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本文计算了α~5的五个正交归一本征态的相位起伏和粒子数—相位不确定关系,并讨论了它们的特性和产生粒子数-相位不确定关系的条件,还研究了这五个本征态的N阶压缩。 相似文献
55.
考虑回归模型 y_i-x_iβ+g(t_i)+σ_ie_(is)i-1,2…,n, (1) 其中σ_i~2-f(u_i)>0,(x_i,t_i,u_i)是固定非随机设计点列,β是未知待估参数,g(·)和 相似文献
56.
讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Ｑ（ｉｔ）对高频ＭＯＳ－ＣＶ特性线的形变规律，提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法，以此算出Ｑ（ｉｔ）密度在禁带中的分布，并对常规高频ＣＶ法的测量误差作了讨论和修正，由于数据的采集和处理可以由微机完成，使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。 相似文献
57.
非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨 总被引：2，自引：0，他引：2
本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。 相似文献
58.
熊烈 《西北师范大学学报(自然科学版)》1988,(2)
本文对T·P·Liu教授关于“变截面管中跨声速气流”一文的关键性引理给出一个清楚的证明,以使这篇有影响的开创性论文更加完美。 相似文献
59.
考虑到杂质和表面粗糙的散射,运用量子统计的格林函数方法,计算金属薄膜中的电导率．计算表明：在薄膜系统中,来自杂质和表面粗糙散射的电导率都以π／ｋＦ（ｋＦ为费米波矢值）为周期随厚度ｄ振荡． 相似文献
60.
使用分子动力学模拟ＭｇＳｉＯ３以研究它的相变和超离子态．模拟采用Ｇｏｒｄｏｎ－Ｋｉｍ势和一种新的检测离子运动的技术．这项技术可以清楚地表现Ｏ２－离子的子晶格的熔解和八面体ＳｉＯ６的旋转．研究表明,ＭｇＳｉＯ３必须经历几番相变才能进入立方相．特别是在正交相和立方相之间存在一个过渡相．ＭｇＳｉＯ３确实存在超离子态相和立方相．这个超离子态相存在于熔点之前约２００～７００Ｋ．超离子态起始温度Ｔｃ和晶体熔点温度Ｔｍ的比率Ｔｃ／Ｔｍ～０．９２ 相似文献