大面积液晶显示面板光刻机新型工作台设计

论述曝光面积达３５６ｍｍ×３５６ｍｍ，套刻精度为±２μｍ，接近式（０～２５１μｍ）液晶显示面版光刻机的新型工作台设计。     

红外微腔探测器中金属支撑柱的制备工艺研究

基于一般正胶光刻工艺的剥离工艺,所需胶膜的厚度要大大超过剥离薄膜的厚度,这样在剥离线宽小、厚度大的微腔结构探测器的金属互连柱图形时就会存在光刻分辨率低、剥离难的问题.本文重点研究了基于AZ5214E光刻胶图像反转性能的剥离工艺,对图像反转光刻所特有的反转烘、掩模曝光、泛曝光工艺条件进行了详细的对比实验.结果表明:当反转烘温度为96～98℃,第一次掩模曝光时间和泛曝光时间分别为8.1 s、8.4 s时,可以得到较好的光刻图形.通过电子束蒸发Ti,成功剥离出高2.40μm、面积3.0 μm×3.0 μm的Ti微互连柱.此工艺的优点在于分辨率高,胶膜与剥离薄膜的厚度比接近1时,也能剥离出所要图形,可以用于制备MEMS微腔器件中的微互连柱.     

现代相机自动曝光的附助功能

本文着重介绍自动曝光相机在光线复杂的拍摄条件下,自动曝光就隐藏着“欺骗”性,采用曝光书记、曝光补偿等相机辅助功能,就可达到精确的曝光,可促使摄影作品的质地、色彩、光线等艺术效果得到充分的展示。     

7740玻璃湿法腐蚀凹槽及槽内光刻图形的研究

用玻璃腐蚀工艺制作MEMS器件，腐蚀非常困难．通过对PYREX7740玻璃在Buffer溶液中腐蚀速率的研究发现，PYREX7740玻璃腐蚀1μm的槽需要25min．而作为掩膜的光刻胶在腐蚀液中只能保持10min不浮胶．为此，中详细介绍了运用一次光刻．多次坚膜．多次腐蚀的工艺．来达到对PYREX7740玻璃进行深腐蚀的方法．实验结果表明．光刻胶厚度、坚膜时间、坚膜次数和坚膜温度都与光刻胶的浮胶有关．最后给出了不同条件下凹槽深度与所需的曝光和显影时间的关系，槽越深需要的曝光和显影时间越长，这对于用PYREX7740玻璃制作MEMS器件具有重要意义。     

粒子成像测速法中曝光次数与干涉条纹位置的关系

分析了ＰＩＶ采样底片多次曝光时粒子衍射调制作用对干涉条纹位置的影响，推导出条纹偏移量与曝光次数和粒子相对位移量的关系，分析结果得到了实验的证明。     

新闻摄影的分类与拍摄漫议

本文对新闻摄影的题材与体裁进行了归纳总结,着重阐述了在特殊条件下(阴雨天、雪天、空中)新闻照片的拍摄。作者认为,选择好拍摄角度、准确曝光、调整好快门速度、正确运用滤色镜等是提高在特殊条件下新闻照片拍摄质量的关键。     

用脉冲数字散斑方法测量物体瞬态运动轨迹

提出了利用脉冲多曝光数字散斑技术取代干板照相技术记录物体瞬态运动轨迹的研究方法，根据杨氏条纹模型详细分析了该方法的基本原理，给出了瞬态运动轨迹的测量结果，最后对影响实验结果的因素进行了讨论。     

利用扫描隧道显微镜构造硅表面nm尺度图形的研究

在大气中,利用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在氢钝化的Ｓｉ（１１０）表面直接进行化学改性,形成了２０～６０ｎｍ的ＳｉＯ线条．通过化学腐蚀,成功地将该ｎｍ线条转移到Ｓｉ基片上．实验证明,经ＳＴＭ改性的ＳｉＯ可以作为腐蚀掩膜,利用此氧化膜可以在Ｓｉ表面构造ｎｍ尺度图形结构,从而为研究构造具有量子效应的微器件工艺奠定了基础．     

浅析掌握数码相机的基本测光模式

<正>1数码相机常见的三种测光模式现在市面上出售的数码相机,一般具有以下几种测光模式:平均测光:这是数码相机中最主要的测光模式。也有部分相机将平均测光称为"矩阵测光",例如尼康数码相机将它