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401.
本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜(a-Ge:H和μc-Ge:H)。研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响。结果表明:衬底温度Ts<290℃,沉积出a-Ge:H膜;Ts≥290℃沉积出μc-Ge:H膜。其结构、光电性能均当Ts≥290℃时有明显的变化。 相似文献
402.
等离子增强型化学气相沉积氮化硅的淀积 总被引:2,自引:0,他引:2
唐元洪 《湖南大学学报(自然科学版)》1996,23(1):42-44
等离子增强型化学气相淀积氮化硅是目前器件难一能在合金化之后低温生长的氮化硅。本文研究了各种淀积参数对薄膜性能的影响,提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件,对折射率随生长速率而变化给出了新的解释。 相似文献
403.
利用真空双源同时蒸发法制备了新型C60-1,4-bis(-1,1-dicyanovinyl)benzene(BDCB)复合薄膜。用高分辨扫描电镜和X-射线衍射仪分析了BDCB-C60复合薄膜的表面形貌和结构特性,结果表明BDCB-C60复合薄膜是一种不同于纯C60薄膜和纯BDCB薄膜的结构相。Ag/BDCB-C60/Ag的拓明治型结构具有电学双稳态现象和记忆特性。 相似文献
404.
报道了利用准分子脉冲激光淀积技术在(001)和(012)蓝宝石衬底上制备LiTaO3光波导薄膜的实验研究。利用X光衍射和Raman光谱术鉴定所生长薄膜的微结构,研究了脉冲能量、衬底温度、氧分压和淀积室几何等因素对薄膜质量的影响。结果表明脉冲能量和衬底温度对薄膜生长的择优取向有很大影响,而氧分压和淀积室的几何配置主要影响薄膜的生长动力学。在合适的工艺条件下制备了优质的外延膜,薄膜显示了优异的光波导性 相似文献
405.
唐汉民 《广西大学学报(自然科学版)》1996,21(1):51-54
用四氯化碳溶解样品后与稀酸溶液一起于水浴中加热回流使淀粉进入水相,除掉四氯化碳后在沸水浴中加热回流使淀粉水解为葡萄糖。在加热条件下,以次甲基蓝作指示剂,用样品溶液滴定标定过的碱性酒石酸铜溶液。计算葡萄糖的含量,再换算成淀粉的含量。本法测定结果回收率99.81%,变异系数0.16%,方法准确可靠。 相似文献
406.
衬底温度对纳米硅薄膜结构性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对nc-Si:H薄膜的结构性能的影响。结构表明随着衬底温度从240℃升高到320℃,薄膜的晶态率从24%增大为65%,平均晶粒尺寸从6nm增大为10nm。当衬底温度≤200℃时,生成薄膜为a-Si:H薄膜。文中还对纳米硅薄膜的晶化机制进行了讨论。 相似文献
408.
本文报导用Tl2Ba2CaCu2外延超导薄膜在LaAlO3补底上研制的台阶结及其特性,在液氮温度下,当台阶结受到9.20GHz的微波辐照时,从I-V曲线上可以观察到第九级夏皮诺微波感应台阶、在液氮温度下,台阶结的临界随外磁场的变化较好地附合夫琅和费衍射关系。 相似文献
409.
氧化物薄膜近几年来受到了人们普遍的重视。MgO、SiO_2和ZrO_2等材料不仅可以用作各种电子器件中的绝缘层,还起到了隔离层的作用,可有效地阻止多层膜之间因互扩散造成的界面反应。迄今为止,实验已经证实许多材料都可作为很好的隔离层或多层膜中的绝缘层,包括 SrTIO_3、Y-ZrO_2、PrBa_2Cu_3O_7、Y_2O_3、CeO_2和MgO等。这些材料在不同的器件制备中具有不同的作用,可供选择。MgO是一种离子性很强的氧化物材料。属NaCl结构,溶点高达2800℃,介电常数为10,自由能最低的低指数解理面为{100}面,晶格常数 相似文献
410.
c轴取向氧化锌(ZnO)薄膜具有较强的压电和压光效应,常常用于声电、声光装置。在体声波(BAW)方面,如用于超声显微镜和薄膜谐振器等;在声表面波(SAW)方面,作为一种传输和相干材枓,它用作滤波器、卷积器、放大器、图象扫描以及谐振器;在导向光波(GOW)中,ZnO薄膜也广泛应用于声光和电光装置和二次谐波发生器等。 相似文献