掺有Cr~（3＋）的α－LiIO_3晶体的吸收光谱和EPR谱的推导和检验

本文在强场图象下用完全对角化的方法求得了掺有Ｃｒ３＋的α－ＬｉＩＯ３晶体的吸收光谱和ＥＰＲ谱，所得结果与实验值符合得很好     

试论价键理论和晶体场理论的统一性

论述了价键理论和晶体场理论的统一性，并将两理论相结合，形成价键－晶体场理论，用于研究配合物的结构问题，取得了满意的结果。     

MCS—51单片机控制电源阵列

多种实验设备和控制系统中,需要多路毫安级小电流的电压源供电,而且多路电源的幅度和极性能根据实际需要变化.本文介绍的以MCS-51单片机为核心的可程控电压源阵列就满足了这种要求.该系统允许用户通过键盘任选一路或多路电压输出,随时调节其幅度和极性,并且还能控制高达300V的电压源输出.     

圆环形宽带阵列换能器波束优化模拟研究

根据波束等价和采样合成定理，对由若干同心圆环构成的二维非线性参差调谐宽带阵列换能器，进行波束优化计算机模拟．结果表明，给定一个期望的波束分布，通过计算机模拟运算，可获得环形参差阵的一组结构参数，其波束分布与给定的波束分布在误差范围内一致     

智能交通灯控制系统

建立了智能交通灯控制系统；给出了此系统的时序流程图．用ＡＢＥＬ语言写出交通灯控制系统的ＡＢＥＬ源文件，并输入计算机，由ＡＢＥＬ３．０软件对ＡＢＥＬ源文件进行编译，产生．ＪＥＤ文件，在编程器的支持下对ＧＡＬ器件进行编程，实现智能交通灯控制     

功能覆盖膜对场发射阵列（FEA）电子发射性能的影响

为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（ＦＥＡ）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）以及其它淀积技术。在１０＾－６Ｐａ下测量具有不同覆盖膜的硅ＦＥＡ二极管的Ｉ－Ｖ特性，测量结果表明除Ａｕ和Ｍｏ外，其它覆盖材料都对ＦＥＡ电子发射性能有改进，经ＴａＮ覆盖的ＦＥＡ发射电流最大。由Ｆ－Ｎ曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。     

蒙特卡罗模拟方法对EAS阵列性能分析与优化设计的研究

建立了快速计算机阵列性能分析程序，由此阵列性能进行快速分析，对种种阵列设计方案进行比较搜寻，本文介绍其基本定理，方法、程序设计及部分计算结果。     

高压下MTi2（PO4）3晶体Raman光谱研究

利用Ｒａｍａｎ光谱研究了ＭＴｉ２（ＰＯ４）３（Ｍ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）晶体在高压下产生的压致结构相变。实验结果表明：ＬｉＴｉ２（ＰＯ４）３和ＫＴｉ２（ＰＯ４）３在３ＧＰａ和６ＧＰａ压力附近发生了两次压致结构相变；ＮａＴｉ２（ＰＯ４）３在２．５ＧＰａ和７．５ＧＰａ压力附近发生了两次压致结构相变。     

1—苯甲酰基—3—（4—甲苯基）硫脲的单晶生长及其倍频性能研究

本报道了新型光学晶体１－苯甲酰基－３－（４－甲苯基）硫脲〔ＢＭＢＴ〕的单晶生长和倍频性能，用溶液降温法在氯仿溶液中长出柱状晶体，并对此化合物分子结构和晶体结构对晶体生长及倍频性能的影响作了探讨。     

KZnF3：Fe^3＋晶体中Zn^2＋—空位研究

本文通过对零场分裂参量的理论计算，证实了ＫＺｎＦ３：Ｆｅ＾３＋晶体中Ｚｎ＾２＋－空位方向的配体要移动。