全文获取类型
收费全文 | 6411篇 |
免费 | 143篇 |
国内免费 | 365篇 |
专业分类
系统科学 | 166篇 |
丛书文集 | 293篇 |
教育与普及 | 388篇 |
理论与方法论 | 36篇 |
现状及发展 | 91篇 |
综合类 | 5945篇 |
出版年
2024年 | 42篇 |
2023年 | 102篇 |
2022年 | 119篇 |
2021年 | 144篇 |
2020年 | 119篇 |
2019年 | 117篇 |
2018年 | 44篇 |
2017年 | 80篇 |
2016年 | 90篇 |
2015年 | 128篇 |
2014年 | 217篇 |
2013年 | 239篇 |
2012年 | 312篇 |
2011年 | 330篇 |
2010年 | 296篇 |
2009年 | 378篇 |
2008年 | 376篇 |
2007年 | 347篇 |
2006年 | 295篇 |
2005年 | 289篇 |
2004年 | 253篇 |
2003年 | 273篇 |
2002年 | 210篇 |
2001年 | 243篇 |
2000年 | 231篇 |
1999年 | 207篇 |
1998年 | 188篇 |
1997年 | 223篇 |
1996年 | 177篇 |
1995年 | 162篇 |
1994年 | 137篇 |
1993年 | 132篇 |
1992年 | 123篇 |
1991年 | 91篇 |
1990年 | 95篇 |
1989年 | 47篇 |
1988年 | 29篇 |
1987年 | 14篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
1947年 | 1篇 |
排序方式: 共有6919条查询结果,搜索用时 562 毫秒
411.
以椭圆偏振测量的基本公式为基础,利用计算机,研究了环境—透明薄膜—基板系统的椭偏角(?)和△对于δ_2、(?)_1、n_2的依赖关系,讨论了入射角、基板的折射率等实验参数的最佳选择问题。 相似文献
412.
413.
414.
SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 ,但仍有较多的小晶粒存在 相似文献
415.
GAOTao MENGGuowen ZHANGLide 《科学通报(英文版)》2003,48(11):1090-1092
Photoluminescence (PL) properties of porous anodic alumina (PAA) films prepared by using electrochemical anodization technique in a mixed solution of oxalic and sulfuric acid have been investigated. The PAA films have an intensive ultraviolet PL emission around 350 nm, of which a possible PL mechanism has been proposed. It was found that the incorporated oxalic ions, which could transform into PL centers and exist in the PAA films, are responsible for this ultraviolet PL emission. 相似文献
416.
417.
金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用. 该类薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义. 用固体与分子经验电子理论(EET)计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的相对电子密度差, 从计算结果分析认为, 对所研究的薄膜, 薄膜与基底界面的电子密度差越小, 薄膜在热力学上越稳定, 界面的电子密度差是决定薄膜织构或外延取向的本质原因. 这些推断与实验事实符合得很好. 该计算方法和理论不仅为探讨金刚石和立方氮化硼在硅单晶表面上的薄膜生长机制提供了一个新视角, 还可能为其他薄膜取向的预测提供指导. 相似文献
418.
利用Sol-gel法在p-Si(111)衬底上制备了LaNiO3底电极, 再利用Sol-gel法在LaNiO3底电极上制备出Bi4Zr0.5Ti2.5O12(BZT)铁电薄膜, 对其微观结构和电学性能进行了研究. 利用X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电镜观测其微观结构, 发现制备的BZT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构, 并且薄膜表面晶粒尺寸均匀, 结晶情况良好. 对Pt/BZT/LaNiO3电容结构进行了铁电性能研究, 在测试电压为25 V时, 2Pr和2Vc分别达到28.2 μC/cm2和14.7 V; 经过1×1010次极化反转后, 剩余极化值下降了大约13%; 室温下, 在测试频率1 kHz时, 薄膜的介电常数为204, 介电损耗为0.029; 漏电流测试显示制备的BZT薄膜具有良好的绝缘性能; C-V曲线为顺时针方向回滞, 存储窗口大约为3.0 V, C-V特性测试显示这种Pt/BZT/LaNiO3结构有望实现极化型存储. 相似文献
419.
420.