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根据唯象自旋哈密顿和微观相互作用之间的近似等效性,本文导出了3d     

Ne对HF泛频激光振转能级粒子数分布的探讨

基于多体展式方法所导出的ＮｅＨＦ（Ｘ１Σ＋）的分析势能函数,用准经典的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ轨迹法研究了Ｎｅ＋ＨＦ（ｖ′,Ｊ′）→Ｎｅ＋ＨＦ（ｖ″,Ｊ″）振转非弹性碰撞过程．结果表明：Ｎｅ对ＨＦ的振动能级的粒子分布影响较大,在较低相对平动能下,对ＨＦ转动能级有驰豫作用．     

循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察了循环应变作用下（１３５）同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明,双晶晶界领域的位错结构特征不同于远离晶界的区域,一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成,二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。     

铜双晶体及其组元单晶体的循环变形行为比较：———Ⅰ.循环应力—？…

研究了实际生长的铜双晶体（ＲＢ）,组合双晶体（ＣＢ）及其组元单晶体（Ｇ１,Ｇ２）在总应变幅控制下的循环应力－应变响应,结果表明在相同应变幅下轴向应力幅随循环进行递增顺序为Ｇ２,ＣＢ,ＲＢ及Ｇ１,而塑性应变幅则按Ｇ２,ＣＢ,ＲＢ及Ｇ１顺序递减。通过引入一个双晶体的取向因子ΩＢ比较了双晶体（ＢＣ,ＲＢ）及其组元单晶体（Ｇ１,Ｇ２）的循环应力－应变曲线,其中两组元单晶体（Ｇ１,Ｇ２）的循环应力－应变曲线     

四氧化三铁磁性纳米粒子的合成及表征

采用滴定水解及 Ｍ ａｓｓａｒｔ 合成法分别制备了直径在 ８ ｎｍ 左右的 Ｆｅ３ Ｏ４ 磁性纳米粒子,粒子的结构组成通过 Ｘ射线粉衍射得到证实．透射电镜研究表明,由滴定水解法制备的磁性粒子的外形主要为球形,粒子大小比较均匀,所有粒子都在 ５～１０ ｎｍ 之间．而由 Ｍａｓｓａｒｔ 合成法制备得到的 Ｆｅ３ Ｏ４ 磁性粒子则呈现从球形到立方体形的多种形态,并且粒径分布较宽．磁性测量表明,由滴定水解及 Ｍ ａｓｓａｒｔ 合成法合成的 Ｆｅ３ Ｏ４ 磁性粒子的饱和磁矩分别为 ７１ 和 ６９ Ａｍ ２ｋｇ－ １,仅比块体 Ｆｅ３ Ｏ４ 的磁性低约２０％ ．     

转动参照系中二自由度系统的无阻尼微振动

本文以MATLAB软件为工具,从匀角速转动参照系中作无阻尼振动的二自由度系统的相对运动微分方程出发、绘出振体的运动曲线,并得出了振体的运动规律和特征。     

无源光纤脉冲电压电场传感器的研究

研究了一种利用电光晶体的一次电光效应测量脉冲电压和电场的方法,给出了光纤电压电场传感器的基本结构和测量原理,计算和对比了ＢＧＯ和ＬＮ等几种不同晶体对测量灵敏度的影响,利用ＨＰ－８０１１Ａ型脉冲信号发生器做为信号源,进行了初步的设计和测试,实验结果表明：ＬＮ晶体具有较高的灵敏度,线性度以及较好的频率响应。     

定向凝固制备多晶硅柱状晶的研究

为了控制定向凝固过程中柱状晶的稳定生长,结合真空定向凝固技术,在一定的工艺参数下,利用真空定向凝固设备成功制备出具有单向凝固组织的多晶硅材料,通过对制备的多晶硅锭从纵截面和不同位置横截面的微观组织进行研究,分析得出了定向凝固过程中多晶硅垂直于底部的柱状晶和大晶粒形成的最佳工艺参数,通过X射线衍射检测,显示晶体择优取向为<111>面,文章还利用晶粒淘汰机制和柱状晶合并机制合理解释柱状晶体长大过程.     

采用新型晶体测量超短光脉冲

采用新型晶体ＰＯＭ作倍频器件，建立了超短光脉冲二阶强度自相关检测系统，并对半导体超短光脉冲进行了测量。系统的最小可检测平均光功率为１００μＷ，可测最大脉宽为１８０ｐｓ，最高分辨率为１６ｆｓ。