薄发射区晶闸管结构及特性的研究

在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_T的关系式.分析计算表明,对一确定的宽度W_B和厚度W_P,在某一Q_E下有V_T极小值点存在;当W_P小于等于0.1μm时,随着Q_E的减小,V_T单调下降并趋于一几乎不变的值;当Q_E大于某一值时,V_T与W_P无关,而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加.实验结果还表明,用LPCVD原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品,与普通晶闸管相比,有较好的速度特性.     

非正弦波给异步电动机运行带来的影响及克服方法

本文分析非正弦波在三相异步电动机中产生的原因，对电机运行的影响及克服方法．     

场控晶闸管及其设计

本文描述了新型晶闸管FCT的结构和工作原理。介绍了四种不同场控晶闸管的设计考虑。指出,为了获得性能优良的FCT,必须采用隐埋栅与平面栅相结合的方法。文中还将场控晶闸管与普通晶闸管相比较,表明场控晶闸管具有电压高、电流大、速度快、高di/dt、高dv/dt和压降低等优点,因此必将在电力系统中得到广泛应用。     

双向晶闸管交流开关应用

介绍了双向晶闸管交流开关的特性,阐述了采用双向晶闸管交流开关对铸锭用电机频繁起停的原控制电路进行的改造。     

中频电源中晶闸管故障分析

晶闸管是晶闸管中频电源的关键部件，本文首先分析了品闸管中频电源的工作原理，然后分析了晶闸管中频电源中晶闸管故障的原因，最后提出了一些保护措施。     

静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟

运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义.     

电流源型半桥式晶闸管感应加热电源的分析与设计

为满足中低频（0．15～10kHz）大功率感应加热和熔炼的要求,该文提出了一种电流源型半桥式晶闸管逆变器。探讨了其独特的双电流源电路结构的优势,比较了不同负载电流状态下的电路工作状态,通过数学计算得出直／交流等效电阻间的关系和输出功率比与频率比的关系曲线。通过功率输出特性分析可知,电路工作于负载电流连续状态且工作频率趋向理想状态时最适合大功率输出和功率调节。给出了选取电路参数的经典方法。根据该方法设计了一台样机,通过实验验证了理论分析及参数选取方法的正确性。     

DQ同步坐标系下非同步双电源固态开关切换控制研究

传统的双电源固态开关是以主备用电源同步为前提条件,无法保障两路独立电源供电.本文研究了一种基于dq变换和二阶广义积分器锁相技术的双电源固态切换开关切换控制方法,可实现主电源和备用电源非同步情况下快速和无冲击切换,可保证一类负荷的可靠稳定运行.通过二阶广义积分器提取非理想电网的基波正序分量,通过锁相和锁频得到精确的电网相...     

关于多束质子辐照晶闸管的退火研究

作者研究了多束质子辐照对晶闸管开关特性和通态电压的影响 ,分析了退火机理 ,找出了最佳退火流程 ,获得了优良的通态电压与关断时间 (VTM～Tq)的折衷关系 .