Ni3Al中空位团对周围原子排列与位移阈能的影响

反应堆材料是在强辐照条件下工作的.由于核反应堆安全性和可靠性的要求,人们做了大量的工作来研究辐照损伤对材料的结沟与性能的影响,由于从实验上跟踪缺陷生成的过程与微观机制非常困难,目前这方面的很多结果是通过计算机模拟结合一些纯理论工作得出的.其中不少工作是通过计算材料中原子的位移阈能(Displacement threshold energy,E_d)来研究材料的辐照损伤效应.快速运动的原子,能够导致产生稳定的Frenkel缺陷对,该原子所具有的最小的动能就是它的位移阈能,E_d是表证材料中辐照损伤效应的重要参数.     

铁磁—反铁磁超晶格零温磁矩

用线性自旋波理论研究铁磁－反铁磁超晶格的零温磁性质，数值计算结果表明，反铁磁层内耦合强度Ｊ２对超晶格性质有重要影响，是格零温磁矩有着非同建党的量子效应．     

铁磁—反铁磁超晶格的自旋波理论

采用线性自旋波理论和利用数值计算的方法得到铁磁－反铁磁超晶格的磁矩。     

聚丁二炔（PDH＇s）中光致变色机理的探讨

基于聚丁二炔（Ｐｏｌｙｄｉａｃｅｔｙｌｅｎｅｓ）（简写为ＰＤＡ＇ｓ）中光致变色伴随Ｒａｍａｎ谱的显著改变这一事实，认为其先致变色是光诱导相结构转变的结果．建立了描述光诱导相结构转变的数学模型；对于光致变色的微观机理进行了深入的探讨；数值计算了光诱导相结构转变系数对入射光子能量的依赖关系，与实验符合。     

合金缺陷伯穆斯堡尔谱研究

由于穆斯堡尔谱学方法具有极高的能量分辨率并可以提供核周围环境的超精细相互作用信息，而合金的特性在晶格缺陷附近会与完整晶体不同，因此，以合适的共振原子作为探针测得穆斯堡尔谱，便可以从中得到有关晶格缺陷的信息。     

1.3μmInGaAsP半导体激光器晶格温升的研究

测量了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器自发发射光谱。利用脉冲工作条件下自发发射谱线的微小漂移，对激光器激光活区中晶格温升进行了测量分析，得到了晶格温升与热平衡时间的关系曲线。     

KZnF3：Fe^3＋晶体中Zn^2＋—空位研究

本文通过对零场分裂参量的理论计算，证实了ＫＺｎＦ３：Ｆｅ＾３＋晶体中Ｚｎ＾２＋－空位方向的配体要移动。     

密排六方金属中多空位的改进分析型嵌入原子法计算

应用改进分析型嵌入原子法(Modified Analytical Embedded-Atom Method,MAEAM),计算了密排六方(Hexagonal Closed-Packed,HCP)金属(c/a<1.633)单空位形成能以及双空位与三空位的形成能与结合能.空位形成能的最小值或结合能的最大值均表明,双空位稳定结构是第一近邻[1n]、第二近邻[2n]或第三近邻[3n];三空位稳定结构是三空位组成两个第一近邻和一个第二近邻[112]、一个第一近邻和一个第二近邻以及一个第三近邻[123]或三个第二近邻[222].这说明在密排六方金属(c/a<1.633)中存在空位聚集趋势.     

高压下空位浓度对铝的弹性性质的影响

运用分子动力学方法及Y.M ish in的EAM势,计算得到铝的空位形成能为0.70 eV,与实验值符合.对6×6×6、7×7×7、8×8×8、9×9×9各失去一个原子的4种含有不同空位浓度的铝系统的弹性系数进行了模拟,并对同一浓度的缺陷晶体在0~15GPa压强范围的弹性系数进行了计算,发现空位浓度的提高降低了铝的弹性系数,而压强的增大使得缺陷系统的弹性系数越接近相同压强完整晶体的弹性系数.     

溅射法制备的ZnO薄膜的光发射

报道了用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有好的(002)择优取向的多晶ZnO薄膜，在514nm处观察到显著的单色绿光发射峰；且随着氧分压的增加，绿光发射峰的强度减弱．经真空中退火该发射峰增强；而在氧气中退火该发射峰强度减弱．该发射峰强度依赖于氧分压的事实表明：514nm绿光发射峰与ZnO薄膜中的氧空位缺密切相关，认为它来自于氧空位缺陷深施主能级上的电子到价带顶上的跃迁．