首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   9594篇
  免费   226篇
  国内免费   378篇
系统科学   228篇
丛书文集   401篇
教育与普及   423篇
理论与方法论   38篇
现状及发展   95篇
综合类   9013篇
  2024年   43篇
  2023年   179篇
  2022年   194篇
  2021年   232篇
  2020年   177篇
  2019年   155篇
  2018年   97篇
  2017年   137篇
  2016年   158篇
  2015年   202篇
  2014年   401篇
  2013年   409篇
  2012年   487篇
  2011年   562篇
  2010年   570篇
  2009年   590篇
  2008年   602篇
  2007年   602篇
  2006年   500篇
  2005年   447篇
  2004年   386篇
  2003年   406篇
  2002年   373篇
  2001年   355篇
  2000年   276篇
  1999年   249篇
  1998年   166篇
  1997年   201篇
  1996年   173篇
  1995年   161篇
  1994年   145篇
  1993年   117篇
  1992年   97篇
  1991年   98篇
  1990年   71篇
  1989年   63篇
  1988年   51篇
  1987年   28篇
  1986年   26篇
  1985年   6篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
  1957年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO/NiFe的矫顽力HC和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO,铁磁层NiFe厚度的关系。结果表明:NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而增大。当NiFe厚度增加时,Hex近似线性减小;而Hc则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小。  相似文献   
92.
本文提出了一种插齿切削层的计算方法。此方法基于分析单齿在切入过程中的负荷,用叠加法求出整个插齿刀的切削负荷,这有助于了解插齿刀的工作状况。  相似文献   
93.
插齿机刀轴常出现裂纹。本文探讨出现裂纹的原因,认为是热处理淬火后压力校直时压下力过大所致。在刀轴 C—N 共渗时将立装改为吊装,并控制校直压力后,未再出现裂纹。  相似文献   
94.
电子器件在高温气流中的绝热方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种由真空多层绝热结构和吸热材料组成的电子器件绝热系统,根据实验结果和理论分析,得出了绝热系统内的温度响应函数,在此基础上进一步导出了绝热与吸热层的最佳经例结构,采用该方法设计制做的φ36/φ20绝热瓶,可以使电子器件在360℃环境中安全工作6h。  相似文献   
95.
制造高居里点PTC热敏陶瓷用的高铅粉体掺杂瓷料,具有易分层、易挥发、不均匀等特点.通过设计合理配方、改进均化和细化粉体的加工、制定非等温速率的阶梯状快速升降温制度。获得性能和结构都较好的居里点Tc>300℃的PTC陶瓷发热元件。  相似文献   
96.
本文研究了不同稀土含量对粉末渗硼层深的影响。试验结果表明,粉末渗硼剂中加入稀土元素均有催渗作用,并存在一个起明显催渗作用的最佳值。本章分析了稀土含量对渗硼过程动力学及表层硬度的影响,对稀土催渗机理进行了探讨。  相似文献   
97.
李征 《科技资讯》2006,(28):72-73
本文主要通过对隔震支座的力学模型、有限元模型、多遇地震和罕遇地震作用下结构响应,隔震层刚度和隔震层阻尼对减震效果的影响等几方面的分析,研究了隔震技术在钢结构跃层加层中的应用。  相似文献   
98.
结构抗震计算时程分析法的计算要点   总被引:4,自引:0,他引:4  
在结构抗震计算需要更准确的计算方法时可以采用时程分析法,在设计较为复杂或特别不规则的结构时也应采用时程分析法进行补充分析。文章结合《建筑抗震设计规范》(GB50011-2001),介绍了时程分析法的应用范围、计算要点及如何分析和使用时程分析法的计算结果。  相似文献   
99.
本文化轴对称横观各向同性问题的基本方程为状态方程,然后引入矩阵微分方程理论,导出轴对称问题的静态解答。推导过程简明,所有结果均以显式给出,并以各向同性问题作为例证。  相似文献   
100.
本文推导出外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式,及使外延层理想比电阻ρW取最小值时电阻率和厚度的精确表达式。从比导通电阻最小的要求考虑,提出了优选外延层参数的方法,计算结果表明,此法优于传统方法和C.Hu方法,可使VDMOSFET的比导通电阻达到最小值。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号