丰中子锂同位素的Gamow壳模型计算

对丰中子锂同位素~(7～10)Li进行了现实核力Gamow壳模型计算,研究了同位素链接近中子滴线区的弱束缚和非束缚核的性质,并探讨了单粒子能级中能量高于费米面的连续谱对弱束缚核的低激发能级及其衰变性质的影响.本文从现实核力CD-Bonn势出发,在由质子轨道0p_(3/2)0p_(1/2)与中子轨道0p_(3/20)p_(1/2),及p_(1/2)分波中更高能量的连续谱轨道构成的模型空间内开展Gamow壳模型计算,得到同时具有激发能量与能级共振宽度物理意义的复本征能量.计算结果表明,现实核力Gamow壳模型能同时对稳定束缚以及弱束缚的原子核给出准确的激发能级以及高于核子发射阈值的共振能级的共振宽度.在对~(10)Li的计算中,现实核力Gamow壳模型计算证实了连续谱效应在弱、非束缚核能谱中具有重要的影响.另外,对于弱、非束缚核能级的共振宽度,现实核力相比唯象核力在Gamow壳模型计算中能够给出与实验结果更为吻合的结果,说明对于弱、非束缚原子核,基于拟合稳定核性质的相互作用存在一定缺陷,不能准确描述费米面附近高能核子的关联,而使用适当重整化的现实核力可以避免这一问题.     

波函数对有限深方形量子线中电子及杂质能量的影响

以一维线性谐振子的波函数为基展开而成的波函数作为单电子的波函数,分别讨论了单电子及类氢杂质的能量,并将所得结果与波函数取作一维有限深量子阱中波函数的乘积的情况进行了比较.结果表明：已有文献选取的波函数,在计算单电子的能量及杂质的束缚能时只在阱宽较大时适用;在计算单电子的振子强度时,带来较大误差.     

模拟城市酸雨条件下形成铜锈的稳定性研究

设计了可以重复获得铜锈的试验方法,把形成的铜锈从基体上剥离,填充到多孔微电极中,在模拟城市强酸雨条件下(0.2 gL-1Na2SO4+0.2 gL-1Na HCO3,pH值为3的酸性溶液中),测试了铜锈的电化学行为.在硼酸溶液中,通过循环伏安法测试表明,铜锈的电化学反应存在Cu(II)/Cu(I)和Cu(I)/Cu两个还原过程;对比试验发现,在腐蚀型测试介质中(模拟城市酸雨),阳极区可以观察到氧化现象,但是由于BiTA对铜锈的稳定作用,峰值电流明显降低.明确了BiTA对铜锈溶解的抑制效果.     

硫化铅量子点薄膜中基于量子隧穿的载流子输运机制

近年来，铅系量子点(如PbX,X=S,Se, Te)薄膜光物理性质的研究表明该材料在下一代柔性光电器件中存在潜在应用价值.理解量子点薄膜中载流子输运机制对于发展此类器件至关重要.利用超快瞬态吸收光谱技术，对PbS量子点薄膜中由于载流子输运导致的激子漂白峰位移做了系统性研究.结果发现在高带隙激发条件下，激子漂白峰随延时往低能方向移动，即发生红移.进一步通过分析光谱位移速率和幅值与温度的依赖关系，基于热激活隧穿输运模型揭示了PbS量子点薄膜中的载流子输运机制为电荷隧穿.     

GaN,AlN和BN(110)表面反常弛豫的电子结构计算

在紧束缚模型框架下采用形式散射理论方法计算了具有闪锌矿结构的化合物半导体GaN,AlN和BN(110)反常弛豫表面的表面电子结构，讨论了表面弛豫对表面电子结构的影响，并将结果同GaAs(110)表面的表面电子结构作了比较.     

质量效应对抛物量子阱中电子子带的影响

考虑有效质量随空间位置的变化(SDEM效应),计算了垂直磁场作用下量子阱中电子的第一子带,与不考虑SDEM效应的结果做了比较,并对其物理意义进行了分析.     

束缚应激的研究进展

应激（stress）是指机体在受到强烈的内外环境因素的刺激时所出现的非特异性全身反应.从进化的角度来看,机体为了能应对在生长过程中遇到不可避免的内外环境因素的刺激,需要产生相应的反应,从而才能在变动的环境中维持机体的适应能力.研究应激对于理解应激对机体的影响非常重要,随着对应激研究的深入,应激动物模型成为研究的基本工具,其中束缚应激作为一种非损伤性刺激,能够较好地模拟人类生活中“无法控制”的拥挤、挫折等生活状态,既与人类产生应激及其导致的心身性疾病过程相似,又能够适应应激状态由急性转入慢性的发展趋势.因此,束缚应激已经引起研究者的广泛关注并逐渐成为应激研究中的热点之一.近年的研究使人们对束缚应激有了更为深入的了解,但是束缚应激对机体的影响及其作用机理仍有诸多不清楚的地方.本文将对近年来国内外有关束缚应激研究的进展（主要从分类、方法、对机体的影响及其作用机制等方面）进行综述.     

直接带隙Ge/Si_(1-x)Ge_x量子阱中激子态和带间光跃迁

利用有效质量近似和变分原理,对直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究.结果表明:直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中带间光跃迁能、激子复合时间和基态振子强度依赖于阱宽和Si1-x Gex中Ge含量.当阱宽大于30nm时,跃迁能、激子复合时间、振子强度对Ge含量和阱宽的变化不敏感;基态线性光极化率随着Ge含量的增加而减小,同时光极化率峰值所对应的光子能量减小.     

紧束缚分子动力学模拟:C_(60)与石墨(0001)面的碰撞

运用紧束缚势的分子动力学模拟方法，研究了Ｃ６０分子对石墨表面的碰撞，观察在入射动能为２４０ｅＶ时碰撞的微观过程以及动能和势能的变化趋势．结果发现在弹回过程中Ｃ６０分子质心的运动可被看做是在准谐势下的运动，通过碰撞Ｃ６０分子在石墨表面形成了薄膜．     

电磁源近场测量理论与技术研究进展

讨论了近场的两类基本电磁环境———束缚场与消失态;前者包含静态场(按r-3规律衰减)和感应场(按r-2规律衰减);后者包含消失平面波谱,当离源的距离增大时指数地急速下降。束缚场在本文中称为类消失场。近年来两者都发现了电磁波在自由空间以超光速传播的现象,实验上还进一步观察到负波速。由最近几年的实验,对束缚场而言结果并不支持普遍认为的以光速( v = c)迟滞传播的观点;根据对天线近区内无迟滞现象的观测,提供了束缚电磁场的非局域性的实验证据,有的实验甚至达到了高度超光速,即v≥10c。非局域性是一个量子力学概念,故束缚场的非局域特性可能在经典电磁学与量子力学之间建立紧密联系。在实际应用方面,论述了从辐射近场测量数据转换到辐射远场的技术,包括平面波谱( PWS)法和微波二端口网络散射矩阵法。此外还叙述了与近场微波显微镜发展的有关问题。但本文强调在近场测量中发现的新现象,给出了理论上的多个对偶关系。讨论了近场超光速现象的量子解释,认为应从理论上应用“消失态是虚光子”的思想。本文提出应当重视的一个研究领域是：在不使用反常色散和LHM超材料的近场条件下获得的在自由空间的内向波。最后指出了使用环天线做进一步实验的必要性。