Stein流形上（p，q）－形式带权因子的积分表示

在边界的不同光滑段上采用不向的Ｌｅｒａｙ截面，构造了ｓｔｅｉｎ流形上（ｐ，ｑ）－形式带权因子的积分表示的Ｋｏｐｐｅｌｍａｎ－Ｌｅｒａｙ－Ｎｏｒｇｕｅｔ公式；当取定特殊权因子，就得到Ｓｔｅｉｎ流形上积分表示的Ｋｏｐｐｅｌｍａｎ－Ｌｅｒａｙ－Ｎｏｒｇｕｅｔ公式。     

复合二项K－S算子和PoissonK－S算子逼迫

引入复合二项Ｋａｎｔｏｒｏｖｉｃｈ－Ｓｔｉｅｌｔｊｅｓ算子（Ｓ＿ｒｖ）（ｘ）＝Ｓ＿（ｋ，τ）（ｘ）（τ＞０，０≤ｘ≤１），证明了当τ→＋∞时，（Ｓ＿τｖ）（ｘ）在（０，１］上几乎处处收敛于ｖ关于Ｌｅｂｅｇｕｅ测度的绝对连续部份的Ｒａｄａｎ－Ｎｉｋｏｄｙｍ导数ｆ（ｘ）．同时也证明了ＰｏｉｓｓｏｎＫ－Ｓ算子（Ｓ＿τｖ）（ｘ）＝（τｄｖ）在［ａ，ｂ］（０，＋∞）上也有类似的结论．     

一类新型多功能基配体的合成研究

３，４—二氢—２Ｈ—吡喃—５—醛与脂肪二胺在水溶剂中，在冰浴下反应４８ｈ，得到２，９—二羟丙基—４，７—二氮杂—２，８—癸二烯二醛（Ⅰ）和２，１０—二羟丙基—４，８—二氮杂—２，９—十一碳二烯二醛（Ⅱ），并经元素分析、红外光谱，核磁共振谱和质谱证实其结构．     

Tl_2Ba_2Ca_（n－1）Cu_nO_（2n＋4）超导体的能带结构

采用ＥＨＴ近似下的紧束缚能带结构方法，从能带结构、态密度和电荷分布等方面研究了Ｔｌ＿２Ｂａ＿２ＣｕＯ＿６，Ｔｌ＿２Ｂａ＿２ＣａＣｕ＿２Ｏ＿８和Ｔｌ＿２Ｂａ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（１０）超导体系的电子结构．从２－２－０－１，２－２－１－２到２－２－２－３相，费米能级附近的态密度及穿过费米面的能带数目相应增加．解释了随着单胞中Ｃｕ－Ｏ面数目的增加，超导转变温度升高的原因．     

图中有边不交的3个1─因子的一个新充分条件

Ｗｉｎ于１９８２年证明了２ｎ阶Ｏｒｅ－（１）型图有边不交的３个１－因子．本文改进这个结果，得到一个新的充分条件：２ｎ（ｎ≥１０）阶２－连通Ｏｒｅ－（－２）型图Ｇ有边不交的１个Ｈａｍｉｌｔｏｎ图和１个１－因子，除非Ｇ是附图中所示的图之一．     

提高紫罗兰酮产率的研究

本文介绍了合成α－和β－紫罗兰酮的原理和改进方法。该法与传统的合成方法在反应温度、碱液浓度、催化剂等各方面都作了系列比较和筛选，尤其是环化过程采用特殊溶剂Ａ与Ｂ，可使两种紫罗兰酮在纯度、产率方面都有显著的提高。     

B－值随机变量序列尾和的重对数律

本文利用Ｌｅｄｏｕｘ和Ｔａｌａｇｒｘｎｄ的Ｉｓｏｐｅｒｉｍｅｔｒｉｃ方法，将尾和形式的Ｋｏｌｍｏｇｏｒｏｖ重对数律推广到Ｂ－值随机变量序列情形，进而得到一般形式Ｂ－值随机变量序列的尾和重对数律，同时对独立同分布Ｂ－值随机变量序列得到了配重尾和的重对数律。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

钴（四氮杂环十四）络合物的结构对其电化学及电催化性质的影响

本文选择了３种具有不同配体结构的钴（四氖杂环十四）络合物：ＣＯ（Ⅲ）Ｃｙｃｌａｍ（１．４，８，１１－四氮杂环十四烷），ＣＯ（Ⅲ）－ＤＩＭ（２，３－二申基。１，４，８，１１－四氮杂环。（１，３）－二烯）和Ｃｏ（Ⅲ）－ＴＩＭ（２．３，９，１０－四甲基－１，４，８，１１－四氮杂环。［１，３．８，１０］－四烯）．研究平面配体（Ｎ４）结构的变化．主要是氮杂环不饱和程度的变化对３种络合物在酸性及中性溶液中电化学行为的影响，以及３种络合物在中性溶液中对还原的电催化活性。研究表明，随络合物中组杂环不饱和程度的增加．其配位场强度增强，络合物的自还原电位均向正的方向移动。大小顺序为：Ｃｏ（Ⅲ）－Ｃｙｃｌａｍ＜Ｃｏ（Ⅲ）－ＤＩＭ＜Ｃｏ（Ⅲ）－ＴＩＭ，而对还原的电催化活性则以Ｃｏ（Ⅲ）－Ｃｙｃｌａｍ最强，ＣＯ（Ⅲ）－ＤＩＭ次之，Ｃｏ（Ⅲ）－ＴＩＭ无明显的电催化活性。     

N－一羧乙基－邻菲啰啉的合成及其过渡金属配合物的研究

本文报道了Ｎ－一羧乙基一邻菲啰啉的合成及其过渡金属（Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ）配合物的制备方法，经化学和元素分析确定了它们的组成，测定了配合物的摩尔电导、溶解性；用红外光谱、紫外光谱、热谱等方法对配合物的结构进行了研究。