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71.
研究选择性擦除的原理和方法,针对铌酸锂晶体中定影全息图和未定影全息图的特点,介绍相应的选择性擦除的原理和在物光和参考光中引入π相位差的几种方法,通过引入π相位差记录互补全息图,利用全息图及其互补全息图的非相干叠加,消除原全息图对晶体折射率的调制,从而实现对未来影全息图的选择性擦除,实验中实验了在晶体中某一数据面面内部分数据的擦除,并从理论上对实验结果进行了分析。 相似文献
72.
石英晶体传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
吕宏强 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》2003,23(1):52-54
介绍了石英晶体传感器的结构及频率输出的特点,分析了由石英晶体构成的温度、应力、微质量、声压等传感器的测量机理,评述了与其对应的各种应用及其优缺点。 相似文献
73.
在考虑B,P,As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上,讨论了快速热退火对3种注入离子浓度分布的影响,提出了3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型,由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好。 相似文献
74.
现代计算技术向科学技术研究各个领域渗透, 形成了诸多新兴交叉学科. 在对结晶学发展历史和需要解决的基本科学问题作了分析之后, 基于理论研究、晶体制备实验与数学建模计算三者必须紧密结合、互为依托的认识, 提出了计算结晶学的构想, 并以复杂氧化物晶体体系: 铝-尖晶石晶体为例, 通过选取晶体的基本结构单元, 确定晶体结构的数学表达, 进行生长基元稳定能计算并给出晶体的有利生长基元, 描述晶体生长形态的形成过程等, 阐述了计算结晶学的基本思想与研究方法. 所得到的结论与水热法制备铝-尖晶石晶粒的实验结果一致. 相似文献
75.
水热条件下晶粒的聚集生长(Ⅱ): 氧化亚铜晶粒生长形态及其稳定能计算 总被引:6,自引:0,他引:6
报道了水热法制备氧化亚铜晶粒的实验结果. 大部分晶粒呈长柱状, 间有长柱状晶粒沿某些特定方向联生而成的晶粒, 包括6个线度基本等长的柱状晶粒沿3个相互垂直的方向联生而成的晶粒, 锥面在柱体顶端显露. 这表明在晶粒的形成过程中, 发生了由于某些显露的晶面之间结构相容而使得晶粒取向连生为主要内涵的第2类聚集生长. 从氧化亚铜晶体结构出发, 选定了其生长基元的基本结构单元, 通过各类基元稳定能的计算, 确定正方柱状和三轴生长基元为有利生长基元. 第1类聚集生长在水热条件下晶粒生长过程普遍存在, 但是, 并不是所有的晶粒都能在水热条件下发生第2类聚集生长. 晶粒是否可发生第2类聚集生长取决于其自身的结构. 相似文献
76.
77.
研究水溶液成胶制备氧化铝过程中,掺杂氧化镧及利用聚乙二醇助成胶对氧化铝热稳定性和比表面的影响。通过XRD表征手段和TG检测方法来检测氧化铝在不同温度焙烧后的晶相改变和热失重情况,并利用BET检测方法检测不同温度焙烧后的比表面。实验结果表明,氧化镧的掺杂可提高氧化铝的热稳定性,利用聚乙二醇助成胶可有效提高氧化铝的比表面。 相似文献
78.
79.
《中国高校科技与产业化》2003,(4):45-45
硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)于1985年由国家计委批准投资建设,1987年通过国家验收,1988年对外开放。目前硅材料国家重点实验室已成为国家在硅材料及半导体材料的科学研究创新及高级人才培养的主要基地之一,是对外学术交流的重要窗口。以该实 相似文献
80.
在室温至150℃范围测量了纯PWO4晶体和掺镧(La)PWO4晶体的频域介电谱,发现两种样品的介电弛豫都不是德拜型的,晶体中的空位和杂质形成的二和三级结构使得频域介电谱和样品的热力学历史有关。 相似文献