用激光分子束外延在Si衬底上外延生长La1-xSrxMnO3单晶薄膜

采用SrO和SrTiO3作为缓冲层, 用激光分子束外延在Si (100)衬底上成功地外延生长出La_1-xSr_xMnO₃ (x=0.1, 0.2, 0.3) (LSMO)单晶薄膜. 锐而清晰的反射式高能电子衍射仪 (RHEED)的衍射条纹和持久的RHEED强度振荡, 表明LSMO薄膜是很好的二维层状外延生长. X射线衍射和高分辨透射电镜分析结果证明, 在Si基底上获得了很好外延生长的LSMO薄膜, LSMO薄膜为C取向的单晶薄膜. 并在室温条件下观测到很好的LSMO/Si p-n结I-V整流特性.     

高斯束谐振系统对引力波频率的选择效应

高斯束谐振系统对同频率的高频遗迹引力波具有很好的谐振性,这为高频遗迹引力波的探测开启了一个窗口.笔者指出,当入射引力波和高斯束不同频率时,高斯束谐振系统产生的一阶扰动光子流没有观测效应.     

21Na第三激发态的奇异结构

根据已有的实验数据, 利用渐近归一化系数(ANC)方法计算了²¹Na处于第三激发态的最后一个质子的核外几率P和均方根半径(〈r²〉^1/2). 结果为P = 54.73%, 〈r²〉^1/2 = 5.28 fm. 比较了第三激发态与另外几个低能激发态的价核子核外几率P及核外部分对均方根半径的贡献. 处于第三激发态的价核子的核外几率明显大于其他激发态. 与核芯核²⁰Ne中核子的密度分布相比, 在²¹Na第三激发态的价核子密度分布中可以清楚地看到一个弥散的长尾巴. 这一些现象表明²¹Na的第三激发态是质子晕态.     

碳化硅薄膜生长技术的研究进展

介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况，碳化硅外延生长大多采用溅射法(sputting)、化学气相淀积(CVD)和分子束外延(MBE)．对生长工艺对碳化硅薄膜特性的影响进行了对比研究．     

基于矢量矩阵束方法的大型接地网暂态分析

为快速准确地计算接地网的暂态响应,提出了一种基于场路耦合的接地网暂态计算模型。该模型将接地网划分成若干导体段,对导体段采用自感和互感参数以模拟接地网导体的感性耦合,导体段间的阻性耦合和容性耦合则采用电磁场理论中似稳电流场的方法予以分析。基于上述模型,利用电磁暂态计算程序(EMTP)可得到任意电流波形激励情况下接地网暂态响应的时域波形。为进一步提高暂态接地网的分析效率,采用矢量矩阵束方法外推接地网暂态时域响应,借助矩阵束方法,将接地网暂态响应表示成一系列复指数项的叠加,提高计算效率、抑止单纯时域方法导致的接地网晚时响应的数值振荡。通过与CurrentDistributionElec-tromagneticInterferenceGroundingandSoilStructureAnalysis(CDEGS)软件计算结果的比较,验证了该文方法的正确性和有效性。该文模型提供接地网与EMTP软件的接口,可显著提高变电站电磁兼容问题的分析效率。     

空间二异面直线间距离的一个公式

利用平面束,给出了空间二异面直线间的一个距离公式。     

圆轨道锥束重建中Radon空间数据缺失

实际工程中广泛采用的圆轨道锥束CT重建算法(FDK类算法)中,只有在小锥角(<±5°)的条件下才能较好地重建。为了克服这一缺点,增大圆轨道可重建的锥角范围,推导了圆轨道锥束重建中R adon空间数据缺失与锥角的关系,并基于这一关系提出了基于不同半径的两个同心圆轨道的“改进型误差减小”(im proved error reduction-based,IERB)算法,利用估算的重建误差改善重建结果。数值仿真实验结果表明,IERB算法在锥角≤±10°时都能获得相当好的重建结果,在锥角更大时也可适用于一定的区域。该算法不适用于数据缺失过多的区域。     

Polycrystalline ZnSx Se1—x thin films deposited on ITO glass by MBE

MBE growth of ZnSx Se1-x thin films on ITO coated glass substrates were carried out using ZnS and Se Sources with the substrate temperature ranging from 270℃ to 330℃.The XRD θ/2θ spectra resulted from these films indicated that the as-grown polycrystalline ZnSx Se1-x thin films had a preferred orientation along the (111) planes.The evaluated crystal sizes as deduced from the FWHM of the XRD layer peaks showed strong growth temperature dependence,with the optimized temperature being about 290℃.Both AFM and TEM measurements of these thin films also indicated a similar growth temperature dependence.Hing qual-ity ZnSx Se1-x thin film growm at the optimized temperature had the smoothest surface with lowest RMS valus of 1.2 nm and TEM cross-sectional micrograph showing a well defined columnar structure.     

大孔径光纤过渡器中光波特性分析

提出了基于束传输法（BPM）的大孔径光纤锥形过渡器理论分析模型。讨论了过渡器在纵向边界线性和非线性情况下（包括类似正弦型和余弦型变化）,分别以大小端作为输入端口,耦合角度以及耦合长度对过渡器的损耗和耦合效率的影响,得出了过渡器最佳纵向边界、耦合角度和耦合长度。     

在大鼠束旁核痛反应神经元上观察八肽胆囊收缩素对抗电针镇痛的作用

电针引起的镇痛和电击脚掌引起的镇痛机制的研究揭示了中枢神经系统在调制痛的感受方面存在两种功能相反的神经肽,即阿片肽和抗阿片肽.在多种抗阿片肽中,八肽胆囊收缩素(CCK-8)被认为是作用最强的一种.上述研究多用行为学方法作为测痛指标,当某种行为不出现时,很难确定是由于感觉系统或运动系统发生了障碍.为克服这一问题,我们以记录单细胞放电为指标,从而排除了运动成分的影响.