应用Raman光谱方法研究玻璃炭纳米晶体的键距畸变特征

键距(或晶格)畸变与晶粒尺寸、晶界结构一样都是纳米晶体结构研究的重要方面.有关晶格畸变对纳米晶体性能的影响已有较多研究工作发表,但关于纳米晶体的键距(或晶格)畸变特征则未见专门报道.本文从Fitzer炭键键距公式出发,建立一种键距畸变的Raman光谱分析方法.应用这种方法可以测量玻璃炭纳米晶体sp~2杂化键的最可几键距b_g、平均键距(?)_g、键距畸变△b_g以及键距膨胀率α等参量.指出,畸变可能主要存在于晶粒边界附近形成畸变键距过渡层,并对过渡层中的键距膨胀现象从电子结构角度进行了初步探讨.1 实验过程通过控制炭化温度制备具有不同晶粒尺寸的玻璃炭试样.试样的X射线分析在D/max-rA衍射仪上进行.分析结果表明经800℃至2300℃炭化得到的玻璃炭均具有乱层石墨微晶结构.试样晶粒尺寸(六元环炭原子面大小)L_a的X射线测试结果列于表1,L_a的测量误差为0.04nm.Raman光谱分析在Spex-1403型谱仪上完成.Ar~+激光器的波长为488nm、功率为500mW.试样环境为室温大气环境.测试结果如图1所示.由于玻璃炭Raman谱中G线与D线略有重叠,故图中的G线谱形已经过计算机分峰处理.     

高压微区流动与聚乙烯伸直链晶体束状成核模型

从分析聚乙烯伸直链晶体形成的动力学条件出发，结合乙基纤维素液晶能诱导聚合烯ＥＣＣ生成和高压结晶试样出现分层现象的流动痕迹的实验事实，得出了高压微压流动是ＥＣＣ形成的重要因素这一迄今未见报道的结论，为ＥＣＣ的束状成核模型找到了动力学基础和实验依据，根据晶核形成一消失是相互转化的随机过程这一特点，讨论了束状成核的生长速率Ｇ和表面成速率Ｊ的数学表达式。     

KTN的核磁共振研究

研究了掺Ｎｂ浓度为０．１５的ＫＴＮ晶体中＾１８１Ｔａ和＾９３Ｎｂ的核磁共振信号的线宽和（积分）强度对温度的依赖性。通过两种核的信息分析，我们观察到在１２０Ｋ－２３０Ｋ之间晶体发生二次相变，而且发现两种核的共振线的展宽起源是不同的。我们也把＾１８１Ｔａ的信号与两种标定纯的ＫＴａＯ３晶体的相应信号作了比较，发现“消除”效应都存在。     

MCS－51系列单片机系统软件加密技术的应用

本文讨论了对存放在ＥＰＲＯＭ中的软件进行加密的若干方法，并比较了各种方法的优缺点，提出了ＭＣＳ－５１系列单片机６４Ｋ范围内的程序代码选用何种加密方法的新见解．     

掺有Cr~（3＋）的α－LiIO_3晶体的吸收光谱和EPR谱的推导和检验

本文在强场图象下用完全对角化的方法求得了掺有Ｃｒ３＋的α－ＬｉＩＯ３晶体的吸收光谱和ＥＰＲ谱，所得结果与实验值符合得很好     

试论价键理论和晶体场理论的统一性

论述了价键理论和晶体场理论的统一性，并将两理论相结合，形成价键－晶体场理论，用于研究配合物的结构问题，取得了满意的结果。     

MCS—51单片机控制电源阵列

多种实验设备和控制系统中,需要多路毫安级小电流的电压源供电,而且多路电源的幅度和极性能根据实际需要变化.本文介绍的以MCS-51单片机为核心的可程控电压源阵列就满足了这种要求.该系统允许用户通过键盘任选一路或多路电压输出,随时调节其幅度和极性,并且还能控制高达300V的电压源输出.     

圆环形宽带阵列换能器波束优化模拟研究

根据波束等价和采样合成定理，对由若干同心圆环构成的二维非线性参差调谐宽带阵列换能器，进行波束优化计算机模拟．结果表明，给定一个期望的波束分布，通过计算机模拟运算，可获得环形参差阵的一组结构参数，其波束分布与给定的波束分布在误差范围内一致     

智能交通灯控制系统

建立了智能交通灯控制系统；给出了此系统的时序流程图．用ＡＢＥＬ语言写出交通灯控制系统的ＡＢＥＬ源文件，并输入计算机，由ＡＢＥＬ３．０软件对ＡＢＥＬ源文件进行编译，产生．ＪＥＤ文件，在编程器的支持下对ＧＡＬ器件进行编程，实现智能交通灯控制     

功能覆盖膜对场发射阵列（FEA）电子发射性能的影响

为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（ＦＥＡ）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）以及其它淀积技术。在１０＾－６Ｐａ下测量具有不同覆盖膜的硅ＦＥＡ二极管的Ｉ－Ｖ特性，测量结果表明除Ａｕ和Ｍｏ外，其它覆盖材料都对ＦＥＡ电子发射性能有改进，经ＴａＮ覆盖的ＦＥＡ发射电流最大。由Ｆ－Ｎ曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。