氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.     

介绍一种测量大电阻的新方法

针对一般数字万用表测量200MΩ以内大电阻误差大、200MΩ以上大电阻无法测量的缺点，利用其输入电阻大、直流电压测量范围大的优点，研究出了能较准确测量200MΩ—几十GΩ大电阻的新方法，介绍了其测量原理。并对该法的测量范围和误差进行了分析。     

低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20／Cu的结构与磁电阻

采用磁控溅射方法，获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ｃｕ金属多层膜，在室温下，其磁电阻和层间耦合状态随Ｃｕ层厚度的增加呈振荡变化，在Ｃｕ层厚度ｔＣｕ＝１．０ｎｍ，２．２ｎｍ时磁电阻出现２个峰值分别为１９．４％和１１．７％，饱和场约为６．４×１０＾４Ａ／ｍ和８×１０＾３Ａ／ｍ低温下（７７Ｋ）磁电阻为３３．２％和２７．６％，系统地研究了ＮｉＦｅ层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响，用真空退火     

常温半导体气敏元件的研制①

简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法、常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性，最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。     

电器开关触头间的接触电阻分析

阐述了开关电器触头的接触电阻增大的原因及由此产生的后果,介绍了测量触头间接触电阻的方法,并提出了限制触头接触电阻增大的措施.     

电阻栅MOSFET电流模型分析

本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ－ＭＯＳＦＥＴ一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。     

一个提高R-L-C电压分布实验准确性的可行方法——镇流器损耗的等效电阻法

在Ｒ Ｌ Ｃ电压分布实验中，以镇流器作为电感元件是一个很方便的办法。但这种做法的缺点是准确度很差。对此，本文提出一个改进的可行方法。即将镇流器的功率损耗看成一个电阻的损耗     

热输出曲线测量

在构件上布两片应变片构成半桥应变测量线路，构件在室温下不加载，且升降温后可自由膨胀，在此条件下测出构件在－２３℃至６６℃温度区间内的热输出曲线，为修正实测应变值提供了依据．     

闭合电路中有电感线圈时的探讨

由电源、电感线圈、灯泡等元件所构成的闭合电路中，当电源断开时，由于电感线圈的自感作用，可使灯泡继续放光。本文论述了什么样的电路在此情况下，灯泡继续放光，并能出现较原来“更为明亮”的现象。     

导电硅橡胶的线性电阻特性研究

研制了炭黑填充的线性导电硅橡胶，对炭黑填充的导电硅橡胶的电阻随炭黑含量变化及其线性特性进行了详细的研究，确定了最佳的炭黑含量，同时对其导电机理及实验结果作出比较合理的理论模型解释。