一维非均匀结构声子晶体反射率研究

采用传输矩阵分析方法,利用软件编写程序,研究非均匀结构一维声子晶体的反射谱特性,得到等间隔的反射谱特性,禁带带隙宽度由7.2k Hz左右可以达到11k Hz左右,反射特性也更好,研究还发现随着晶格常数的减小,带宽可以拓宽到82k Hz,可以很好的应用于机电设备的降噪与减震。     

刍议轴承加工中酸洗工艺技术的应用

该文首先介绍了酸洗的反应机理，接着对酸洗在轴承加工中的应用进行了详细地分析，首先对轴承加工中酸洗的流程进行分析，进而又提出了酸洗在轴承加工中的缺陷，最后结合以上所述得出几点解决问题的方法。     

宇宙不守恒定律发现

灶台生灵感柳暗花明 正当吴健雄感到山穷水尽之际，一个傍晚，她的女研究生玛丽荷见当天实验做不完，就带了一个小烧杯和一些硝酸铈镁回家。在烹调晚餐日寸＇玛丽荷将盛有这些晶体的烧杯也留在炉子上，溶液受热后，更多的硝酸铈镁就溶解其中，她再加入更多的硝酸铈镁，直至溶液饱和。     

二维光子晶体三角晶格光控开关的设计

我们准备一个复合腔模型：由两腔和一个连接波导组成,来研究在空气孔型光子晶体的光学双稳态开关时域藕荷模理论。开关行为来自连接波导的非线性,这不同于来自杆的缺陷腔的非线性的杆型光子晶体。利用理论分析：二维空气孔式三角形光子晶体双稳态光学开关是模型,开关特性也通过使用时域的有限差分方法研究。     

GaN电子结构与光学性质的第一原理研究

采用了基于密度泛函理论和广义梯度近似方法计算了GaN电子结构和光学性质.计算结果表明,GaN属于直接带隙半导体,静态介电常数为5.72,折射率为2.2.并利用计算所得图形,分析了GaN的能带结构、态密度、介电函数、折射率和能量损失函数,从理论上阐述了GaN材料电子结构与光学性质的关系,计算结果与实验结果相符.     

基于多重散射理论的二维声子晶体带结构计算

二维固体结构声子晶体如平板、板壳在结构材料的减振、降噪方面有广泛的应用,研究二维固体结构声子晶体的禁带特性,对减振、降噪结构材料及声学滤波器的设计有重要的理论指导意义.用声子晶体带结构计算的多重散射理论,计算了二维碳一环氧树脂声子晶体的能带结构.结果表明,将波速较大的碳柱体按正方形周期排列放入到波速较小的环氧树脂中,在布里渊区两个主要方向上出现了完全禁带.     

酸根阴离子和体系的pH值及对水热条件下晶体生长的影响

目的通过调节[Ni(II)(Dipha)(Benzidine)]体系的pH值和改变L-(L-=Cl-,NO3-),研究其在水热条件下对晶体生长的成晶条件。方法通过水热法合成该体系的系列晶体。结果实验表明,水热法合成该体系的系列晶体,pH≈7.0,镍盐(NiL2)选用NiCl2或Ni(NO3)2有利于配合物晶体的形成。结论对于该体系溶液pH≈7.0和选择合适的酸根阴离子盐来提供金属离子有利于配合物晶体的形成。     

含负折射率光子晶体缺陷模的吸收特性

 为了研究含负折射率光子晶体缺陷模的吸收特性,引入复折射率的概念,并采用光学特征矩阵方法,分析了各缺陷模的峰值和带宽随消光系数以及杂质厚度的变化.分析结果表明:杂质的消光系数对各缺陷模的中心波长没有影响,随着消光系数的增加,各缺陷模峰值逐渐减小,而带宽逐渐增加,且各缺陷模峰值和带宽的增减速度不同;当消光系数不变,随着杂质层光学厚度的增加,缺陷模的峰值和带宽都随之减小.因此在设计相关光学器件时,应充分考虑杂质吸收对缺陷模特性的影响.     

Cs2NaMF6:Fe3+ (M=Al,Ga)体系局域结构理论研究

构建了d5组态离子在三角晶体场中包含电子—电子间库仑相互作用、自旋—轨道耦合相互作用及配位体相互作用的完全能量矩阵,通过对角化完全能量矩阵研究了过渡金属Fe3↓离子掺杂Cs2 NaMF6(M=Al,Ga)体系的局域晶格结构.得到了Cs2 NaMF6:Fe3+(M=Al、Ga)体系中局域结构参量,对Cs2 NaAlF6:...     

铌酸锂晶体的暗电导研究

通过对不同组分比(Li/Nb)纯铌酸锂(LiNbO3)晶体电压和电流的测量,发现不同组分比晶体的电导率随温度变化而变化的程度不同.提出小极化子对电导率的作用机制,并分析了LiNbO3晶体中双极化子和小极化子对电导率的影响.最后对所测量的电导率进行拟合,得到了不同组分比晶体的激活能.