硅锑钼杂多酸-罗丹明B缔合物的二级散射光谱研究

在0.04 mol/L H2SO4介质中,SiO2-3,Sb(Ⅲ),MoO2-4形成Si-Sb-Mo三元杂多酸;然后调节酸度至0.22 mol/L H2S O4,加入罗丹明B生成[Si-Sb-Mo杂多酸]·[罗丹明B]四元缔合物,该缔合物在650 nm处产生一灵敏的二级散射峰.据此建立了一个测定4～40 μg/L Si的二级散射光谱分析新方法,用于钢样中硅的测定,结果满意.     

二维子特征库的研究及其应用

介绍在ＡｕｔｏＣＡＤ环境下用二维表达建立子特征库的原理和方法。依据特征建模理论,通过特征定义建立相应的子特征库,并在操作时将这些特征实例化。     

I/O级网络通信程序设计

以微机操作ＣＡＭＡＣ设备为例讲述了实现Ｉ／Ｏ级网络通信的具体过程和步骤,首先在单机环境下完成了ＣＡＭＡＣ设备接口程序的设计;然后在选用ＴＣＰ／ＩＰ协议的条件下,Ｗｉｎｄｏｗｓ ｓｏｃｋｅｔｓ技术实现Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下的Ｉ／Ｏ级网络通信,其中参与网络通信的程序双方是以客户机和服务器的形式存在的。     

纳米级压电陶瓷微位移系统的研究

介绍了一种用于纳米磨削的新型微位移系统,该系统由压电陶瓷微位移工作台和计算机控制的专用驱动电源组成,系统精度与压电陶瓷致动器和控制系统密切相关。阐述了以压电陶瓷致动器为核心的微位移工作台和驱动电源的设计原理和设计特点,并用已研制成的高精度高分辩率微位移系统实现了陶瓷样件的纳米镜面磨制。     

浅谈晶体管电路在继电保护中的应用

文章论述了晶体管电路在继电保护中的应用,分析了晶体管电路在现代电力系统中应用的优势及其发展趋势。     

影响HEMT高频特性的因素分析

在已建立模型的基础上,分析了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的几个重要参数（栅长、栅宽、掺杂ＡｌＧａＡｓ的厚度、未掺杂ＡｌＧａＡｓ层的厚度、ＡｌＧａＡｓ层掺杂浓度、栅压、漏压）对其高频特性的影响。     

高电子迁移率晶体管的光照特性分析

以光照下耗尽型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管为例,考虑了光生载流子对半导体内电荷 影响和光压效应,采用器件的电荷控制模型,分析了光照对器件夹断电压、二维电子气（２－ＤＥＧ）浓度、Ｉ－Ｖ特性以及跨导的影响,与无光照的情况相比较,夹断电压变小）绝对值变大）,二维电子浓度增大,从而提高了器件的电流增益,跨导对光照不敏感。     

用晶体管测电子电荷

介绍一种测量电子电荷的简易方法,测量装置简单,结果准确,可以作为学生实验。     

Si+/As+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究

研究了单 (Si )双 (Si / As )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si 注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si / As 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 .     

泰波理论在矿料级配设计中的应用

讨论了直接应用泰波理论指导矿料级配设计的一种方法 ,该方法先计算理论级配 ,然后在半对数坐标中绘出最大密度曲线 ,并在该最大密度曲线图上直接查出各粒径颗粒含量 ,计算出各种集料的比例。该方法简化了级配设计过程。本文中以水泥混凝土和沥青混合料用砂为例阐述了这一设计方法