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271.
本文探讨了庆大霉素生产菌棘孢小单孢茼F-212的一级和二级种子的不同生长阶段的菌丝形态及其控制方法,以作为提高庆大霉素发酵单位的工艺手段。  相似文献   
272.
273.
试验杂交水稻的分蘖数量除L301A×R29比不育系和常规高产品种“双桂36”较少外,D优63、D优64、青优中、协优64、威优64、威优35和华优63分别比其亲本和对照品种多,表现正显性超亲优势.青优中、协优64、威优64、威优35、华优63和D优63的分蘖数与~(32)P在分蘖中的分布(%)呈正相关.D优64、L301A×R29不呈正相关.D优63、D优64、协优64的分蘖数与~(14)C—同化物在化分蘖的分布(%)呈正相关,青优中、威优64、威优35华优63和L301A×R29不呈正相关.D优63、D优64、协优64和华优63的单苗干物重高于它们的亲本和对照品种.青优中、协优64、华优63、D优63、D优64的苗高也分别比其亲本和对照品种高.本文还讨论了杂交稻苗期生长优势、~(32)P和~(14)C在分蘖中的分布(%)与谷粒产量的关系.  相似文献   
274.
本文研究了海水中溶油对骨条藻、角毛藻,三角褐指藻、金藻、甲藻、杜氏盐藻的生长影响。结果表明杜氏盐藻、三角褐指藻、甲藻等在含油海水中9天左右达到最高含量,且在17天左右仍维持最高含量,表明这些藻的耐油性较好。这些耐油藻使海水中石油含量下降3-6倍,表明它们对海水中溶油有净化作用。  相似文献   
275.
本文报导了厚网藻Pachydictyon coriaccum(Holm)Okam细胞组织离体培养的研究。藻体被切段进行离体培养时,顶端细胞能不断分裂,直接长出新藻体。一个顶端细胞能纵裂成二个或三个细胞,然后每个细胞单独长成新藻体。皮层细胞在离体培养的过程中,能形成新的生长点细胞,长出新枝。髓部细胞暴露在光照下,也能不断分裂长成新藻体。皮层细胞除了能产生新枝以外,还能长出假根。假根末端呈放射状,借此附着在器皿上。切段在离体培养过程中生长旺盛。在0.3厘米×0.5厘米大小的切段上长出四十多个新枝。这一点和自然海区生长的厚网藻大不相同.说明了切段离体培养促进了细胞组织的生长。  相似文献   
276.
本文报道了在饲料中添加促生长剂用以饲养鲤鱼和罗非鱼幼鱼,以探讨饲料中促生长剂之添加对鱼体生长的影响。两期试验结果显示HBM2号、郁金和奎乙醇具有明显的促鱼体生长的作用IHBM1号和HBM3号促鱼生长作用不四显;氯化胆碱似乎无促鱼生长作用。此外,促生长剂的添加.并不影响鱼体肌肉的品质。文章还对促生长剂促鱼生长的药理作用进行了初步探讨。  相似文献   
277.
济南地区蛭弧菌(Bdellovibrio)的初步研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
从济南地区的生活污水、湖水和土壤中分离到9株蛭弧菌。它们均为直或弯曲的杆状或弧状,大小为0.20~0.31μm×0.66~1.01μm。单根极生鞭毛。在其中2株蛭弧菌的细胞两端还发现有数根须状结构。蛭弧菌 No.1对氯仿敏感,它的增殖并不依赖于其寄主的增殖。它们的寄主范围较广,可以跨越属或科。温度对于蛭弧菌 No.1的增殖速度有显著影响。每个 E.coliK_(12)细胞约释放2个蛭弧菌 No.1细胞。  相似文献   
278.
本文较详细地研究了采用HFCVD方法在Si、Mo等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜,讨论了生长条件(衬底温度、碳源浓度、反应压强)对金刚石薄膜晶粒形貌的影响.结果表明在HFCVD方法中,金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感,生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长.  相似文献   
279.
日本鳗鲡早期阶段耳石显微结构的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
李城华 《科学通报》1995,40(14):1326-1326
鱼类早期阶段日龄鉴定必须解决2个最基本的问题:(1)耳石第一个生长轮的确定及形成时间,(2)生长轮形成的周期.在日本鳗鲡(Anguilla japonica)早期白仔鳗阶段日龄鉴定时第一个日生长轮如何确定.所谓“孵化标记”(hatch check)轮在什么时间形成,人工培育仔鳗耳石是否存在“孵化标记”轮,耳石中心核与“孵化标记”轮之间是否存在生长轮等基本问题仍未能解决.虽然作者通过光学显微镜对白仔鳗耳石观察曾报道过在“孵化标记”轮与中心核  相似文献   
280.
立方氮化硼薄膜的织构生长   总被引:2,自引:0,他引:2  
陈光华 《科学通报》1995,40(6):499-499
立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而金刚石的n型掺杂国际上至今尚未实现),与Si,GaAs更接近的热膨胀系数.因此,C-BN在力学、光学、热学、电子学等方面有着极其广泛的应用前景.其中最为诱人的前景是在电子学方面,首先作为一种易于p型,n型掺杂的宽带隙半导体材料,它可以应用于高温、高频、大功率、抗辐射电子器  相似文献   
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