硅太阳电池数学模型

太阳电池的光电特性是由原材料，电池设计结构和相应的加工工艺所决定的。建立太阳电池数掌模型对于太阳电池特性的研究以及太阳电池Ⅰ-Ⅴ曲线的描绘有着重要的意义。本文介绍了几种硅太阳电池工程用模型，这些模型考虑了电池温度和日照强度对输出特性的影响。     

CdS薄膜的电输运和光学性质

通过喷雾热解获得CdS薄膜，在氮中气做了退火处理，观测到吸收边随退火温度升高而移动；在室温下的拉曼谱中观察到CdS的2个特征峰；经暗电阻与温度的变化关系的测试，发现激活能存在着极小值，用载流子衰减时间的变化能较好地解释其缘由；探讨了光电导与入射光强以及退火温度的关系。     

机械刻槽埋栅硅太阳电池化学镀工艺的改进

采用辅助超声方法较好地解决了埋栅硅太阳电池化学镀铜经常发生槽内空洞和镀不满的现象，使电池串联电阻由0．5Ω降为0．1Ω．在化学镀银过程中，采用聚四氟乙烯材料作容器，避免了银沉积容器内壁．镀液中加入络合剂-氨水，可较好地控制反应，使镀银效果大大提高．     

太阳电池的研究和应用进展

简要介绍了太阳电池工作原理 ,并对现有太阳电池进行了分类。综述了现阶段国内外太阳电池的研究和应用进展     

基于matlab/simulink的太阳电池模型

根据硅太阳电池工程用数学模型,在matlab/simulink仿真环境下建立了硅太阳电池模型.该模型充分考虑了环境温度的变化对太阳电池工作温度的影响,运用实际测试数据拟合出太阳电池温度与环境温度变化的关系式,并且给出确切参数.把仿真结果与实际太阳电池组件测量结果进行对比分析,结果表明仿真模块能够较好的模拟太阳电池组件的输出特性,完全能满足工程实际需要.     

大型柔性太阳电池翼模态参数计算

采用有限元方法建立了空间站太阳电池翼模态参数计算模型。针时柔性太阳电池翼的结构特点，提出了其有限元建模的关键技术问题，建立了柔性基板、连接刚度、太阳电池片、主展开桁架的有限元分析模型，并给出了某型号柔性太阳电池翼模态参数计算的数值结果。     

温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响

多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30~40μm,沉积速率达3~7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900~1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.     

太阳电池并联电阻对Ⅰ-Ⅴ曲线的影响

忽略串联电阻,从太阳电池的Ⅰ-Ⅴ特性方程,数值分析并联电阻对Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响.正常情况下,并联电阻只影响太阳电池的填充因子,对开路电压和短流电流没有影响,但并联电阻极小时,能减小开路电压.并联电阻较小时,能显著地降低填充因子.从短路电流处的斜率,可以简便地计算太阳电池的并联电阻.     

硫化锑太阳电池的数值模拟分析

利用Afors-het一维器件模拟仿真软件，研究传统CdS/Sb₂S₃异质结太阳电池器件中Sb₂S₃吸收层和CdS缓冲层厚度、带隙、吸收层受主浓度以及缺陷对电池性能的影响。结果表明，一定厚度的吸收层可以提高器件的短路电流密度，但过厚的吸收层会减小填充因子。研究CdS薄膜发现，过厚的CdS对电池的开路电压，短路电流密度以及填充因子损害较大。Sb₂S₃最优的带隙宽度在1.5～1.6 eV之间。提高Sb₂S₃受主浓度可以有效改善开路电压，但施主缺陷态密度与缺陷态在能级中能量的增加将会使电池效率降低。同时模拟结果表明，当吸收层中载流子寿命达到10^-7 s时，电池的短路电流密度可以得到明显改善。     

户外用硅基太阳总辐射计的设计

为长期监测光伏电站中太阳辐射强度，设计了一种户外用硅基太阳总辐射计。采用同种技术类型硅太阳电池作为传感器，并以光伏组件制作工艺来封装硅太阳电池；采用测温热敏电阻测试硅电池的工作温度，为辐照度测量值增加温度修正；采用合适的取样电阻串接于硅电池正负极两端，使硅太阳电池近似工作于短路电流状态。最后在户外自然光下与标准硅太阳电池进行辐照度对比测试，最大误差为1.2%,最小误差为0.2%,平均误差为0.4%。