无序对介观环持续电流的影响

研究处在非均匀磁场中的一维介观环持续电流受无序的影响问题，得到非对角无序对持续电流在更大的衰减效应。     

电阻栅MOSFET电流模型分析

本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ－ＭＯＳＦＥＴ一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。     

大黄素的吸附伏安行为及定量测定

大黄素在1％硼砂底液中，有一灵敏的吸附伏安还原峰．峰电位为-0．86V(vs.Ag／AgCl)．在电位-0．3V下预富集，采用微分脉冲吸附溶出伏安法测定，其检测限可达8．0×10^-10mol／L，大黄素在1×10^-8～1×10^-6mol／L浓度范围内．峰电流与浓度呈线性关系此法简便、快速、可靠．     

单相电机性能计算的新方法——等效电流法

与传统的对称分量法及旋转磁场法不同，本文用等效电流法对电容运转形式的单相电机进行了性能计算，主要推导出了主、副相电流的计算公式．文中最后给出了较为吻合的计算结果与实验结果     

非理想E类零电流开关整流器的时域分析

对非理想Ｅ类零电流开关整流器进行了时域分析，所用的整流电路模型包含了二极管导通电阻，阀值电压和滤波电容；导出了决定电路工作状态的方程，给出了减小非理想元件影响的数值解。     

聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰亚胺薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功，这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽〉８００μｍ，栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计；工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论。     

用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱

对微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）的硅衬底金刚石薄膜，做了在液氮温区注入载流子，升温测其电流－温度关系的实验，观察到ａｓ－ｇｒｏｗｎ样品有明显的热激发电流峰，重复实验时，峰基本消失，经氢等离子体在￣９００℃处理２．５ｈ后，再重复实验，该峰又出现，推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的，这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过热处理消除的。     

闭合电路中有电感线圈时的探讨

由电源、电感线圈、灯泡等元件所构成的闭合电路中，当电源断开时，由于电感线圈的自感作用，可使灯泡继续放光。本文论述了什么样的电路在此情况下，灯泡继续放光，并能出现较原来“更为明亮”的现象。     

磁场强度H仅与传导电流有关的条件

本文以静磁场的基本方程为基础,利用矢量分析的有关知识对磁场强度(?)的一般形式作一些理论分析,并给出磁场强度(?)甭仅与传导电流有关的条件。     

峰值电流型PFC电路的频率与电路参数关系

峰值电流型ＰＦＣ电路的频率与电路参数关系赵修科陈炜（南京航空航天大学自动控制系，南京２１００１６）（南通纺织工学院电气工程与自动化系，南通２２６０００）功率因数校正ＰＦＣ（ＰｏｗｅｒＦａｃｔｏｒＣｏｒｅｃｔｉｏｎ）是通过一定的控制方式，使输入电流具...