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主要设计应用了一款栅极调制与漏极调制相结合的固态功率放大器双脉冲调制电路。设计的双脉冲调制电路主要解决了固态功率放大器放大管在漏极上电过程中引起的芯片自激干扰问题。主要采用大电流NPN三极管BU407和高速大电流低内阻的P沟道MOS管IRF4905为固态功率放大器设计了漏极脉冲调制控制电路,采用高速功率MOSFET驱动器MC33152为固态功率放大器设计了栅极脉冲调制控制电路,双脉冲调制电路可直接控制固态功率放大器的工作状态,消除单一调制电路引起的自激等问题。 相似文献
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本文以Teflon-FEP薄膜在常温下的空气中,加控制栅极前后进行电晕注极为例,研究了样品膜的注极效果。栅极的引入,不但能控制样品的表面电位值,而且使得样品的表面电荷分布更加均匀. 注极参数的变化将影响注极结果.实验表明:针极电压,注极时间,栅极电压,栅网孔径,针-栅间距和栅-膜间距各注极参数直接影响薄膜的表面电位值和表面电荷的分布.最后导出对Teflon-FEP薄膜的最佳注极参数,这些参数在同样条件下对其它聚合物也是适用的. 相似文献
3.
对采用迅速热处理方法制备的重新氧化氮化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 的断态栅电流Ｉｇ 的温度特性进行了实验研究和理论分析．研究表明,在合适的氮化和重新氧化条件下,Ｉｇ 随温度增加可保持几乎不变．这归因于重新氧化部分恢复了Ｓｉ／ＳｉＯ２ 界面处相应于空穴发射的氮化感应致使势垒高度的降低,从而使得在升高的温度下,热空穴注入的增加几乎抵消了雪崩区空穴产生的减小． 相似文献
4.
由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注.对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目.笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂.对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极.实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线.在栅压2 V时,其跨导约为0.5 mA/V.并对获得的研究结果进行了讨论. 相似文献
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文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影响。模拟结果表明,透明阳极中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素,杂质总量越多,通态压降越低。研究成果对GCT器件的设计和制造具有重要的参考价值。 相似文献
6.
栅极组件是离子推力器的核心部件,其所包含的多层栅极结构在工作过程中会发生热变形,导致栅极间距发生改变,进而影响离子推力器的工作性能及寿命。为了实现栅极结构在实际工况下热变形的非接触测量与评估,本研究提出了基于摄像测量的栅极变形观测方法,评价了不同图像分析方法（灰度重心法、圆拟合法、灰度匹配法）对变形测量精度的影响。结果表明灰度匹配方法观测精度高,环境适应性好;同时,设计并实现了一套栅极热变形环境模拟与变形测量系统,可实现高温、通水、通气环境下变形的高精度观测。最后,对环境箱通水通气对测量精度的影响进行了评价,结果表明二者均会对测量精度造成影响,通水对实验结果的影响大于通气的影响。 相似文献
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离子推力器具有高比冲和高效率等优势,是目前应用最广泛的电推力器之一,但亦存在着系统结构复杂、关键部件繁多等缺点.无中和器离子推力器可以消除对中和器的依赖,实现离子推进系统结构的简化,从而减小推力器体积和重量并提高系统可靠性.本文首先归纳了传统离子推力器的原理、优势及限制,引出了无中和器离子推力器的概念,对其基本原理、技术优势及分类进行了介绍;随后从等离子体源的束流自中和技术出发,总结了无中和器离子推力器的发展现状;结合空间应用需求以及无中和器离子推力器的工作特点,分析了无中和器离子推力器的关键技术,提出应将工质选择、等离子体机理研究、磁过滤装置和栅极系统设计以及栅极射频电压灵活调控方法这四方面作为其研究重点,同时应该发展并完善新的推力器参数测量方法,进一步明确无中和器离子推力器的工作特性. 相似文献
8.
根据JFET传输特性曲线分布于两个象限的事实设计了栅极无偏置JFET共源放大电路。讨论了栅极无偏置JFET共源放大电路漏极外接偏置电阻Rd的设计方法，并用实验验证． 相似文献
9.
分析了电源与地之间ESD保护电路的必要性,研究用于电源和地之间GCNMOS(栅极耦合NMOS)结构ESD保护电路的工作原理,在此基础上提出了一个相应的版图设计,仿真结果显示该结构的ESD失效电压达到了3 kV. 相似文献
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