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111.
采用线性组合算符和么正变换相结合的方法,讨论了光学极化子内部激发态的性质.从数值计算的结果看出:当耦合常数α介于3.5~12.5之间时,能形成第一内部激发态,而更高的内部激发态不会出现. 相似文献
112.
GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上,以获得负电子亲和势(Negative lectron Affinity)表面,然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极,来获得自旋极化的电子束,详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程,并介绍了极化电子在极化(e.2e)反应中的应用。 相似文献
113.
对近年来极化电致发光及其材料的进展进行了综述 ,主要介绍了极化电致发光器件的制备、液晶薄膜取向方法以及有机功能材料的性能和应用 相似文献
114.
本文根据文献~([3])中提出的不含自由参数的新的关联极化势公式,对低能电子被氖和氩原子弹性散射的截面进行了计算,获得了相当满意的结果。 相似文献
115.
本文应用双原子键三中心静电模型,导出了单键线性极化率的表达式,从而提供了计算多元复杂晶体二阶非线性光学系数的半经验方法;应用该方法计算了A~ⅠB~ⅡC_2~Ⅲ(如CuGaS_2、AgGaS_2、AgInSe_2等)、A~ⅡB~ⅣC_2~Ⅴ(如ZnSiAs_2、CdGeP_2、CdGeAs_2)、以及KH_2PO_4、LiNbO_3、LiTaO_3等复杂晶体的二阶非线性光学系数d_(ijk),计算值与实验测定值基本相符。 相似文献
116.
117.
本文讨论了极化质子内部分子自旋对质子自旋的贡献,与自旋相关的质子结构函数g(?)的一次矩及xg(?)的函数分布。假定极化质子内部分子的自旋分布与非极化质子内部分子分布是关联的,本文构造了关联函数把它们联系了起来。同时把胶子的反常贡献和部分子的轨道角动量的贡献都考虑在内,计算结果与实验数据符合很好。 相似文献
118.
以炼油厂含油污水为介质,对新组装的一台外压列管式膜组件分离装置的分离透过性能及浓差极化进行了研究。结果表明,以超滤法处理含油污水时,透过速率的控制因素是凝胶层。对列管式膜组件,在壳程加折流板可以大大减少浓差极化的影响,一米长的膜管以设4块折流板为宜。得出了加折流板的膜组件能量与雷诺准数之间的关系式及其常数可由实验确定。 相似文献
119.
本文讨论了弱耦合下三元混合晶体A_xB_(1-x)C中的极化子问题.在绝对零度下,用微扰法导出了极化子基态能量和有效质量表达式,对几种三元混合晶体进行了数值计算.在浓度x=0和x=1时,得出的结果与对应的二元晶体——BC,AC的结果完全等价. 相似文献
120.
一种利用遗传算法的极化定标算法 总被引:1,自引:0,他引:1
由于极化合成孔径雷达发射与接收端受通道幅相不平衡、天线串扰、电磁波传播特性和系统噪声等因素影响,造成遥感数据不能反映真实目标特性。为获取目标的准确特征信息,必须对遥感数据定标。针对利用已知分布目标散射阵的极化定标问题,提出了一种基于复数纺码的遗传算法求解具有多变量、超定、非线性方程组的极化定标。文中详细分析了遗传算法及其三种实现,并通过仿真实验证实了该算法的有效性。 相似文献