硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题

实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。     

对向靶溅射法中直流负偏压对FeN化合物薄膜的结构和磁性的影响

对向靶反应溅射法制备的FeN化合物薄膜的结构和磁性对基板偏压的变化很敏感,不同的偏压数值作用的效果不同。我们用基板偏压促进成膜原子间的相互扩散,以及对负离子排斥降低膜中N的浓度和粒子轰击对膜再溅射的观点解释了FeN膜的结构和磁性的变化。     

应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移

采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡＩＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价带偏移值的影响．结果表明，它们的价带偏移值具有显著的应变效应，此一显著的应变效应来源于应变的单轴分量及其与自旋－轨道分裂能量的耦合．这一效应导致了ＡＩＳｂ－ｌｎＳｂ和ＧａＳｂ－ＩｎＳｂ系统中最高价带排列的Ⅰ－Ⅱ型超晶格的转变．     

硼酸铝钕晶体中钕离子的电声子耦合S因子

利用黄昆公式和晶格场动力学参数与静晶场参数的关系估算了硼酸铝钕(NAB)激光晶体中钕离子的 S 因子。进一步讨论了 Auzel 关于自激活激光晶体浓度猝灭效应准则的深层含意.     

金属Fe/Cu超晶格的结构和磁性

用真空双源蒸镀法成功地制备了金属Fe/Cu磁性超晶格,对Fe/Cu超品格的结构和磁性进行了研究.在Fe/Cu超晶格中,Fe、Cu通过形变来实现共格匹配,其晶体结构与Fe、Cu层的厚度比有关.在Fe层较薄时出现fcc结构的Fe层,fcc Fe呈铁磁性但其磁性比bcc Fe弱.在Cu层厚度小于20时,近邻Fe层之间发生交换耦合,这种交换耦合解释为R、K、K、Y相互作用.     

杂质引起的双原子链晶格振动频率的变化

对含单个杂质的双原子链的晶格振动模型的振动方程进行求解，得到了晶格振动频率和局域模频率的解析解，给出了该模型中杂质对双原子链的光学振动频率和声学振动频率的影响，并对局域模进行简要讨论。     

超晶格中电子透射共振的机理

本文阐明了在超晶格中电子透射共振的机理，并将它与晶格中电子共振散射作了详细的比较，其理论计算的结果对超晶格某些原子层和分子层以及极薄的半导体层结构的研究都有重要意义，并为设计一种新型的放大率很高的量子放大器——透射共振量子放大器提供了理论计算的依据．     

铁铬铝合金晶粒长大及合金中稀土元素

研究了不同稀土含量铁铬铝合金,在高温下晶粒长大及界面结构。结果表明:在1200℃以上高温,稀土组元(以La为主)对抑制合金的晶界长大有一定效果,La_2O_3可作为TiN相析出的形核中心,细小TiN质点可在晶界上出现,阻碍晶界迁移;在变温过程中,La向界而扩散,在晶界以La_2O_3形式出现,同时稀土加速氧穿过氧化膜向基体中渗透,导致Al_2O_3及La_2O_3在基体中形成。     

费波那奇超晶格的能量本征方程

费波那奇(Fibonacci)超晶格是一种具有准周期性结构的超晶格,Bloch 定理对此结构不适用.本文用特征矩阵方法给出了 Fibonacci 超晶格的能量本征值方程,并指出进行数值计算求解本征方程的可能性.