添加锡没有导致合金中析出新相.但是,添加锡使Nd-Fe-B系合金的室温磁性受到损害,然而却使合金在较高温时的矫顽力温度系数和开路磁通不可逆损失明显减小.锡元素对合金显微组织的改善,可能是合金高温磁性能改善的根本原因.     

Ni膜与Ti基体之间的界面结合能研究

报道了用断裂力学的三点弯曲实验测试Ni膜与Ti基体之间的膜基界面结合能G,并与剥离实验结果以及Miedema模型计算结果进行了对比.结果表明:断裂力学方法测得的界面结合能G随基体的表面粗糙度R a 值的增大而增大,而与薄膜厚度无关;断裂力学方法测得的本征界面结合能与Miedema模型计算结果一致,而与剥离实验结果有差距,但仍具有可比性.文中还讨论了用断裂力学三点弯曲实验方法测量膜基界面结合能的适用范围.     

带PIC微处理器通用自校正控制器的控制策略与算法

在工业过程中，现代控制策略的实际应用已落后于其理论，因为大部分策略是复杂的，而想以简单的模式来实现是相当困难．虽然广泛采用了PID控制器，但仍无法达到最优控制的效果．通过用带时变参数的降价线性模型来模拟复杂的非线性控制系统，采用PICl6C62X单片微处理器组成自校正控制器，实现控制策略与算法．这种PICl6C62x单片微处理器具有较好的内部功能和外围设备，使得自校正调节器的硬件电路十分简单，并较之典型的PID控制，有看更优控制性能和适用范围．     

纳米二氧化硅水分散体的制备及复配

通过粒子紧密堆积数学模型计算得到不同粒径硅溶胶粒子间的最优配比，在此基础上合成了3种不同单分散粒径的硅溶胶。将不同粒径硅溶胶按数学模型计算的比例加入到钾水玻璃中，复配制备了不同纳米二氧化硅水分散体。与由单一粒径硅溶胶形成的膜相比，由不同粒径硅溶胶复配后形成的膜，呈现出较高的结构致密性和憎水性，与由粒子紧密堆积模型推导结果吻合。     

关于相互作用多粒子体系质能方程

本文推导出相互作用的多粒子体系的相对论质能关系式，为进一步描述相对庥多体问题打下基础。     

Ni3Al中空位团对周围原子排列与位移阈能的影响

反应堆材料是在强辐照条件下工作的.由于核反应堆安全性和可靠性的要求,人们做了大量的工作来研究辐照损伤对材料的结沟与性能的影响,由于从实验上跟踪缺陷生成的过程与微观机制非常困难,目前这方面的很多结果是通过计算机模拟结合一些纯理论工作得出的.其中不少工作是通过计算材料中原子的位移阈能(Displacement threshold energy,E_d)来研究材料的辐照损伤效应.快速运动的原子,能够导致产生稳定的Frenkel缺陷对,该原子所具有的最小的动能就是它的位移阈能,E_d是表证材料中辐照损伤效应的重要参数.