基于MMC的逆变器的仿真

基于模块化多电平逆变器在进行逆变时,无需外加的换相电压,具备自换相能力,可以工作在无源逆变方式,使利用直流输电为孤立负荷送电成为可能.在介绍MMC拓扑结构和换流工作原理的同时,分析了基于MMC逆变器的控制策略中的电容电压平衡控制策略和NLM调制算法,并采用上述的控制策略利用PSCAD搭建9电平逆变器模型.通过分析子模块电容电压波动百分比和逆变产生的相电压谐波总畸变率验证搭建MMC模型的合理性.     

多菇口服液毒理安全性实验研究

目的检测多菇口服液作为保健食品的安全性。方法通过小鼠经口急性毒性试验、致突变试验,大鼠30d喂养试验对多菇口服液进行检测。结果小鼠经口LD50>21.5g/kg,属无毒级物质;致突变试验结果为阴性;大鼠30d喂养试验表明各剂量组体重增长、食物利用率、脏体比、血液学及血清生化指标与对照组比较均无显着性差异(P>0.05)。病理检查主要脏器未发现与实验有关的病理性改变。结论多菇口服液为无毒、无致突变作用的保健食品。     

形状记忆合金相变过程中热力学能变化探究

目的 研究在一个方面给出形状记忆合金的自由能变换的规律。方法 根据固体理论,利用晶格原子势能和晶格振动能,讨论在形状记忆合金相变过程中热力学能的变化,分析热力学能的具体表现形式,并给了能量转化的量。结果与结论 在形状记忆合金正相变过程中,热力学能的变化促进了相变。     

第二类InAs／GaSb（001）半导体超晶格能带边结构的赝势计算

采用一种新的赝势方法计算了第二类ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超晶格能带边结构随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚变化的规律．计算结果显示，随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚的变化，超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程．同时，我们还得到超晶格发生半导体—半金属转变的区域     

LiF：Co^2＋和NaF：Co^2＋晶格中的Co^2＋—F^—键长

本文从光谱数据出发，用参量化的ｄ轨道理论确定了ＬｉＦ：Ｃｏ＾２＋和ＮａＦ：Ｃｏ＾２＋晶体中的Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长，结果表明：ＬｉＦ：Ｃｏ＾２＋中，Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长基本与未掺杂ＬｉＦ晶体中的Ｌｉ－Ｆ距离相同；而ＮａＦ：Ｃｏ＾２＋中的Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长很大收缩，完全不同于未掺杂ＮａＦ晶格中的Ｎａ－Ｆ键长，从杂质离子半径与被取代离子半径的差别引起的局域畸变及静电平衡机制引起局域畸变出发进行的讨论表明，所     

铝对大蒜根尖细胞有丝分裂的影响

用不同浓度的三氯化铝分别处理大蒜根尖6h,18h,24h,结果表明:各处理组均对大蒜根尖细胞有丝分裂产生抑制.随着处理液中铝浓度的升高及处理时间的加长,有丝分裂指数呈现规律性的变化:染毒的根尖细胞有丝分裂指数明显低于对照组,并随着作用时间的延长快速下降,随着浓度的升高先减后增再减,说明三氯化铝具有细胞分裂抑制剂的作用.不同浓度的三氯化铝在不同处理时间内均能诱使大蒜根尖细胞发生染色体畸变.     

腹板开孔冷弯卷边槽钢双肢拼合梁的畸变屈曲研究

为了研究腹板开孔冷弯卷边槽钢双肢拼合梁的畸变屈曲性能,在已有相关弯曲实验的基础上,对不同螺钉间距、孔洞大小和孔洞间距的构件进行了有限元参数分析.结果表明:在特定截面参数下,双肢拼合构件可以表现为以畸变屈曲为主的畸变-局部相关屈曲模态;受畸变屈曲控制的构件弯曲承载力随孔径的增大而减小,且下降幅度随着孔高比的增大而增加;螺...     

基于晶格缺陷的谷极化三维弹性声子晶体的拓扑界面传播特性

晶格缺陷(包括旋错和位错等)广泛存在于各种材料,并呈现出优异的物理和力学性能.在经典波动体系,晶格缺陷态首先应用于二维光学系统,实现了晶格缺陷激发的谷极化界面态和束缚态.本文设计了一种三维弹性声子晶体,其单胞在第一布里渊区的K-H方向线性简并.打破单胞的镜像对称性,该三维弹性声子晶体沿第一布里渊区K-H方向的简并线打开而形成完全带隙,激发出谷极化量子霍尔效应.将晶格缺陷态引入具有谷极化量子霍尔效应的三维弹性声子晶体,晶格畸变导致单胞谷极化拓扑相反转而形成界面,实现了弹性波在三维弹性声子晶体的稳健界面传播.基于晶格缺陷的谷极化三维弹性声子晶体拓扑界面态的实现,突破了传统经典波动系统拓扑波导设计的局限性,为三维复杂拓扑波导器件设计提供了良好的技术支撑.     

边界约束条件对箱形梁畸变效应的影响

为了分析不同边界约束条件对箱形梁畸变效应的影响,选取畸变中心处直角的改变量为基本未知量,用能量变分法建立畸变控制微分方程,导出梁端边界条件分别为简支和固定相组合的箱形梁在竖向偏心均布荷载作用下的畸变效应解析解.以简支箱梁为基准,通过引入畸变效应边界影响系数,结合数值算例详细分析不同边界及截面几何参数对箱形梁畸变效应的影...