高纯部分稳定二氧化锆微粉的制备工艺

高纯Zr02微粉作为高温高强特种陶瓷和耐火材料等的重要原料，由于晶型转变所引起的体积效应而影响其耐高温性能，限制其应用范围，因此必须进行晶型稳定化处理．本文介绍了以氧化钇为稳定剂的高纯部分稳定二氧化锆微粉的制备技术及产品质量标准．     

Fe100-xCox系合金超细粉末的制备和磁性

用机械合金化方法制备了Fel00-xCox系超细粉末(x＝15，35，50)．对各样品进行了X—ray衍射谱的分析；用柯西分布公式计算了材料的晶粒尺寸，约为9-12nm；用最小二乘法计算了材料的晶格常数a；测量了不同成分样品的磁滞回线。研究发现，当x＝15，35，50时，材料均呈现了α—Fe的单相，并且样品有较低的矫顽力Hc和较高的饱和磁化强度Ms．用趋近饱和定律计算了样品的有效磁晶各向异性常数Ks和原子磁矩μ．研究表明，样品具有优良软磁村科的内禀性能．     

气泡塔熔融结晶器中传递与晶层生长

分析了气泡塔结晶器熔融结晶过程中自熔体向晶层界面的热、质传递特征，建立了描述该过程晶层生长的稳态模型。在自熔体向晶层界面对流传热膜系数的计算中，将弹单元分为弹状气泡周围液膜区、尾迹区及液塞段3段，各段的平均对流传热膜系数不同。分别在表观气速0.04和0．08m/s下，用模型对己内酰胺晶层生长进行了计算，计算结果与实验结果基本吻合。     

Ni-Fe-P合金化学镀的工艺条件及晶化行为研究

采用硼酸为缓冲剂,柠檬酸钠为络合剂在碱性介质中化学沉积Ni Fe P合金.考察了工艺条件如pH、FeSO4·7H2O浓度和温度对沉积速度的影响.获得了沉积速度快,镀液稳定性好的工艺条件.采用差示扫描量热和X射线衍射研究了Ni Fe P合金的晶化行为.结果表明,镀层在镀态呈非晶结构,镀层在200.5℃晶化为亚稳的Ni Fe合金,310℃晶化为立方FeNi3合金,369.2℃晶化为四方的Ni3P,而491.3℃为继续生成FeNi3的吸热峰.     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。     

文化价值观与古代兵器

本文分析了传统文化与古代兵器的关系，论述了兵器的技艺致用型价值取向，同时分析了兵器制作与使用技法与西方兵器的差异。并且指出兵器发展蕴涵了中国文化的意义。对一些有关兵器史的研究成果。本文也从兵器发展规律的意义上提出一些新的看法。     

点群10mm十次对称二维准晶平面弹性的复变解法及孔口问题

研究了点群10mm十次对称二维准晶平面弹性问题的复变函数解法. 首先将二维准晶平面弹性问题的位移势函数F用4个解析函数表示出来, 利用解析函数的性质, 经过大量的推导, 给出了准晶声子场和相位子场的位移、应力及边界条件的复变函数表示, 从而建立了点群10mm十次对称二维准晶平面弹性问题的复变解法的理论基础. 应用这一理论, 借助于复变函数中的保角变换, 解决了椭圆孔口问题. 当椭圆的短半轴趋于零时, 可得裂纹问题的解．计算结果表明, 当声子场-相位子场耦合时, 即使受自平衡力的作用, 对椭圆孔口问题, 声子场应力仍与材料常数有关, 这一性质表现出了准晶弹性与经典弹性的又一不同. 而当声子场-相位子场解耦时, 退化为经典弹性理论．另一方面, 本文是Muskhelishvili创立的经典弹性理论的复变解法在二维准晶平面弹性问题中的推广, 像经典弹性理论一样, 只要能找到点群10mm十次对称二维准晶平面弹性区域到单位圆的保角变换, 就可解决各种孔口和裂纹问题.     

试析叶兆言小说中的女性价值取向--拯救意识

上世纪80年代以来，传统文化被消解，重树的现代人本文化呈现病态。在这一文化背景下，作家叶兆言常常在小说中描写女主人公用肉体来拯救男性的灵魂。这表达了五六十年代出生的知识分子作家在传统文化和现代人本文化冲突之间的矛盾尴尬心态。     

K2PtCl6/PVP体系四面体形状纳米铂的控制合成

以适量聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为保护剂, 用H₂还原K₂PtCl₆水溶液高选择性(>80%)地合成了四面体形状的纳米铂晶粒(3~8 nm). 采用透射电子显微镜(TEM)和紫外可见光谱仪(UV-Vis)研究了合成体系四面体形状纳米铂晶粒的合成过程. 合成体系纳米铂胶体吸收光谱数据表明, 纳米铂晶粒的生成经历了由快到慢的转变过程. TEM数据表明, 绝大多数四面体形状纳米铂晶粒不是在成核和快速生长阶段, 而是在小晶粒(<3 nm)的缓慢生长阶段生成. 这些结果说明纳米铂的四面体形状很可能是通过晶粒生长中的表面晶面淘汰形成的.     

非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜及生长机制探讨

利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150 nm×150nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式.