应用Raman光谱方法研究玻璃炭纳米晶体的键距畸变特征

键距(或晶格)畸变与晶粒尺寸、晶界结构一样都是纳米晶体结构研究的重要方面.有关晶格畸变对纳米晶体性能的影响已有较多研究工作发表,但关于纳米晶体的键距(或晶格)畸变特征则未见专门报道.本文从Fitzer炭键键距公式出发,建立一种键距畸变的Raman光谱分析方法.应用这种方法可以测量玻璃炭纳米晶体sp~2杂化键的最可几键距b_g、平均键距(?)_g、键距畸变△b_g以及键距膨胀率α等参量.指出,畸变可能主要存在于晶粒边界附近形成畸变键距过渡层,并对过渡层中的键距膨胀现象从电子结构角度进行了初步探讨.1 实验过程通过控制炭化温度制备具有不同晶粒尺寸的玻璃炭试样.试样的X射线分析在D/max-rA衍射仪上进行.分析结果表明经800℃至2300℃炭化得到的玻璃炭均具有乱层石墨微晶结构.试样晶粒尺寸(六元环炭原子面大小)L_a的X射线测试结果列于表1,L_a的测量误差为0.04nm.Raman光谱分析在Spex-1403型谱仪上完成.Ar~+激光器的波长为488nm、功率为500mW.试样环境为室温大气环境.测试结果如图1所示.由于玻璃炭Raman谱中G线与D线略有重叠,故图中的G线谱形已经过计算机分峰处理.     

高压微区流动与聚乙烯伸直链晶体束状成核模型

从分析聚乙烯伸直链晶体形成的动力学条件出发，结合乙基纤维素液晶能诱导聚合烯ＥＣＣ生成和高压结晶试样出现分层现象的流动痕迹的实验事实，得出了高压微压流动是ＥＣＣ形成的重要因素这一迄今未见报道的结论，为ＥＣＣ的束状成核模型找到了动力学基础和实验依据，根据晶核形成一消失是相互转化的随机过程这一特点，讨论了束状成核的生长速率Ｇ和表面成速率Ｊ的数学表达式。     

定值法膜厚监控参数的确定

定值法监控技术是制备对称周期膜系的有效方法，本文采用数值计算方法确定定值法膜厚监控参数，实验表明，此方法准确、可靠、方便。     

KTN的核磁共振研究

研究了掺Ｎｂ浓度为０．１５的ＫＴＮ晶体中＾１８１Ｔａ和＾９３Ｎｂ的核磁共振信号的线宽和（积分）强度对温度的依赖性。通过两种核的信息分析，我们观察到在１２０Ｋ－２３０Ｋ之间晶体发生二次相变，而且发现两种核的共振线的展宽起源是不同的。我们也把＾１８１Ｔａ的信号与两种标定纯的ＫＴａＯ３晶体的相应信号作了比较，发现“消除”效应都存在。     

关于深井冻结凿井中的合理井帮温度问题

本文根据冻结壁温度场的特征,详细地分析了井帮温度与冻结壁的平均温度、有效厚度及其承载力等方面的关系.提出了合理井帮温度的确定方法.     

掺有Cr~（3＋）的α－LiIO_3晶体的吸收光谱和EPR谱的推导和检验

本文在强场图象下用完全对角化的方法求得了掺有Ｃｒ３＋的α－ＬｉＩＯ３晶体的吸收光谱和ＥＰＲ谱，所得结果与实验值符合得很好     

试论价键理论和晶体场理论的统一性

论述了价键理论和晶体场理论的统一性，并将两理论相结合，形成价键－晶体场理论，用于研究配合物的结构问题，取得了满意的结果。     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的．详细分析了背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合     

高压下MTi2（PO4）3晶体Raman光谱研究

利用Ｒａｍａｎ光谱研究了ＭＴｉ２（ＰＯ４）３（Ｍ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）晶体在高压下产生的压致结构相变。实验结果表明：ＬｉＴｉ２（ＰＯ４）３和ＫＴｉ２（ＰＯ４）３在３ＧＰａ和６ＧＰａ压力附近发生了两次压致结构相变；ＮａＴｉ２（ＰＯ４）３在２．５ＧＰａ和７．５ＧＰａ压力附近发生了两次压致结构相变。     

1—苯甲酰基—3—（4—甲苯基）硫脲的单晶生长及其倍频性能研究

本报道了新型光学晶体１－苯甲酰基－３－（４－甲苯基）硫脲〔ＢＭＢＴ〕的单晶生长和倍频性能，用溶液降温法在氯仿溶液中长出柱状晶体，并对此化合物分子结构和晶体结构对晶体生长及倍频性能的影响作了探讨。