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311.
c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一. 相似文献
312.
313.
314.
3-乙氧基-4-羟基苯甲醛的合成 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种合成3-乙氧基-4-羟基苯甲醛的新方法.采用正交试验,对不同配比下的原料,反应温度和滴加速度等影响产率的因素进行了研究,所设计的合成路线简单、操作方便、易于推广. 相似文献
315.
在四氢呋喃溶液中测量了3-甲基-4-甲氧基-4’-硝基二苯乙烯(MMONS)的三阶非线性光学效应.发现其在1.06μm处具有较大的非共振二阶非线性光学超极化率,并据此计算了其晶体的三阶非线性光学系数,χ(3)=2.52nm2/V2,与著名的PIS同数量级.非线性光学响应时间小于50ps,表明MMONS的非线性光学效应是由于分子中π-电子的极化引起的.此结果表明MMONS可能成为有价值的非线性光学材料. 相似文献
316.
合成了新型蓝色光致发光材料Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Ce(3+),并对其进行了光谱测试.分析了Ce(3+)在Ca8Mg(SiO4)4Cl2晶体中应占据的晶体学格位.测试结果表明,在紫外光激发下,Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Ce(3+)的发射光谱为一峰位在410nm~425nm之间的宽谱带,经分析确认作为发光中心的Ce(3+)占据Ca8Mg(SiO4)4Cl2晶体中多面体八配位的Ca(Ⅱ)格位. 相似文献
317.
以人单纯疱疹病毒为抗原,用玻片免疫酶法(EIA)检测来自广西中越边境地区及广西灵长类研究中心的食蟹猴B病毒相关抗体。发现食蟹猴B病毒相关抗体的阳性率随年龄增长而增加。野外捕获混养级阳性率为83.4%;野外捕获组阳性率为49.8%;自繁分笼群养组阳性率为14.6%。三组中,不同性别之间相关抗体阳性率没有显著性差异(P〉0.05),组间B病毒相关抗体阳性率的差异极显著(P〈0.05)。 相似文献
318.
报道了粉纹夜蛾5BI细胞在转瓶系统悬浮培养及血清浓度,细胞接种浓度,非离子表面活性剂Plurnic-F-68等对细胞生长的影响与作用,实验结果显示:5BI细胞能够搅拌条件下,在含5%血清培养基中正常生长增殖,当血清浓度降至2%时。细胞生长速率产生较明显变化,PluronicF-68对细胞生长有显著的保护作用,5BI细胞适宜于悬浮培养和进一步放大培养。 相似文献
319.
Si_3N_4-SiC纳米复合陶瓷材料的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用粒度为 50~70 nm的纳米级 SiC粉体与微米级的 Si3N4粉体复合来制备 Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料,对纳米SiC含量不同的Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料的微观组织结构与性能的关系进行了研究。结果表明:纳米SiC质量分数为10%时,经热压烧结法制备的Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料的抗弯强度为 844 MPa,断裂韧性为 9. 7 MPa· m1/2。微观组织结构的研究还表明,纳米SiC的不同含量影响着基体Si3N4的晶粒形貌,从而决定了复合材料的性能。探讨了纳米级SiC在基体中的形态、分布及其对基体强化增韧的新机制。 相似文献
320.
本文讨论了PbO—Bi2O3—B2O3玻璃中引入少量Cr2O3对玻璃的颜色及析晶性能的影响。在PbO—Bi2O3—B2O3玻璃的配合料引入0.01—2(wt%)的Cr2O3随着Cr2O3含量的变化,玻璃颜色从橙黄、橙红到深红变化,直至析晶、失透。当Cr2O3引入量在0.25~0.5(wt%)时,适当控制热处理条件,可得到含有粗大晶体的红色玻璃,EDS测试表明,析出矿物的化学组成为Al和K,其原子比为1:1。 相似文献