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221.
222.
223.
本文由一个特殊非对称六顶角模型的L矩阵出发,构造了一维小极化子模型的代数Bethe-Ansatz方程.结果表明,由该方程所得的能谱与用坐标Bethe-Ansatz方法所得的结果一致. 相似文献
224.
计入电子与纵光学(LO)声子和界面光学(IO)声子的互作用,进一步研究了界面磁极化子的性质,并给出了磁极化子的能级,重整化回旋质量和自陷能的表达式。结果表明,重整化回旋质量也依赖于纵向量子态和磁场强度,而自陷能也与横向量子态和磁场强度有关。 相似文献
225.
本文提出了一种无任意参数的正电子与原子的关联极化相互作用势,并用之对氩原子激发阀值(11.07eV)以下的低能正电子被Ar散射的截面进行了计算,对计算结果进行的分析及与实验的比较证明了所提极化势模型的合理性。 相似文献
226.
对半导体单异质结系统,引入三角势近似异质结势,考虑电子、杂质与声子的相互作用,利用改进的LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量,对Zn1-xCdSe/ZnSe系统的杂质态结合能进行了数值计算,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系,结果表明,杂质-声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负。 相似文献
227.
江孟蜀 《重庆工商大学学报(自然科学版)》1993,(4)
本文对我们所发明的Al-MgF_2-Au(Cu)薄膜发光器件[1]的内层结构、导电过程和发光机理做了进一步的研究,对以前报导的一些结论作了原则性的修正:前所报导的Al-MgF_2-Au结内层的实际结构是Al-Al_2O_3-MgF_2-Au,而不仅仅是Al-MgF_2-Au;且正是由于Al_2O_3膜的存在,方才使MgF_2膜得以具有绝缘作用。是来之负电极的隧穿电子,而不是MgF_2膜内的热电子,导致了该结的导电和发光。据此,本文对该结在高偏压下的logL∝V的新型伏安特性曲线及其发射光谱中位于3.4ev(3600)附近的截止频率给出了理论解释;从而得出:电子隧穿,激发SPP,然后SPP退激发光的这一物理过程,即使在Al、Au两电极间的绝缘层厚度由3μm左右增加到20μm左右时,也可依然存在。 相似文献
228.
采用线性电位扫描、极化电阻、交流阻抗等实验方法,研究弱酸性氯化钠电解液中锌-钴共沉积及其耐蚀性.实验表明:镀层的钴含量随着镀液的钴含量和电流密度的增加而增加.在电解液含钴2.5g/L左右,电流密度1.5~2.5A/dm2,pH值5.0~5.6,温度范围20—30℃的条件下镀层的极化电阻Rp比较大。镀层的腐蚀电化学行为说明:镀层腐蚀产物的阻挡作用提高了锌钴微合金镀层的耐蚀性.在本实验条件下,在弱酸性氯化钠溶液中,锌—钴共沉积属于异常共沉积. 相似文献
229.
本文首先一般地证明:在存在静电感应时,带电体系的相互作用能表达式中要出现1/2因子,然后举例说明出现1/2因子的物理缘由。 相似文献
230.
戴启润 《信阳师范学院学报(自然科学版)》1988,(1)
n—p散射是研究核力的重要实验,它间接地证明了核力与电荷无关。本文着重探讨极化态下n—p散射的四种情形,得出微分截面公式,计算自旋反转截面及几率。最后导出非极化态n—P散射的相关结论。 相似文献