部分充填混凝土-钢箱连续组合梁裂缝特征

对5根部分充填混凝土-钢箱连续组合梁进行静力加载试验,研究组合梁在负弯矩作用下的混凝土面板的裂缝开裂和发展特征.根据试验结果与理论分析,综合考虑力比、栓钉间距对部分充填混凝土-钢箱连续组合梁裂缝特征的影响,对比负弯矩区裂缝宽度试验值与各文献计算值.结果表明:力比对裂缝最大宽度的影响较大,栓钉可引起次生裂缝的产生,故应将力比及栓钉连接件的间距作为部分充填混凝土-钢箱组合梁中支座区最大裂缝宽度计算的重要参数.     

钢-薄层UHPC轻型组合桥面结构抗弯疲劳及剩余承载力试验研究

为探明栓钉间距对钢-UHPC轻型组合桥面结构受力性能的影响规律,完成了3个钢-UHPC组合梁试件变幅疲劳试验,主要试验变量为栓钉间距（100 mm、150 mm、300 mm）.在疲劳试验中,重点考察了栓钉间距对轻型组合桥面结构疲劳性能的影响,并关注了栓钉焊趾处钢面板受拉-短栓钉受剪耦合作用下的疲劳性能;而在疲劳后的剩余承载力试验中,探明了栓钉间距对疲劳后UHPC裂缝发展规律及抗弯承载力的影响.疲劳试验结果表明,当栓钉间距为300 mm时,单位荷载下的钢-UHPC界面滑移明显高于其他两个试件,但在疲劳加载过程中,界面滑移增长并不明显;对于U肋受压区底板应变,当栓钉间距为100 mm和150 mm时,整个疲劳试验过程无明显变化,而当栓钉间距为300 mm时,应变呈现微小的增大趋势;为分析试件中栓钉根部的钢面板拉-剪耦合疲劳受力状态,基于《公路钢混组合桥梁设计与施工规范》（JTG/T D64-01—2015）中的计算方法进行了分析,结果表明,该方法能够获得偏保守的计算结果.此外,疲劳后的剩余承载力试验表明,栓钉间距越小,试件的塑性变形能力越强,截面的抗弯承载力相应提高.分别按弹塑性理论和塑性理论计算了试件的剩余承载力,发现试件虽然经历了疲劳加载,但测承载力仍大于计算承载力,且基于塑性理论的计算结果更接近实测结果.     

基于机器视觉的PCB板误差校正方法

为评价6轮摇臂-转向架式月球探测车的地面通过性，分析了其失去越障通过性的类型，确定了通过性几何参数．推导了失去通过性的条件，包括车身悬起和越过垂直障碍失去通过性的条件，由此对越过壕沟失去通过性的条件进行了分析，确定了月球探测车悬起失效、越过垂直障碍、跨越壕沟的极限尺寸，并给出了运用ADAMS软件仿真越过垂直障碍过程时各车轮所受正压力曲线．最后，对探测车原理样机的地面越障通过性进行了模拟实验．     

浅议大电流导体并行分布的最小安全距离

本文从电磁原理和通电导体在磁场作用下的受力分析,计算出并行母线的最小间距。并在实际中利用最小间距确定母线的合理分布和固定,保证了母线的牢固性。     

基坑支护及挡土墙设计中土层拱效应的理论分析

通过对水平土拱形梁法的分析，得出了支护桩之间的合理间距，为工程人员设计应用提供了可以量化的理论依据，并提出在支护设计中应采用强桩弱墙的支护结构。     

探讨自动往复式喷涂机涂装参数的优化

随着汽车市场的竞争愈来愈激烈，各汽车厂家纷纷打出价格战，以降价来促销，这就要求汽车制造部门，不仅要提高产品的质量，更要从降低汽车制造的成本出发。只有这样才能在这场汽车价格战中立于不败之地。本文所阐述的是如何使用ABB自动喷涂机的涂装参数调整改进来降低涂料损耗，降低设备故障率。     

轴向剃齿时齿向误差的形成机理及消除措施

本文试图从几何学和运劝学的角度系统地分析齿向误差形成的原因、特征和机理,并针对性地提出相应的消除措施,以便保证产品质量、降低成本和提高生产率。     

多热源碳化硅合成炉热源参数与产率的关系研究

利用ANSYS软件对多热源炉温度场数值计算的模拟结果,系统地分析了热源数目、炉芯间距与产率之间的关系.研究发现,炉芯间距过大或过小,产率均有一定程度的下降。对于10 000 kVA的变电系统和炉长L×炉宽B×炉高H=20 m×5 m×5 m的炉子而言,热源数目为4,对应的炉芯尺寸为H=B=0.34 m,炉芯间距d=1.0 m时,产率最高。这一结果通过工业生产得到了验证。     

盐岩水平溶腔建腔期流体运移实验研究

采用量纲分析法建立实验相似理论并建立模拟实验平台,采用示踪剂方法观测在不同套管间距、流量条件下的流场分布情况,并用高清相机记录。以此归纳总结出盐岩水平溶腔腔内卤水运移可分为三个作用区:对流扩散区、缓冲扩散区和饱和沉淀区。计算了各区域的运移范围,并将实验得出的数据依据相似比换算成实际工程中的数值,为现场盐岩水平溶腔的高速高效建造提供指导。     

SOI双槽隔离结构的耐压特性

理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.