BIOS常用参数设置的探讨

掌握电脑BIOS常用参数设置的基本方法和各种设置的特性可以提高电脑的性能 ,使它更好地为教学和科研服务。     

利用量子么正变换引起拓扑项的可移性求微扰项对Berry相因子的贡献

利用量子么正变换引起拓扑项的可移性，求出了一维无限深运动边界方势阱在压缩变换中出现的微扰项在一级近似下对Ｂｅｒｒｙ相因子的贡献。     

函数可展成泰勒级数的一个充分条件

给出了函数可展成泰勒级数的一个新的充分条件 ,它是已有定理的补充     

关于原子光谱项的推导

本文介绍了几种推导原子光谱项的方法,并对其中某些方法作了改进,使得推导工作得以简化.     

基于离散特征系统的抛物方程源项反演方法

主要研究离散特征系统下抛物方程源项反演的对数型正则化方法。首先,用有限差分法离散椭圆算子,利用分块矩阵的特点计算出椭圆算子的离散特征值和相应的特征向量;然后,将它们应用到抛物型方程源项反演的对数型正则化方法中。通过数值实验表明,对数型正则化方法可以通过离散特征值及其对应的特征向量成功实现。     

一类系数最优控制的最大值原理

讨论了一类由半线性抛物方程支配系统的系数最优控制问题,其控制区域是长方体的端点集,利用凸化方法与Ｅｋｅｌａｎｄ变分原理,得到了最优控制的必要条件,给出了最优控制所满足的最大值原理．     

一个两点边值问题多重正解的存在性

利用不动点指数的同伦不变性和最大值原理,经过构造一个函数,得到了非线性两点边值问题至少存在两个正解的新的充分条件．该结果在Ｄｉｒｉｃｈｌｅｔ边值问题的情况下,严格优于文献［１］的相应结果．     

聚球藻对镍的富集作用及影响因素

研究了环境因素与自身因素对聚球藻富集镍的影响.聚球藻对镍的富集时间在80min可以达到平衡;镍藻质量比最优值为16%～18%,此时富集量达到最大值即饱和吸附范围;pH值是影响富集的一个重要因素,同样条件下随pH值的增加富集量会不断增加,但由于过高pH会导致氢氧化镍生成,因此最佳pH值在9～10;温度和光强是调节富集量的两个因素,温度在35℃、照度在30001x左右是最佳的富集条件;同样条件下,死藻比活藻的富集量略高.     

采用氮气发生剂的子弹药气囊抛撒内弹道计算模型

在经典内弹道理论基础上,建立了以氮气发生剂为抛撒动力源的子弹药气囊抛撒内弹道模型.将整个氮气发生器视为气源,提出了名义燃速的概念,建立了名义燃速方程,把氮气发生器及抛撒装置的结构等因素对名义燃速的影响通过引入结构综合参量体现,简化了计算过程.名义燃速方程采用了带有常数项的指数形式.用该模型计算所得结果与试验测试值符合较好,可用于抛撒技术的研究和工程应用.     

CPML截断2.5维问题中圆柱波导开放边界的应用

为了解决高功率微波(HPM)源模拟中圆柱波导开放边界的截断问题，研究了柱坐标系下卷积完全匹配层(CPML)吸收边界，给出了CPML中电磁场的差分方程和轴边界条件，并进行了数值验证．在不同频率和模式的激励源作用下，模拟了2．5维问题中CPML截断圆柱波导开放边界的性能，相对误差最大值都小于-90dB在2．5维电磁PIC软件中引入CPML方法，模拟计算了相对论返波管．结果表明，CPML在截断波导开放边界方面的性能远好于Mur型吸收边界条件。