水滑石晶体生长机理

从“生长基元”角度出发,研究了水滑石晶体生长机理,结果表明水滑石生长形态符合负离子配位多面体生长模型．采用Raman光谱分析了镁铝水滑石、铜镁铝类水滑石、铜锌镁铝类水滑石生长溶液拉曼位移,发现镁铝水滑石层板生长基元是[Mg-（0H）6]^4-,[Al-（0H）6]^3-;含铜锌类水滑石的生长基元是[Mg-（0H）6]^4-（M=Zn^2＋,Cu^2-）,[Mg-（0H）6]^4-,[A1-（0H）6]^3-,水滑石的生长是生长基元先叠合为金属板层,然后再吸附阴离子A”及H：0,依此循环而组成层状化合物．水滑石生长基元所处生长环境不同,会使生长形态不同,以至形成不同外形的水滑石．文章还分析了为什么含铜类水滑石较难合成的原因．     

碱式氯化镁晶须生长机理

运用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了碱式氯化镁晶须形成的机制.发现碱式氯化镁晶须的生长习性与负离子配位多面体在不同环境中密切相关.碱式氯化镁晶须生长基元是[Mg-（OH）4]2-及[Mg-Cl4]2-.生长过程是基元的叠合过程,体系的性质不同或受热方式不同,都会使基元有不同的叠合途径和方向.本文用负离子配位多面体生长基元理论模型对碱式氯化镁晶须形成机制做了一定的解释.     

计算晶体二阶示性面主轴的一种方法

介绍了由任意方向测试值来准确计算晶体主轴方向和主值的数值解法。以三斜晶系晶体为例，建立了数学模型及PASCAL程序流程图。实例证明该方法是简单有效的。     

5A02铝合金板料深冲有限元模拟与实验研究

对5A02铝合金板料深冲过程进行了实验研究,并在率相关晶体塑性本构理论框架下,实现了5A02铝合金板料深冲过程的晶体塑性有限元模拟.研究了深冲过程中的制耳和板厚的分布情况,分析预测了极限拉深系数值;结果表明,晶体塑性有限元法模拟的制耳轮廓的高度和极限拉深系数值与实测值比较吻合,板料的厚度变化与实际情况一致.     

“第15届全国晶体生长与材料学术会议”征文

中国硅酸盐学会定于2009年11月8—10日在浙江宁波召开“第15届全国晶体生长与材料学术会议”（CCCG-15），会议将邀请国内外晶体材料界知名专家、学者做主题报告；将围绕人工晶体的基础问题和应用技术进行广泛的学术交流，共同促进我国晶体材料研究、开发、应用和产业的发展。现面向国内外征集会议论文。     

半导体材料晶片加工应力控制研究

晶片在加工过程中要经过滚磨、切割、倒角等工序才能实现由单晶锭到单晶片的过程，并保持一定的直径和获得参考面。这一系列的机械加工过程中会对单晶造成不同程度的损伤，改变单晶内部应力。通过对单晶滚磨、切割、倒角等加工过程的研究，定性分析了单晶应力产生的原因，通过调整关键工艺参数，使晶片应力得到有效的控制。     

利用一次电光效应的高电压传感器

介绍一种采用光纤传光的高电压传感器的原理、信号处理方法及光器件温度补偿。