稳态基本半导体方程的差分离散化

本文采用有限差分法对稳态基本半导体方程进行了离散化,并从减小离散引起的局部截断误差入手提出了一种合理的自动建网策略。模拟计算的结果表明了该方法的正确性、合理性。     

轴流无叶喷嘴出口子午倾角对级特性的影响

本文对3套不同出口子午倾角的轴流无叶喷嘴出口气流参数分布规律进行了比较,初步分析了这种三维边界层的结构,并据此引入了环量损失修正系数,以更准确地反映损失对气流参数的影响;通过对压力的径向平衡计算,分析了各因素对压力分布的影响,并提出用大的内环出口倾角来控制根部边界层内α_1角的过分增大。本文实验用的喷嘴型线变化范围比较广,得出的参数分布较有规律,对轴流无叶喷嘴透平的流型设计有较高的参考价值。     

直和空间上微分算子的延拓问题Ⅱ——直和空间上的J-自伴问题

本文给出了直和空间上J-对称微分算子的J-自伴延拓域的解析描述,并以一个具体的例子说明,这样的J-自伴延拓,不仅包含了各子区间上J-自伴延拓的直和,而且还包括不能用子区间上J-自伴延拓的直和去描述的延拓。     

单调型映象之满射性

首先讨论了多值非线性映象的数值域,进而研究了单调型映象的数值域与其满射性问题之间的关系.     

有限大板单边裂纹非定常热弹性应力强度因子的分析计算

本文用有限Fourier变换方法,导出了有限大板单边裂纹表面无热耗散时非定常的温度场,并应用热应力函数法求得裂纹尖端热应力强度因子。     

滴定量热中的动力学分析

分析了一级化学反应在滴定量热中的数学方程，并对热谱进行了解析．对相应的反应体系，可直接从热谱上求出其反应速率常数．     

平面图的星色数

本文确定一些平面图的星色数!并从我们的研究结果中,提出一些值得进一步探讨的问题     

特征数为2的有限域上对称矩阵的结合方案

1.结合方案与编码、设计及有限群理论有着密切的联系.1965年,万哲先讨论了由有限域上n×n Hermite矩阵构作的结合方案,并且计算了n=2时这个方案的参数.后来,本文第一作者对于这个方案的参数给出了一种递推的计算公式,并且把这种方法推广到交错矩阵和m×n矩阵构作的结合方案.近来,霍元极和祝学理,万哲先和霍元极相继讨论了特征数不为2的有限域上对称矩阵的结合方案.本文是这方面工作的继续,讨论特征数为2的有限域上对称矩阵的结合方案.关于结合方案的定义及参数的基本关系式可参见文献[1].     

纳米非晶氮化硅的界面极化行为及其机制

纳米非晶氮化硅由尺寸为纳米级非晶小颗粒经压制而成,界面占很大的比例.这种新型团体出现一些传统氮化硅所不具有的特殊性能.传统氮化硅是良好的绝缘体,研究它的介电行为当然十分重要.传统热压烧结和反应烧结获得的氮化硅的介电常数约为8.36,不论是晶态还是非晶态氮化硅在室温下的介电常数与频率无关.对于纳米非晶氨化硅介电行为的研究却未见报道.本文将系统研究纳米非晶氮化硅的介电行为,并深入研究产生这种特殊行为的机制.