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71.
设计了几种基于CMOS工艺的高频RFID整流器,包括:桥式整流器,栅压交叉连接桥式整流器,NMOS-PMOS栅压交叉连接桥式整流器.分析了NMOS栅压交叉连接桥式整流器和PMOS栅压交叉连接桥式整流器的结构和特点.所设计的这两种电路具有负载驱动能力强,漏电流低,电路能量转换效率高等特性,并且随着输入功率的变化有着很好的电路稳定性.另外对一种改进型NMOS-PMOS栅压交叉连接桥式整流器电路进行了讨论,在一定的输入功率下这种电路具有很高的能量转换效率.给出了几种电路的仿真结果,并对仿真数据进行了比较. 相似文献
72.
对一种采用Buck-Boost级联的主电路高功率因数整流器进行了理论和控制策略方面的研究,在此基础上,利用一高性能的DSP作主控器,设计了实验电路与有关软件,给出了实验结果,结果表明,该方法具有较好的功率因数校正能力,并能提供输出电压从17 ̄117%输入电压峰值的调压范围。 相似文献
73.
针对普通晶闸管变流装置深控时功率因数低的问题,在分析了晶闸管超前相控基理及其实现条件的基础上,提出了一种采用晶闸管超前相控、提供无功补偿的方法.现场运行结果表明:该装置在输出有功功率的同时,还可根据需要提供无功补偿,提高了电网功率因数,减小了无功损耗,节约了电能,经济效益和社会效益显著. 相似文献
74.
研制了一种具有不同通道的新型变极性等离子弧焊设备.采用双电源对主弧正负半波供电,在负半波以水冷铜喷嘴代替钨电极作阳极,既避免了主、维弧相互干涉现象,又降低了钨电极的烧损,使电弧和焊接过程稳定性提高.此外,电流频率、正负半波幅值和导通比的独立可调,能满足铝合金焊接时对金属熔化和阴极清理的不同需要. 相似文献
75.
应用TMS320F240设计了一套全数字基于单相半桥拓扑的单位功率因数整流器.通过针对输出电容的电压差值的直流分量进行补偿,解决了电压平衡问题.主要讨论了单位功率因数实现和电容电压平衡问题及其关系.通过仿真和试验证实,在不影响输入功率因数的条件下,可以实现电容电压平衡. 相似文献
76.
三相PWM高功率因数整流器控制技术综述 总被引:1,自引:0,他引:1
三相PWM高功率整流器已成为电力电子和控制领域专家研究的热点.国内外大量献展现了最新的研究成果和控制技术.通过大量调查和深入研究对最新的研究成果进行系统分析与全面总结。 相似文献
77.
介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构和工作原理。探讨了MCT在关断情况下的物理状态模型,并对MCT的物理状态模型采用状态平均法建立其关断时的数学模型。把整个器件看成一个系统,利用状态空间分析法分析其关断时系统的稳定性,从而推导出MCT的可关断的最大电流,然后分析其可关断的最大电流与其结构参数的关系。并利用MATLAB/Simulink进行仿真。仿真结果与解析分析结果一致。 相似文献
78.
台面刻蚀对电力SITH器件特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
分析了台面刻蚀程度对埋栅型SITHI-V特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而限制了栅体的控制能力,影响器件性能,严重时会导致特性异常,这是影响器件成品率的一个重要因素.台面刻蚀必须刻透外延层并适当过腐蚀,过腐蚀程度宜控制在栅体结深的1/10左右. 相似文献
79.
为了解决传统PI控制器调节速度慢,追踪性能差等问题,文中提出了BP神经网络和分数阶PIλDμ(BP-FOPID)相结合的控制方法。本文首先根据VIENNA整流器的拓扑结构推导出数学模型。接着根据数学模型设计双闭环控制,其中外环采用BP 神经网络对参考电流进行非线性拟合,内环采用分数阶PIλDμ控制器对外环输出的参考电流进行跟踪。另外,由于直流侧上下桥臂电容电压会存在不平衡的问题,本文采用了计及小矢量的改进SVPWM调制策略。最后,在 MATLAB/Simulink 中建立相应的仿真模型,仿真结果表明,文中所提的BP-FOPID的有效性和优越性。 相似文献
80.
为了提高单相PWM整流器输出电压的质量,解决传统控制策略存在参数整定困难的问题,改善小型能源路由器中间级的输入电压,提出了电压外环模糊自适应控制策略。首先,根据电路特征,建立单相PWM整流器的最优数学模型;其次,将模糊控制思想引入电压外环控制策略中,与传统的PI控制相结合,针对传统PI参数的影响,构建模糊规则,计算模糊因子;最后,与比例谐振控制结合,给出了单相PWM整流器电压外环模糊自适应控制。结果表明,所提出的控制策略具有良好的动态特性,可以在一定程度上减少负载波动时输出电压的波动,且在单位功率因数条件下,能够实现整流器的整流或逆变。改进策略可为小型能源路由器能量双向传输方面的研究提供参考。 相似文献